Скачати повний текст

Досліджено фізичні процеси, що відбуваються у багатофункціональних електрохемілюмінесцентних елементах (ЕХЛ), призначених для хімічного аналізу та генерації когерентного та некогерентного оптичного випромінювання, з робочими електродами, модифікованими штучно організованими молекулярними плівками, одержаними за методом Ленгмюра - Блоджетт (ЛБ), з вбудованими молекулами органічних люмінофорів. Проаналізовано фізичні процеси, що відбуваються в ЕХЛ з модифікованим робочим електродом. З використанням розроблених математичних моделей проведено розрахунки основних фізичних процесів, що впливають на роботу ЕХЛ-елемента з модифікованим робочим електродом, який може бути застосований як джерело некогерентного оптичного випромінювання або як сенсор на окремі хімічні сполуки. Розроблено багатошарову структуру робочого електрода ЕХЛ-елемента, що має хвилеводні властивості та може застосуватись для генерації когерентного оптичного випромінювання. Проведено теоретичне дослідження параметрів і умов генерації. Досліджено електрохімічні та ЕХЛ-властивості елементів з електродами, модифікованими мультишаровими впорядкованими плівками ЛБ органічних люмінофорів.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Одержано нові типи гетеропереходів GaN/por - GaAs/GaAs. Наведено результати досліджень їх властивостей. Розроблено математичну модель конвертації поверхневих шарів GaAs у GaN за рахунок дифузії атомів азоту у GaAs за механізмом kick-out. Установлено, що за температур, менших 800 К, інтенсивність конвертації недостатня для формування плівок GaN, внаслідок чого утворюється потрійна сполука GaAsN. За температур, вищих 1 000 К відбувається погіршення морфології плівок, зумовлене інтенсивною декомпозицією матеріалу підкладки GaAs. Досліджено властивості плівок GaN/por-GaAs. Доведено позитивний вплив використання поруватих підкладок GaAs на їх оптичні, структурі та морфологічні властивості. Визначено вплив параметрів нітридизації поруватих підкладок GaAs на формування напівпровідникової потрійної сполуки GaNAs. Показано можливість керування концентрацією азоту та миш'яку, що надає можливість одержувати структури з межовим випромінюванням у діапазоні від інфрачервоної до ультрафіолетової області. Визначено значущість поруватості підкладки GaAs для типу кристалічної гратки плівок GaN. З'ясовано, що за величини поруватості 30 % підкладок GaAs на базі монокристалічного GaAs (III) формується переважно кубічна модифікація GaN з включеннями кристалітів гексагонального GaN. З'ясовано позитивний вплив відпалення гетероепітаксійних плівок GaN у радикалах азоту на склад власних дефектів, а саме: зменшення концентрації точкових дефектів вакансій азоту та донно-акцепторних пар, поліпшення стахіометрії у плівках GaN. На підставі результатів проведених досліджень оптимізовано фізико-технологічні аспекти нітридизації поруватих підкладок GaAs для формування якісних напівпровідникових гетероструктур GaN/por - GaAs/GaAs.

  Скачати повний текст

На підставі проведених комплексних експериментальних досліджень і теоретичних розрахунків виконано розділення внеску окремих механізмів розсіювання носіїв струму в кінетичні явища тонких плівок халькогенідів свинцю різної структурної досконалості. Установлено закономірності у спрямованих неоднорідностях профілів електричних параметрів у свіжовирощених та відданих відпалу у вакуумі й атмосфері кисню плівок халькогенідів свинцю. У межах двошарової моделі Петріца визначено кінетичні параметри приповерхневих шарів. На основі елетротехнічної моделі провідності полікристалічних плівок установлено закономірності у змінах лінійних розмірів кристалітів від часу у плівках PbTe і механізми перенесення струму міжзеренними межами, зумовлені термоелектронною емісією. Визначено вплив дифузного та дзеркального механізмів розсіювання на міжфазних межах, а також розсіювання носіїв заряду на межах зерен і дислокаціях невідповідностей. Розраховано поверхневу густину та радіус дислокацій.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив розмірних ефектів, обумовлених наявністю глибоких центрів захоплення, на електрофізичні властивості тонкоплівкових структур на основі арсеніду галію. Наведено числові методи розрахунку низькочастотної ємності тришарової арсенідгалієвої структури тонка плівка - буферний шар - підкладка високочастотної та низькочастотної ємностей прямої гетероструктури з селективним легуванням. Виявлено фізичний механізм появи аномальної ділянки росту на низькочастотній вольт-фарадній залежності таких структур. Розроблено модель захоплення носіїв з плівки на глибокі центри буферного шару та підкладки арсенідгалієвої структури. Запропоновано числовий метод розрахунку домішкової фотопровідності за умов зворотного керування. Розроблено методику та прилад для вольт-фарадної діагностики глибоких центрів у тонкоплівкових структурах.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наведено результати досліджень люмінесценції плівок телуриду цинку, яка обумовлена рекомбінацією на глибоких центрах та реєструється в інтервалі довжини хвиль (0,6 - 1,0 мкм).

  Скачати повний текст

Висвітлено проблему дослідження магнітної та крісталічної мікроструктури приповерхневих шарів епітаксійних плівок ЗІГ. Розроблено методику числового аналізу експериментальних КЕМ спектрів гранатових структур з великою кількістю близьких нееквівалентних положень з використанням інформації про їх мікрокристалічну будову, яка забезпечила повноту та достовірність отриманих результатів. Методика базується на квазінеперервному описі експериментального КЕМС. Вивчено вплив особливостей процесу рідкофазної епітаксії на властивості поверхневого шару плівка-повітря. Досліджено спотворення концентраційних профілів розподілу елементів за ВІМС пошарового аналізу, зумовлене виходом розпилених іонів матриці з різних глибин, селективним іонним перемішуванням компонент мішені та ефектом кратеру.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Розроблено модель магнітної кристалографічної анізотропії епітаксіальних феритових плівок і методи аналізу характеристик електромагнітно-спінових хвиль у шаруватих структурах з такими плівками. Проведено послідовний аналіз анізотропії епітаксіальних плівок, що включає розв'язання статичної задачі та отримання тензора динамічної магнітної проникності. З'ясовано межі справедливості відомої раніше моделі анізотропії. Запропоновано методи розв'язання спектральної задачі для магнітостатичних хвиль в неоднорідному феритовому шарі. Апрбовано метод зшивання імпедансів на випадок феритових шарів з градієнтною неоднорідністю, побудовано ефективний алгоритм для обчислення дисперсії та розподілу потоків енергії електромагнітно-спінових хвиль, які поширюються перпендикулярно підмагнічувальному полю в дотично намагнічених структурах з довільною кількістю шарів. Виявлено ряд особливостей дисперсії, згасання та розподілу потоків енергії поверхневих хвиль у неоднорідних феритових структурах. Теоретично обгрунтовано методику визначення магнітних параметрів феритових плівок за спектрами магнітостатичних хвиль. Наведено ефективні алгоритми обробки спектрів та рекомендації щодо зменшення впливу похибок на результати.

  Скачати повний текст

Досліджено, що значні зміни хімічного складу шарів пористого кремнію під впливом термічних обробок спостерігаєгься у зразках, відпалених за Т > 250 °С. Показано, що механізм газової чутливості структур з шаром пористого кремнію за адсорбції водню або сірководню полягає у вбудові додаткового заряду на межу поділу Pd/пористого кремню (ПК). Висвітлено зміни морфології поверхні та хімічного складу шару ПК за електрохімічного осадження міді та показано, що використання таких шарів в газових сенсорах призводить до підвищення чутливості структур до дії сірководню.

  Скачати повний текст

Розроблено фізичні засоби функціонування перетворювачів магнітного поля на основі епітаксійних плівок ферогранатів (ЕПФГ) з напрямком спонтанної намагніченості, близьким до площини плівки, та способи одержання таких плівок з наперед заданими властивостями, оптимізованими за характеристиками перетворення. Досліджено магнітну анізотропію, доменну структуру та процеси перемагнічування в ЕПФГ із змішаною кубічною та одновісною магнітною анізотропією, доменну структуру та процеси перемагнічування в ЕПФГ зі змішаною кубічною і одновісною магнітною анізотропією. Побудовано математичні моделі первинних перетворювачів (системи магнітооптичної візуалізації, індукційного та магнітооптичного первинних перетворювачів магнітного поля). Наведено вимоги до їх активних середовищ. Висвітлено технологічні способи отримання необхідних ЕПФГ методом рідинно-фазної епітаксії. Здійснено комплексні дослідження магнітних, магнітоанізотропних і магнітооптичних властивостей одержаних ЕПФГ.

  Скачати повний текст

Одержано зонно-енергетичну діаграму бромиду індію та ефективні маси вільних носіїв заряду. Встановлено генезис валентних зон та нижніх зон провідності InBr. Розраховано розподіл густини станів, виміряно фотоелектронний спектр у широкому енергетичному діапазоні, проаналізовано структуру, досліджено генетичне та просторове походження основних смуг та вплив особливостей Ван Хова на формування функції густини станів. Проведено розрахунок повної енергії, визначено рівноважні параметри основного стану кристала та атомні характеристики InBr. Проаналізовано природу виміряних у широкій енергетичній області (до 30 еВ) поляризованих спектрів відбивання за температури рідкого гелію з використанням обчислених за співвідношенням Крамерса - Кроніга оптичних функцій монокристалів InBr. Розраховано міжзонні матричні елементи дипольного моменту та спектри уявної частини діелектричної проникності для різних поляризацій світла. Проведено ідентифікацію головних особливостей оптичних спектрів броміду індію.

  Скачати повний текст

Розвинуто прямий експериментальний метод визначення функції енергетичного розподілу локалізованих станів (ЛС) у напівізолюючих твердих тілах з ВАХ струмів, обмежених просторовим зарядом, одержаних за довільних температур, який базується на розв'язку рівняння Фредгольма 1-го роду методом регуляризації Тихонова. Метод застосовано для вивчення спектра ЛС у полікристалічних плівках CdTe, одержаних у квазізамкненому об'ємі на провідних підкладках.

  Скачати повний текст

Проведено експериментальне вивчення процесів взаємодії електронів середніх енергій (100 - 1 000 еВ) у поверхневій області плівкових мішеней Al, In та Ge методом спектроскопії характеристичних втрат енергії електронів (ХВЕЕ), що відбиваються від твердого тіла. Запропоновано новий підхід щодо кількістних досліджень спектрів ХВЕЕ, у межах якого розроблено дві методики визначення компонентів спектрів, що базуються на моделях взаємодії електронів у твердому тілі. На підставі вивчення форм компонетів спектрів ХВЕЕ плівок Al, In та Ge, виміряних за різних кутів падіння, виходу та розсіяння електронів у діапазоні енергій первинних електронів 300 - 800 еВ виявлено додатний характер дисперсії поверхневого плазмону для In та від'ємний для Al та Ge. Встановлено пік мультипольного поверхневого плазмону в компонентах спектрів ХВЕЕ Al та Ge. За різних значень енергії первинних електронів визначено кутові залежності інтенсивностей піків одно- та двократних втрат енергій, нормованих на інтенсивність піка пружно відбитих електронів. Встановлено, що для спектрів ХВЕЕ In та Ge нормовані інтенсивності піків, пов'язаних зі збудженням об'ємного плазмону, складним немонотонним чином суттєво залежать від кута розсіяння електронів. Зазначено імовірний вплив величини кута розсіяння електронів на зміну характеру залежностей нормованої інтенсивності піка об'ємного плазмону від енергії первинних електронів. Доведено, що нормована інтенсивність піка мультипольного поверхневого плазмону, оцінку якої вдалося виконати для спектрів ХВЕЕ Al майже не залежить від кутів падіння та виходу електронів і зменшується у випадку збільшення енергії первинних електронів.

  Скачати повний текст

Експериментально та теоретично встановлено, що в епітаксіальних плівках ферит-гранатів з перпендикулярною анізотропією та підвищеною коерцитивністю існує температурний гістерезис доменної структури. Показано, що у певному співвідношенні констант одноосьової та ромбічної анізотропій в епітаксіальних плівках ферит-гранатів з кристалографічною орієнтацією поверхні може існувати анізотропія типу "похила легка площина".

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст