Встановлено закономірності зміни характеристик дифракційної картини, спричинених одновимірними розупорядкуваннями (ОР) структури, на базі яких розроблено метод визначення типу ДП, величини їх концентрації та характеру взаємного розташування у цих кристалах.

  Скачати повний текст

Шляхом вакуумної конденсації одержано шари сцинтилятора CsI(Tl) з відтворюваною морфологією, структурними та сцинтиляційними характеристиками на підкладках різних типів. З використанням методів рентгеноструктурного аналізу та растрової електронної мікроскопії установлено закономірності структуроутворення й особливості формування стовпчастої морфології шарів CsI(Tl) за умов вакуумної конденсації. Розроблено й апробовано методику вакуумного напилення даних шарів, що дозволяє забезпечити у зростаючому шарі необхідну концентрацію активатора та його однорідний розподіл в об'ємі шару. За запропонованою методикою математичної обробки спектрів амплітуд імпульсів сцинциляцій одержано кількісні характеристики світлового виходу шарів CsI(Tl), близькі до характеристик кращих кристалів CsI(Tl). Показано можливість формування зображення в gamma-випромінюванні з використанням стовпчастих шарів CsI(Tl). За методом побудови функцій передачі модуляції оцінено просторову роздільну здатність даних шарів.

  Скачати повний текст

З використанням методу ультрам'якої рентгенівської емісійної спектроскопії проведено систематичне комплексне дослідження залежності особливостей електронної будови різних видів вуглецевих наноматеріалів від їх розмірів. Проаналізовано особливості енергетичного розподілу валентних електронів у фулеренах та аніонах. На підставі одержаних результатів визначено природу стабілізації молекул фулерена та частинок аніонів.

  Скачати повний текст

Розроблено експериментальні методи дослідження параметрів багатошарових планарних структур, розраховано основні структурні властивості плівок зі спектрів відбиття X-променів з використанням квазізаборонених рефлексів (КЗР) у бреггівській геометрії дифракції. З застосуванням напівкінематичного наближення теорії розсіювання X-променів для розрахунків кривих дифракційного відбиття (КДВ) показано, що в короткоперіодних надгратках (НГ) зміна співвідношення інтенсивностей сателітів, розташованих з боку менших і більших кутів від нульового сателіта, залежать як від ступеня структурної досконалості (фактора Дебая - Валлера, параметра ближнього порядку), так і від рівня пружної деформації окремих шарів. Встановлено, що даний факт обумовлений нерівноцінними фазовими змінами в структурному множнику кожного з реальних шарів. Виявлено, що для адекватного опису КДВ від багатошарових структур необхідно враховувати якнайбільшу кількість дифракційних параметрів, особливо в короткоперіодних надгратках далеко від кута точного бреггівського положення. Обгрунтовано й апробовано нові експериментальні методи з використанням КЗР для одержання параметрів структур і композиційного розподілу в шарах НГ. Вперше встановлено можливість розділення внесків у відбивну здатність кожного з шарів структури окремо, високу чутливість КЗР до складу твердих розчинів субшарів, а також чутливість сателіта НГ до дефектної структури шарів різних видів. Показано, що в структурах, один з шарів якої утворений елементами, які мало відрізняються атомними номерами, роллю даного шару у формуванні дифракційної картини можна знехтувати, оскільки він впливає лише на зміну фази розсіяння. Експериментально встановлено двохшаровий розподіл індію з різним його вмістом в областях квантових ям багатошарової структури InGaAs/GaAs та з'ясовано роль форми даного розподілу у формуванні КДВ у випадку дифракції Брегга.

  Скачати повний текст