Проведено дослідження та здійснено практичне використання закономірностей впливу компенсації, яка змінювалась за рахунок стехіометрії або опромінення різними видами радіації, на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних та атомарних напівпровідників і сенсорів на їх основі. На підставі результатів дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe виявлено всі закономірності, передбачені теорією, і показано, що дані кристали можна використовувати як модель аморфного напіпровідника.

  Скачати повний текст

Розроблено нові й удосконалено існуючі апаратні та програмні методи та засоби опрацювання вихідних сигналів дозиметричних детекторів (ДД), які дозволяють істотно покращити метрологічні характеристики дозиметричних пристроїв (ДП). Доведено можливість ефективного використання число-імпульсних функціональних перетворювачів для побудови універсального цифрового інтенсиметра з масштабуванням вимірюваних величин і компенсацією мертвого часу ДД. Вирішено завдання вибору параметрів ДД і засобів опрацювання їх вихідних сигналів у разі розширення діапазону вимірювання потужності експозиційної дози (ПЕД) з використанням додаткового низькочутливого ДД. Удосконалено метод розширення динамічного діапазону ДП шляхом відновлення вихідного імпульсного потоку ДД з нормуванням їх мертвого часу. Проаналізовано результати використання методу залежної лічби, адаптованого для вимірювання ПЕД. Запропоновано новий алгоритм роботи пошукових ДП з блоками детектування низької чутливості. Визначено статистичні характеристики імпульсного потоку на виході ДД з урахуванням його мертвого часу, що дозволяє проектувати ДП з заданими характеристиками за мікропроцесорної корекції результатів вимірювання ПЕД. Результати наукового дослідження використано у процесі розробки ДП різного призначення.

  Скачати повний текст