Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В377.142

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В377.142

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения. Показано, что к увеличению квантового выхода излучательной рекомбинации в межзонном рекомбинационном процессе в кристаллах n- и p-типов во всем диапазоне уровней легирования приводят уменьшение температуры и увеличение ширины запрещенной зоны, а в кристаллах p-типа также легирование акцепторными дефектами в определенных пределах, зависящих от состава материала.

The calculation of the quantum yield inherent to the interband radiative recombination in CdHgTe crystals has been performed taking into account their composition, doping level, temperature as well as optical excitation level. It has been shown that the observed increase in the radiative recombination yield characterizing the recombination process in n- and p-types crystals within all the range of doping levels is caused by decreasing the temperature and growing forbidden gap width. In p-type crystals the same effect is also reached by doping with acceptor defects within definite limits depending on the material composition.

Розвинуто метод розрахунку високочастотної провідності невпорядкованих сплавів і напівпровідників з урахуванням електрон-фононної та електрон-електронної взаємодій. Метод грунтується на теорії багаторазового розсіяння. Одержано кластерний розклад для двочастинкової функції Гріна (електропровідності) невпорядкованої системи. Як нульове одновузлове наближення в цьому розкладі вибирається наближення когерентного потенціалу. Досліджено вплив атомного впорядкування на високочастотну провідність еквіатомного сплаву Fe - Co. Показано, що побудована теорія дає можливість описати ефекти, пов'язані зі зміною енергетичного спектра електронів під час впорядкування, а також температурну та концентраційну залежності електропровідності невпорядкованих сплавів і напівпровідників.

Изучен отклик неравновесной двумерной электронной системы на постоянное измерительное электрическое поле в случае, когда система выведена из равновесия переменным магнитным СВЧ полем, которое приводит к комбинированным переходам с участием спин-орбитального взаимодействия. Показано, что такое возмущение электронной системы вызывает новые осцилляции диагональных компонент тензора проводимости, зависящие от отношения частоты излучения к циклотронной частоте.

Розглянуто методику числового розв'язку фундаментальної системи рівнянь під час аналізу стаціонарної фотопровідності. Запропоновано метод лінеаризації виразів для швидкості рекомбінації у наближенні часу життя. Одержану систему рівнянь розв'язано за допомогою методу скінченних різниць. Досліджено оптимальний вибір виразів для апроксимації похідних нормувальних коефіцієнтів, стійкість і збіжність різницевої схеми.

Наведено теоретичний опис вольт-амперної характеристики та фотогальванічного ефекту систем, сформованих із двох органічних шарів та електродів. Модель грунтується на припущенні, що один органічний шар має лише електронну, а другий - лише діркову провідності. Припускаючи, що електричне поле є постійним, одержано прості співвідношення, що описують вольт-амперну залежність і струм короткого замикання. Вплив просторового заряду органічних шарів на можливість захоплення носіїв заряду покладено в основу числових розрахунків. Одержані результати дозволили оцінити вплив електродів, пасток носіїв заряду та генераційно-рекомбінаційних процесів на фотогальванічні властивості органічних двошарових систем.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142 + З854.225

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив газів на фотоелектричні процеси на межі розподілу металів і неорганічних напівпровідників з плівками фталоціанінів з неплоскою структурою молекул різних поліморфних модифікацій. За одержаними результатамив визначено основні параметри енергетичної структури та побудовано енергетичні діаграми нейтральних і змішаних станів у різних поліморфних модифікаціях фталоціанінів неплоскої структури. Вперше запропоновано й експериментально доведено узагальнену формулу адсорбції кисню фталоціанінами. Обгрунтовано механізм взаємодії даних сполук з донорними газами. Визначено шляхи покращання чутливості та селективності бар'єрних сенсорів газів на основі плівок фталоціанінів.

Проведено дослідження одержаних в одноелектронному наближенні оптичних властивостей малих неоднорідних кластерів з металевою оболонкою (нанооболонок і металевих нанотрубок). Відзначено її домінуючу роль у процесі формування оптичних властивостей кластера. Для тонкої металевої оболонки у формі сфери, циліндра або витягнутого еліпсоїда обертання вперше знайдено хвильову функцію електрона, спектр його енергій і хвильових чисел, а також матричні елементи відповідних оптичних переходів. Вперше знайдено класичну (без урахування квантових ефектів) оптичну провідність металевих оболонок трьох вищезгаданих геометрій. Встановлено суттєву залежність оптичних властивостей від форми оболонки і поляризації падаючого на неї світла (для її несиметричних видів). Вперше знайдено поправки до оптичної провідності, що враховують квантові ефекти (дискретність електронного спектра) для трьох вищеназваних геометрій оболонки. Встановлено осцилюючий характер залежності даних поправок від частоти світла, що падає на оболонку. Проведено узагальнення використання для трьох геометрій малої оболонки схем обчислення провідності у єдину систему. Обгрунтовано можливості застосування нової схеми обчислення для оболонки у формі еліптичного циліндра та сплюснутого еліпсоїда обертання.

Висвітлено основи класичної кінетичної теорії фотолюмінесценції та фотопровідності кристалофосфорів, особливості збудження люмінесценції іонізуючим випромінюванням і основи кінетичної теорії рентгенолюмінесценції та рентгенопровідності. Розглянуто основні процеси генерації та релаксації електронних збуджень.

Изложены основы классической кинетической теории фотолюминесценции и фотопроводимости кристалофосфоров, особенности возбуждения люминесценции ионизирующим излучением и основы кинетической теории рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости. Рассмотрены основные процессы генерации и релаксации электронных возбуждений.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142 + Г124.2-23

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Силіцій (кремній)

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено електропровідні властивості сендвіч-структур на основі плівок полімерів фотопровідного полі-N-епоксипропілкарбазолу та нефотопровідного полівінілетилалю, допованих катіонними, аніонними, нейтральними та внутрішньоіонними органічними барвниками. Показано, що за умов великої концентрації барвника провідність структур на основі тонких полімерних плівок з органокомплексом, на відміну від плівок з іонними та нейтральними барвниками, збільшується на кілька порядків, змінює механізм і слабо залежить від природи полімера. Їх провідність порівнювана з провідністю сендвіч-структур на основі поліфеніленвінілену.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9 + В377.142

Рубрики:

Люмінесценція твердих тіл. Люмінесценція кристалів (кристалолюмінесценція)

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено фоторозрядні характеристики короноелектретів. Запропоновано просту модель релаксації фотопровідних короноелектретів. Ця модель заснована на припущенні про формування внутрішньої протиерс. Одержано вираз для геометричного параметра, що описує протиерс. На підставі експериментальних даних розраховано електропольові й товщинні залежності часу життя вільних носіїв заряду. Підтверджено, що у багатих структурними дефектами кристалах антрацену транспорт дірок обумовлений їх рухом уздовж небазисних крайових дислокацій.

Наведено емпіричну модель спектральної залежності розподілу щільності електронних станів, яка охоплює основні особливості аморфного кремнію. Показано вплив ступеня розупорядкованості аморфної структури на форму і величину хвостів електронних станів валентної зони та зони провідності. Ці хвости в забороненій зоні впливають на багато унікальних властивостей аморфних напівпровідників. Результати можуть бути застосовані для оптимізації технології та моделювання роботи багатьох приладів на основі аморфного кремнію (сонячних елементів, транзисторів та ін).

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.3 + В377.142

Рубрики:

Фізика низьких температур

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Роботу присвячено комплексному дослідженню особливостей релаксації фотозбудження у бар’єрних структурах з нанорозмірними об’єктами InGaAs та Ge/Si і визначенню механізмів фотопровідності у таких гетероструктурах. Визначено роль квантово-розмірних станів нанооб’єктів та енергетичного розупорядкування під час рекомбінацій нерівноважних носіїв заряду в бар’єрних структурах на основі гетеропереходу InGaAs/GaAs та Ge/Si. Показано, що явище довготривалої фотопровідності з неекспоненційною релаксацією фотозбудження, виявлене у структурах з нанооб’єктами, пояснюються просторовим розділенням зарядів збуджених електронно-діркових пар локальними електричними полями та впливом глибоких пасток в оточенні наноструктур. Визначено роль наноструктур у релаксації фотозбудження та розтлумачено явище збільшення часу загасання фотоЕРС та фотоструму під час легування квантових точок InAs домішками донорного типу. Вперше показано, що присутність квантових точок InGaAs в області просторового заряду р-і-п діодів призводить до розширення спектральногодіапазону в 14 область (до 1.2еВ), а їх легування кремнієм збільшує час життя нерівноважних носіїв заряду на порядок.