![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.22$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2537
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots = Ємнісна спектроскопія InAs самоорганізованих квантових точок / P. M. Martin, A. E. Belyaev, L. Eaves, P. C. Main, F. W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 7-12. - Библиогр.: 16 назв. - англ.Ємнісна спектроскопія використується для дослідження електронних властивостей само-організованих InAs квантових точок. Вимірювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емності, C(B), дозволяють досліджувати електростатичний профіль однобар'єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, які містять в AlAs бар'єрі шар само-організованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов'язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повністю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар'єрі, що, на нашу думку, пов'язано з іонізованими дефектами чи домішками, які обумовлені квантовими точками. Показано, що міра компенсації суттєво залежить від ростових умов. Ключ. слова: MBE growth, InAs quantum dots, capacitance spectroscopy Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices = Характеристики коругованості інтерфейсу в короткоперіодних надгратках GaAs/AlAs / L. Daweritz, H. Grahn, R. Hey, B. Jenichen, K. Ploog, D. Korbutyak, S. Krylyuk, Yu. Kryuchenko, V. Litovchenko // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 45-49. - Библиогр.: 12 назв. - англ.Методом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей. Ключ. слова: Superlattice, Corrugation, Polarization, Photoluminescence Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314 + В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Auleytner J. Comprehensive Investigation of Geometric Disorder of GaAs Surfaces by Complementary Methods = Дослідження геометричного непорядку поверхонь GaAs / J. Auleytner, T. Barlas, I. Dmitruk, N. Dmitruk, O. Yastrubchak, D. Zymierska // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 2. - С. 230-235. - Библиогр.: 7 назв. - англ.Шорсткі поверхні GaAs різної морфології, отримані хімічно-механічною поліровкою та анізотропним травленням, розгянуто як геометрично невпорядковані системи з керованим ступенем невпорядкованості. Для їх дослідження та кількісного статистичного опису використано мікроскопію атомних сил і профілометрію. Вплив геометричної невпорядкованості на розсіяння електромагнітних хвиль досліджено в широкому спектральному діапазоні від Х-променів до інфрачервоного світла. Вдосконалення кристалічної структури анізотропно травленого підповерхневого шару підтверджено результатами експериментів з ослабленого повного внутрішнього відбивання (ОПВВ) і комбінаційного розсіяння світла. Незвичайно посилені смуги поверхневих поляритонів для поверхні дендритної морфології спостережено у спектрах ОПВВ і комбінаційного розсіяння. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Prudnikov A. Influence of oxygen dopant in silicon on pressure-induced phase transitions / A. Prudnikov, A. Misiuk, J. Hartwig, B. Efros, J. Bak-Misiuk // Физика и техника высоких давлений. - 2001. - 11, № 1. - С. 117-121. - Библиогр.: 9 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique = Дослідження умов росту, кристалічної структури та морфології поверхні плівок SmS, виготовлених методом МОГФЕ / N. M. Volodin, L. V. Zavyalova, A. I. Kirillova, I. V. Prokopenko, A. V. Khanova // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 78-83. - Библиогр.: 9 назв. - англ.Отримано полікристалічні плівки SmS MOCVD-методом із застосуванням ряду дітіокарбаматів, які синтезовані різноманітними способами. Досліджено кінетику росту і температурні залежності швидкості росту плівок, які дозволили визначити енергії активації, тип реакції; проведено дослідження структури і морфології поверхні плівок. Визначено технологічні умови, які забезпечують виготовлення однофазних плівок SmS кубічної модифікації з найбільш впорядкованою кристалічною структурою. Ключ. слова: samarium monosulphide, structure, morphology, MOCVD-technique Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands = Поглинання світла D-мірними органічними напівпровідниками за наявністю екситонних переходів між широкими смугами / N. I. Grigorchuk // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 25-30. - Библиогр.: 21 назв. - англ.В рамках дипольного наближення розраховується форма лінії вбирання світла при екситонних переходах між широкими зонами в одно-, дво- і тривимірних органічних напівпровідникових структурах. Враховується загасання екситона на неоднорідностях гратки як параметр, не залежний від частоти. Отримані аналітичні вирази дозволяють аналізувати форму лінії для структур різної просторової розмірності в залежності від різниці ширини зон, параметра загасання і температури. Ключ. слова: низьковимiрнi органiчнi кристали, поглинання свiтла, екситоннi переходи Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Beletskii N. N. Surface magnetoplasma waves in semiconductor structures = Поверхневі магнітоплазмові хвилі у напівпровідникових структурах / N. N. Beletskii, V. M. Yakovenko // Укр. фіз. журн. - 1998. - 43, № 11. - С. 1416-1424. - Библиогр.: 12 назв. - англ.Наведено результати оригінальних теоретичних досліджень дисперсійних та поляризаційних властивостей поверхневих магнітоплазмових хвиль у напівпровідникових структурах, одержані за останні роки в ІРЕ НАН України. Передбачено та вивчено властивості нових типів лінійних та нелінійних поверхневих магнітоплазмових хвиль. Обговорено можливості експериментального дослідження цих хвиль та показано область їх практичного застосування. Ключ. слова: Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit = Теоретичний підхід до електродифузії мілких донорів в напівпровідниках: I. Стаціонарний випадок / N. I. Kashirina, V. V. Kislyuk, M. K. Sheinkman // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 41-44. - Библиогр.: 12 назв. - англ.Дається аналіз можливості розподілу рухомих точкових дефектів в напівпровіднику після дії на нього електричного поля до встановлення стаціонарних умов. Розглядаються два способи прикладання напруги: а) безпосередньо до зразка, б) до обкладинок конденсатора, між якими поміщається зразок. Модель також можна застосовувати для електричних полів будь-якої природи - як зовнішніх так і внутрішніх, що виникають, наприклад, на контакті метал-напівпровідник. Ключ. слова: Electrodiffusion, CdS, mobile donors Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Гутніченко О. А. Визначення критичної концентрації провідної фази в зернистих гетерогенних системах / О. А. Гутніченко // Вісн. Житомир. інж.-технол. ін-ту. Техн. науки. - 1999. - № 9 . - С. 47-55. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Визначено вплив пористості та відношення розмірів частинок провідника і діелектрика на критичну концентрацію провідної фази в зернистих гетерогенних системах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69027 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Фодчук И. М. Влияние одномерных деформаций на формирование изображений микродефектов на рентгеновских секционных топограммах / И. М. Фодчук, Н. Д. Раранский, С. Н. Новиков, С. В. Бобровник // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - 22, № 1. - С. 69-76. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Числовим рішенням системи рівнянь Такагі досліджено вплив модельних спотворень вихідної та вхідної поверхонь на формування зображень мікродефектів на секційних топограмах у кристалах Si. У випадку слабкого експоненціального згину вхідної поверхні кристала відбувається підсилення прямої складової зображення, розмиття проміжної і підсилення або заглушення динамічної складової зображення - в залежності від місця знаходження мікродефекту. У разі експоненціального згину відбиваючих площин спостережено заглушення прямої складової зображення і перекидання інтенсивності в центр проміжної області зображення. Ключ. слова: рентгеновская топография, динамическое рассеяние рентгеновских лучей Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Родіонов В. М. Вплив домішки азоту на процеси випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінації в кубічному карбіді кремнію / В. М. Родіонов, В. Я. Братусь // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 9. - С. 979-984. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.Radiative recombination of free exitons and nonradiative recombination of electrons and holes in various pyramids of growth are studied with photoelectric and luminescence techniques. It is shown that the radiative quantum efficiency and electron stationary lifetime depend mainly on the uncontrolled content of the nitrogen impurity. The inhomogeneous distribution of nitrogen over various pyramids of growth is found by the method of electron paramagnetic resonance (EPR). Asymmetry of the EPR lineshape indicates also the presence of additional paramagnetic defects. A rise of the nitrogen concentration results in an increase of the luminescence efficiency and a decrease of the electron lifetime in accordance with theoretical calculations. Furthermore, the degree of crystal perfection influences the luminescence quantum efficiency and lifetime of electrons. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Романова Д. В. Вплив електромагнітних променів на структуру напівпровідникових стекол / Д. В. Романова // Фіз.-хім. механіка матеріалів. - 1999. - № 6. - С. 115-116. - Бібліогр.: 5 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Бончик О. Ю. Вплив напружень на дифузію домішок під час лазерного твердофазного легування кремнію / О. Ю. Бончик, С. Г. Кияк, Г. В. Похмурська, О. В. Фльорко, В. Ф. Чекурін // Фіз.-хім. механіка матеріалів. - 2000. - 36, № 3. - С. 21-26. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований диффузии примесей в монокристаллические пластины кремния при воздействии лазерного инфракрасного излучения и влияния напряжений на этот процесс. Рассмотрен лазерный нагрев пластины путем облучения всей ее поверхности однородным пучком и сканирования поверхности узким пучком. Во втором случае температурные напряжения достигают границы текучести материала, о чем свидетельствуют значительные искажения кристаллической решетки и остаточные напряжения. Предложена математическая модель для описания механотермодиффузионных процессов, воспроизводящая форму экспериментальных диффузионных кривых. Исследования выявили способы целенаправленного влияния на свойства диффузионных слоев, в частности, на концентрационный профиль. Если при легировании создать упругую деформацию, изменяющуюся по толщине, то, в зависимости от знака градиента деформации, можно приблизить либо отдалить максимум концентрационной кривой от поверхности пластины. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.256 + З844.1-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Панчеха П. А. Гетерофазность и политекстура пленок теллурида кадмия, конденсированных из ионно-молекулярного потока / П. А. Панчеха, О. Г. Алавердова, В. И. Гнидаш // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 1. - С. 75-80. - Библиогр.: 14 назв. - рус.Проаналізовано фактори, які визначають утворення дискретного набору переважних орієнтацій зерен у плівках CdTe. Доведено, що орієнтації зумовлено процесами подвоєння і періодичної зміни фаз сфалерит - вюрцит. Дані процеси є наслідком порушення послідовності пакування щільнопакованих площин (111) сфалериту та (0001) вюрциту під час росту кристалів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.251
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Голокоз П. П. Гидрогенизация аморфного кремния методом низкоэнергетичной имплантации изотопов водорода / П. П. Голокоз, А. В. Коваленко, Н. Ф. Коломиец, В. В. Скурский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 154-156. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Исследована возможность гидрогенизации пленок аморфного кремния методом низкоэнергетичной ионной имплантации. Получены температурные зависимости удельного сопротивления аморфного кремния, выращенного методом газофазного осаждения при разложении силана, дегидрогенизированного аморфного кремния и постгидрогенизированного методом ионной имплантации с последующим отжигом. Подтверждена возможность гидрогенизации плоскостных аморфных кремниевых структур имплантируемыми низкоэнергетичными ионами изотопов водорода, что расширяет технологические возможности создания высокоэффективных тритиевых батарей - атомных элементов питания. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Глинчук К. Д. Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 58-63. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Изучены при 77 К зависимости положения максимума и полуширины краевой полосы люминесценции в полуизолирующих специально нелегированных кристаллах GaAs от содержания в них фоновых легкоионизируемых примесей C и Si. Установлено, что повышение их концентрации приводит к сдвигу в низкоэнергетическую область положения ее максимума и увеличению ее полуширины. Наблюдаемый эффект в основном связан с уширением экситонной составляющей краевой полосы люминесценции вследствие повышения эффективности излучательной аннигиляции свободных экситонов при их взаимодействии с легкоионизируемыми примесями C и Si. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Богуславская Н. Н. Измерение электрофизических параметров тонких слоев карбида кремния методом спектроскопии ИК отражения / Н. Н. Богуславская, Е. Ф. Венгер, Ю. А. Пасечник // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 161-176. - Библиогр.: 31 назв. - рус.Разработана методика измерения электрофизических параметров тонких монокристаллических слоев карбида кремния на монокристаллах карбида кремния методом ИК спектроскопии. Дисперсионный анализ спектров отражения позволил определить частоты и коэффициенты затухания фононов и плазмонов в слоях карбида кремния, которые изменяются в зависимости от технологии получения и обработки слоев карбида кремния. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Багацкая О. В. Импедансный подход к решению задачи об отражении плоской электромагнитной волны от многослойной пластины из одноосного магнитодиэлектрика / О. В. Багацкая, С. Н. Шульга // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна. - 2001. - № 513. - С. 25-31. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Получены компактные инвариантные соотношения рекуррентного типа для последовательного расчета диады импеданса параллельных слоев из одноосного однородного магнитодиэлектрика. Предложенные формулы, образующие основу быстродействующего алгоритма для расчетов на ЭВМ, проиллюстрированы путем расчета коэффициентов отражения плоской волны от плавнонеоднородной анизотропной пластины. Індекс рубрикатора НБУВ: В336.3 + В379.326 + В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Горбик П. П. Исследование поверхностно-барьерных структур на основе поликристаллического CdS при облучении моноэнергетическими потоками электронов / П. П. Горбик, А. В. Комащенко, В. М. Огенко, С. Ю. Павелец, В. Д. Фурсенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 108-111. - Библиогр.: 7 назв. - рус.На основании экспериментальных результатов, полученных при облучении моноэнергетическими потоками электронов с энергией до 30 кэВ, сделан вывод о том, что поверхностно-барьерные структуры на основе поликристаллического CdS перспективны для разработки эффективных детекторов бета-излучения "мягких" энергий. Преимуществами таких структур являются высокие токовая и вольтовая чувствительности, а также линейная в широком динамическом диапазоне дозиметрическая характеристика. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В383.33
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Авраменко С. Ф. Исследование структурных дефектов в объемных кристаллах карбида кремния / С. Ф. Авраменко, М. Я. Валах, В. С. Киселев, М. Я. Скороход // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - 22, № 3. - С. 33-39. - Библиогр.: 6 назв. - рус.За допомогою проекційної рентгенівської топографії та оптичної мікроскопії на проходження і відбиття досліджено структурні дефекти в об'ємних кристалах (булях) карбіду кремнію, вирощених сублімаційним методом Лелі. Було виявлено лінійні дислокації, дислокаційні петлі, проникнення сторонніх фаз, трубчасті пори (мікротрубки) та блоки. Проаналізовано причини виникнення більшості дефектів у SiC-булях. Дослідження показали, що модифікований метод Лелі дає можливість одержувати достатньо досконалі об'ємні кристали карбіду кремнію з низькою щільністю дислокацій та мікротрубок. Ключ. слова: карбид кремния, метод Лели, дислокация, дислокационная петля, микротрубка, рентгеновская топограмма Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|