Запропоновано підхід до визначення міжнародної конкурентоспроможності кредитно-податкової політики Уряду, що базується на ступені оплати праці на конкурентному підприємстві. Особливості застосування цього підходу показано із залученням сучасних реальних даних по Україні та 10 сусідніх з нею державах. Підхід може бути корисним для розробки економічної політики Уряду щодо підвищення конкурентоспроможності вітчизняного виробництва.

На основе действующего законодательства Украины, практики его применения, а также обобщения литературных источников юридического профиля освещена история возникновения государства и права. Раскрыто содержание понятий государства, права, правосознания, правореализации, законности и правопорядка, правомерного и противоправного поведения, юридической ответственности, судопроизводства, правосудия, правоохранительной и правозащитной деятельности. Рассмотрены основы конституционного, трудового, гражданского, экологического, налогового, социального, предпринимательского, жилищного, семейного, административного, уголовного, процессуального права. Проанализирована профессиональная (судебная, правоохранительная и правозащитная) юридическая деятельность в Украине, в частности, органов внутренних дел и прокуратуры, государственной налоговой службы, службы безопасности Украины.

Проанализировано социально-экономическое развитие Донецкой области. Разработаны научно-методические подходы к совершенствованию механизмов социально-экономического развития регионов путем прогнозирования и планирования, совершенствования деятельности свободных экономических зон с учетом зарубежного опыта, комплексного управления жизнедеятельностью города, в котором размещены конкретные промышленные предприятия и социальная инфраструктура, деятельность которых должна быть направлена на повышение жизненного уровня населения.

Розглянуто деякі актуальні проблеми, які виникають в ході розв'язання задач теорії ідентифікації та керування, під час функціонування екологічно небезпечних об'єктів, страхування катастрофічних ризиків. Основну увагу приділено дослідженням, проведеним співробітниками Інституту кібернетики ім. В. М. Глушкова НАН України.

Рассмотрена проблема автоматизации проектирования программ распределенного моделирования. Описаны языки для сосредоточенного и распределенного вариантов имитационного моделирования систем с дискретными событиями. Определены требования к языку нераспределенного моделирования для перехода к распределенному варианту. Обсужден способ автоматического построения распределенной программы моделирования.

The theoretic and information aspects of building the computer oriented lexicographic card-file on the base of a text database and other sources of text data located in arbitrary medium are discussed. The medium can be paper, electronics, telex, facsimile, etc. The directions of implementation the input, analyses, processing and storage subsystems are discussed.

Описано применение идиомы обобщенного программирования к работе с табличной информацией в памяти компьютера. Продемонстрирована возможность использования шаблонных конструкций языка C++ для порождения таблиц произвольной структуры с возможностью их сортировки на основе заданных критериев.

Предложена методика проведения кластерных вычислений в организации без выделения дополнительных вычислительных ресурсов и создано программное обеспечение поддержки этой методики. Предусмотрен универсальный метод управления режимами работы кластерной системы. Создан механизм временной приостановки кластерных вычислений и их возобновления.

Результаты клинического исследования показали высокую эффективность лекарственного препарата Фуцис при остром и хроническом урогенитальном кандидозе (УГК) у женщин. Препарат хорошо переносится больными, побочных эффектов при приеме Фуциса не было, имеет хороший профиль безопасности. Высококомплаентный препарат Фуцис может быть препаратом основного выбора для лечения и профилактики УГК.

Проанализирована тепловая работа печи работающей скрап-процессом. Установлено влияние основных параметров плавки на продолжительность и основные показатели скрап-процесса.

Представлены результаты опытных плавок с обогащением факела кислородом в условиях мартеновского цеха ОАО "ИНТЕРПАЙП НТЗ".

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.24 + К204.2

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Природа сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.3

Рубрики:

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены особенности системологического подхода к исследованию параметров РЭС, в частности, рассмотрены основные понятия системологии для анализа изменения параметров РЭС. Описана структура табличного отображения переменных системы с течением времени. Изложены критерии выбора параметров РЭС, использующихся для построения системологической модели. Разработана методика прогнозирования параметров РЭС и построения модели отказов на основе использования математического аппарата системологии с целью повышения надежности радиоэлектронных модулей.

Представлены результаты исследований магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Методом магнетронного осаждения тонких пленок TiN, TiO{\dn\fs8 2} и МоО{\dn\fs8 х} на подложки из кристаллов Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} изготовлены анизотипные гетеропереходы n-TiN/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}, n-TiO{\dn\fs8 2}/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} и n-MoO/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Исследованы их электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямом и обратном смещениях.

Представлено результати досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Методом магнетронного напилення тонких плівок TiN, TiO{\dn\fs8 2} та МоО{\dn\fs8 х} на підкладки з кристалів Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} виготовлено анізотипні гетеропереходи n-TiN/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}, n-TiO{\dn\fs8 2}/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} і n-MoO/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Досліджено їх електричні властивості і встановлено домінуючі механізми струмопереносу за прямих і зворотних зміщень.

The paper reports on the results of the studies of magnetic, kinetic and optical properties of Cu2ZnSnTe4 crystals. The Cu2ZnSnTe4 crystals showed diamagnetic properties (the magnetic susceptibility almost independent of the magnetic field and temperature). The Cu2ZnSnTe4 crystals possessed p-type of conductivity and the Hall coefficient was independent on temperature. The temperature dependence of the electrical conductivity ? of the Cu2ZnSnTe4 crystal shows metallic character, i. e. decreases with the increase of temperature, that is caused by the lower charge carrier mobility at higher temperature. Thermoelectric power of the samples ispositive that also indicates on the prevalence of p-type conductivity. Heterojunctions n-TiN/p-Cu2ZnSnTe4, n-TiO2/p-Cu2ZnSnTe4 and n-MoO/p-Cu2ZnSnTe4 were fabricated by the reactive magnetron sputtering of TiN, TiO2 and МоОх thin films, respectively, onto the substrates made of the Cu2ZnSnTe4 crystals. The dominating current transport mechanisms in the n-TiN/p-Cu2ZnSnTe4 and n-TiO2/p-Cu2ZnSnTe4 heterojunctions were established to be the tunnel-recombination mechanism at forward bias and tunneling at reverse bias.

Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольтамперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является генерационно-рекомбинационный и туннелирование, при обратных смещениях — туннелирование.

Методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок NiO на підкладки з кристалів CdTe p- та n-типу провідності виготовлено гетероструктури NiO/n-CdTe та NiO/p-CdTe. Досліджено їх темнову і світлову вольтамперні характеристики. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу за прямого зміщення є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання, за зворотнього — тунелювання.

In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases is tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 µÀ/cm2 under illumination 80 mW/cm–2. The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters.

Построено дерево показателей качества пластмассовых деталей. Предложен обобщенный алгоритм оценки уровня качества пластмассовых деталей, который является базой для разработки метода оценки уровня качества пластмассовых деталей. В разработанном алгоритме, в отличие от существующих, введен этап оценки погрешностей уровня качества, который даст возможность повысить точность определения уровня качества пластмассовых деталей.