Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (1)Книжкові видання та компакт-диски (53)Журнали та продовжувані видання (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Власенко А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 64
Представлено документи з 1 до 20
...

      
Категорія:    
1.

Власенко А. Г. 
Переменные аэродинамические силы в решетках турбинных лопаток : Дис...канд.техн.наук:05.04.12 / А. Г. Власенко; ХПИ. - Х., 1993. - 111 с. - Библиогр.:с.102-111 - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З363-044 + З363-011.41

Рубрики:

Шифр НБУВ: ДС40583 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Власенко А. Г. 
Переменные аэродинамические силы в решетках турбинных лопаток : Дис...канд.техн.наук:05.04.12 / А. Г. Власенко; ХПИ. - Х., 1993. - 111 с. - Библиогр.:с.102-111 - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З363-044 + З363-011.41

Рубрики:

Шифр НБУВ: ДС40583 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Власенко А. Г. 
Переменные аэродинамические силы в решетках турбинных лопаток : Дис...канд.техн.наук:05.04.12 / А. Г. Власенко; ХПИ. - Х., 1993. - 111 с. - Библиогр.:с.102-111 - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З363-044 + З363-011.41

Рубрики:

Шифр НБУВ: ДС40583 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
4.

Власенко А. Г. 
Переменные аэродинамические силы в решетках турбинных лопаток : Дис...канд.техн.наук:05.04.12 / А. Г. Власенко; ХПИ. - Х., 1993. - 111 с. - Библиогр.:с.102-111 - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З363-044 + З363-011.41

Рубрики:

Шифр НБУВ: ДС40583 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Власенко А. И. 
Варизонные пленки Cdsub1-x-y/sub(Mn, Zn)suby/subHgsubx/subTe на подложках Cdsub1-y/sub(Zn, Mn)suby/subTe, полученные парофазной эпитаксией: профили состава и фотопроводимость / А. И. Власенко, В. Н. Бабенцов, З. К. Власенко, А. В. Понедилок, В. В. Кременицкий, И. В. Курило, И. А. Рудый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 174-180. - Библиогр.: 15 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В377.142

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
6.

Власенко А. И. 
Фотоэлектрические свойства варизонных слоев CdHgTe и iр - n/i-структур на их основе / А. И. Власенко, З. К. Власенко, А. В. Любченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 81-90. - Библиогр.: 19 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Власенко А. М. 
Фундамент з дрібнорозмірних бетонних блоків / А. М. Власенко, Т. В. Прилипко // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 1999. - № 3. - С. 5-8. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.

Запропонована конструкція збірно-монолітного фундаменту з дрібнорозмірних бетонних блоків. Конструкція фундаменту забезпечує надійне передавання зусиль на основу, дозволяє зменшити витрати матеріалів при зведенні фундаментів малоповерхових житлових будинків садибного типу, що значно знижує вартість таких об'єктів.


Індекс рубрикатора НБУВ: Н581.33

Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Власенко А. И. 
Преобразование системы дефектов в твердых растворах теллуридов кадмия, ртути в процессе естественной деградации / А. И. Власенко, З. К. Власенко, А. В. Любченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 185-192. - Библиогр.: 19 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
9.

Власенко А. И. 
Фотоэлектронные процессы в поликристаллических слоях Cdsub; ix/i; /subHgsub1 - ix/i; /subTe на арсениде галлия / А. И. Власенко, В. А. Гнатюк, Е. С. Городниченко, А. В. Ломовцев, П. Е. Мозоль, И. В. Прокопенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 5-16. - Библиогр.: 17 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В377.141

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
10.

Власенко А. М. 
Оцінка прогину поверхні адаптивного пригрузу / А. М. Власенко, Н. М. Слободян // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 2000. - № 6. - С. 14-17. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.

Запропоновано методику визначення з стріли та прогину еластичного пригрузу залежно від параметрів пристрою.


Індекс рубрикатора НБУВ: Н626.205-5

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Паустовский А. В. 
Лазерная обработка толстых пленок на основе порошковых композиций борида никеля / А. В. Паустовский, Б. М. Рудь, Е. Я. Тельников, А. И. Власенко, В. Е. Шелудько, А. Б. Смирнов // Порошковая металлургия. - 2002. - № 3-4. - С. 8-12. - Библиогр.: 12 назв. - рус.


Ключ. слова: теплопровідність, температуропровідність, дифузне відбиття, індикатриса, лазерна обробка, випромінювання, тривалість імпульсу, порошкова композиція
Індекс рубрикатора НБУВ: К391.910.8

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
12.

Сукач Г. А. 
Физико-математическая модель роста тонких пленок GaN при обработке кристаллов GaAs в атомарном азоте / Г. А. Сукач, В. В. Кидалов, А. И. Власенко, М. Б. Котляревский, Е. П. Потапенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 91-98. - Библиогр.: 9 назв. - рус.

Предложена физико-математическая адсорбционно-десорбционно-кристаллизационная модель роста тонких пленок GaN на подложках GaAs при обработке их в активных радикалах азота. Проанализированы термодинамика, кинетика и два физико-химических механизма роста тонких пленок GaN на поверхности монокристаллических подложек GaAs. Первый квазиэпитаксиальный механизм роста осуществляется, когда родикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, вытягивают из его объема атомы Ga и на поверхности базового кристалла вырастают новые слои GaN, второй - когда активные радикалы азота, адсорбированные на поверхности GaAs, диффундируют в объем подложки и эпитаксиальная пленка GaN растет по диффузионному механизму.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
13.

Власенко А. М. 
Матеріалознавство для студентів теплоенергетичних спеціальностей : Навч. посіб. / А. М. Власенко, О. Ю. Співак; Вінниц. держ. техн. ун-т. - Вінниця, 2002. - 100 c. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.

Наведено відомості про основи матеріало- та металознавства. Розглянуто теорію термічної обробки металів. Описано технологічні властивості та проблеми використання основних конструкційних та експлуатаційних матеріалів. Проаналізовано вплив легуючих елементів на властивості сталі. Охарактеризовано сплави з особливими електрофізичними властивостями.


Індекс рубрикатора НБУВ: К2 я73

Рубрики:

Шифр НБУВ: ВА622108 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
14.

Паустовский А. В. 
Оптические характеристики резистивных толстых пленок системы стеклосвязующее + бориды металлов в условиях лазерного облучения / А. В. Паустовский, Б. М. Рудь, Е. Я. Тельников, В. Е. Шелудько, А. И. Власенко, А. Б. Смирнов // Доп. НАН України. - 2002. - № 1. - С. 106-110. - Библиогр.: 14 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
15.

Власенко А. М. 
Робоча професія для студентів теплоенергетичних та будівельних спеціальностей : Навч. посіб. Ч. 1. Технологія металів / А. М. Власенко, О. Ю. Співак; Вінниц. нац. техн. ун-т. - Вінниця, 2003. - 76 c. - укp.

Викладено основи отримання, використання різних видів обробки металів та їх сплавів. Описано способи виготовлення металевих деталей за допомогою основних технологічних операцій: різання, кування, штампування, витягування, волочіння. Висвітлено основні терміни технології металів та обладнання для отримання і обробки металів та їх сплавів.

Изложены основы получения, использования разных видов обработки металлов и их сплавов. Описаны способы изготовления металлических деталей с помощью основных технологических операций: резание, ковка, штампование, вытягивание, волочение. Освещены основные термины технологии металлов и оборудования для получения и обработки металлов и их сплавов.


Індекс рубрикатора НБУВ: К1/3 я73 + К5 я73

Рубрики:

Шифр НБУВ: В347388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
16.

Байдуллаева А.  
Лазерноиндуцированное квазиупорядочение наноразмерных дефектных структур в кристаллах CdTe / А. Байдуллаева, А. И. Власенко, П. Е. Мозоль // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2004. - 2, вип. 2. - С. 453-460. - Библиогр.: 15 назв. - рус.


Ключ. слова: динамика модификации поверхности, CdTe, наноразмерные дефекты кристаллического строения
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602 + К232.609.1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
17.

Власенко А. И. 
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А. И. Власенко, З. К. Власенко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 6. - С. 7-10. - Библиогр.: 16 назв. - рус.

Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения. Показано, что к увеличению квантового выхода излучательной рекомбинации в межзонном рекомбинационном процессе в кристаллах n- и p-типов во всем диапазоне уровней легирования приводят уменьшение температуры и увеличение ширины запрещенной зоны, а в кристаллах p-типа также легирование акцепторными дефектами в определенных пределах, зависящих от состава материала.

The calculation of the quantum yield inherent to the interband radiative recombination in CdHgTe crystals has been performed taking into account their composition, doping level, temperature as well as optical excitation level. It has been shown that the observed increase in the radiative recombination yield characterizing the recombination process in n- and p-types crystals within all the range of doping levels is caused by decreasing the temperature and growing forbidden gap width. In p-type crystals the same effect is also reached by doping with acceptor defects within definite limits depending on the material composition.


Ключ. слова: CdHgTe, фотопроводимость, рекомбинация, люминесценция.
Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142 + В374

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
18.

Прихна Т. А. 
Формирование сверхпроводящего соединения между блоками плавленой текстурированной керамики на основе иттрия / Т. А. Прихна, В. Б. Свердун, В. Е. Мощиль, Н. В. Сергиенко, А. А. Кордюк, Р. В. Визниченко, А. В. Власенко, С. Н. Дуб, Л. И. Александрова, А. Ю. Коваль, В. Гавалек, А. Б. Сурженко, М. Вендт, Л. С. Успенская // Сверхтвердые материалы. - 2004. - № 4. - С. 57-68. - Библиогр.: 20 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: Л428

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
19.

Власенко А. И. 
Особенности фотопроводимости узкощелевых полупроводников AVB2DBVB6D: (Обзор) / А. И. Власенко, С. Г. Гасан-заде, Е. А. Сальков, Г. А. Шепельский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2005. - Вып. 40. - С. 47-60. - Библиогр.: 34 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
20.

Головко Э. И. 
Использование дериватографических исследований для аттестации наноструктурных материалов / Э. И. Головко, О. В. Пишук, В. А. Боголепов, Н. С. Аникина, Г. А. Войчук, А. Ю. Власенко, С. Ю. Загинайченко, Е. А. Лысенко, Д. В. Щур // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2005. - 3, вип. 3. - С. 633-643. - Библиогр.: 3 назв. - рус.


Ключ. слова: графит, фуллерит, углеродные наноструктурные материалы, сажа, окисление, термогравиметрия, дифференциально-термический анализ
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + Г124.1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 


...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського