Індекс рубрикатора НБУВ: З810.21 + Ж.с11

Рубрики:

Мережі Петрі

Математичні методи

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследованы терморезистивные и термоэлектрические характеристики сильнолегированных нитевидных кристаллов Si - Ge, на основе которых создан датчик для измерения криогенных температур, работоспособный в условиях действия магнитных полей.

Thermoresistive and thermoelectric performances of heavily doped Si-Ge whiskers were studied. On the base of the whiskers sensors for cryogenic temperature measurement operating at magnetic field action were designed.

Изложены основные теоретические положения к расчетным работам по динамике материальной точки, контрольные вопросы, упражнения, а также перечень вариантов заданий с примерами выполнения и рекомендациями по оформлению. Некоторые из предложенных заданий предназначены для углубленного изучения отдельными студентами некоторых методов численного решения задач динамики с помощью ЭВМ.

Приведены методы системного анализа и оценки реализуемости сложных проектов, в частности, экспертных оценок, сетевого планирования, статистического анализа и прогнозирования, теории нечетких множеств и отношений, тестирования предприятий, а также научно ориентированные методы принятия решений и экономико-математические методы. Рассмотрены вопросы анализа реализуемости на уровне долго- и среднесрочного планирования. С учетом выделяемого объема финансирования и требуемого качества проекта предложена методика оценки реализуемости долгосрочных планов. Описаны методы оценки выполнения требований к программному обеспечению для сложных проектов и его верификации.

Отмечено, что сочетаемость компонентов внутри наименования обусловлена свойствами сочетающихся денотатов. Эти свойства отражаются в смысловой структуре наименования и предопределяют выбор "партнера" сочетаемости. Обычно наименования компонентов, обладающих свойствами, существенными для получения композиционного материала с заданными характеристиками, входят в наименование данного композиционного материала. Данные свойства отражаются в виде дифференцирующих и доминирующих сем в значении слова.

Рассмотрены вопросы кинематики (точки и плоскопараллельного движения твердого тела). Освещены особенности определения кинематических характеристик движения точки, заданного координатным способом. Определен центральный объект кинематических исследований, представляющий собой механизм совокупности определенным образом соединенных между собой твердых тел, которые перемещаются в пространстве с целью передачи движения.

Рассмотрены основные положения и методы геометрической статики, используемые при определении реакций опор твердого тела, на которое действует плоская система сил. Определены необходимые условия равновесия несвободного тела, а также равновесия плоских составных конструкций. Предложены варианты заданий по статике твердого тела и составных конструкций.

Ключ. слова: нитевидный кристалл, многофункциональный сенсор, датчик давления и температуры, обработка сигнала, микроконтроллер, AD8555, Atmega8.
Індекс рубрикатора НБУВ: З323-5

Рубрики:

Вимірювання тиску і розрідження

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: кремний, пьезосопротивление, тензорезистивный, преобразователь давления, криогенные жидкости, жидкий азот, жидкий гелий
Індекс рубрикатора НБУВ: З323-5

Рубрики:

Вимірювання тиску і розрідження

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Освещены теоретические положения основных разделов кинематики точки, абсолютно твердого тела и деформируемых сплошных сред. Рассмотрены графические и графоаналитические методы кинематического анализа механизмов как геометрические интерпретации соответствующих аналитических подходов. Изложены вопросы об определении положения точки кинематической системы, обозначении производных по времени в кинематике, координатном способе описания движения точки, некоторых геометрических свойствах траектории, аналитическом описании плоскопараллельного движения. Проанализированы особенности применения криволинейных координат в кинематике. Предложены теоремы о сложении скоростей и ускорений при сложном движении. Раскрыта сущность понятия кручения прямолинейного стержня.

Проанализированы современные технологии изготовления автоэмиссионных катодов. Предложен практический способ формирования топологических элементов субмикронных размеров. Разработана и промоделирована технология изготовления одно-, многоострийных и лезвийных автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров по КМОП-технологии с использованием фотошаблонов микронных размеров. Показаны результаты моделирования электрического поля автоэмиссионного катода.

The modern fabrication technologies of field emission cathodes are analyzed. The practical method of submicron size layout elements forming is proposed. The technology of fabrication cathode tips with one or multi points and tips with line edge with using CMOS process and micron size photo masks are designed and modeled. The modeling results of field emission cathode electrical field are shown.

Разработана система для измерения усилия-перемещения с цифровой обработкой сигнала, которая осуществляет усиление, дискретизацию, усреднение сигнала и передачу данных на персональный компьютер через интерфейс RS232. Рассмотренная система универсальна и дает возможность снимать зависимости одного электрического сигнала от другого или использовать сигналы независимо друг от друга. В качестве чувствительного элемента датчика усилия использованы тензорезисторы на основе нитевидных кристаллов кремния p-типа проводимости.

The system to measure force-displacement with the digital output is developed; the system realize the amplifying of sensors output, discretization of the signal, signal averaging and data transmission to the personal computer using interface RS232. The developed system is universal and gives possibility to determine the dependence of one electrical signal from another signal or both signals could be used independently. The perspectivity of CYPRESS microcontrollers for signal processing in sensor devices is shown. As sensitive elements in force sensors were used strain gauges based on p-type Si whiskers.

Розглянуто допінгові засоби, які використовуються в сучасному спорті, подано їх класифікацію за хімічною будовою і фармакологічною дією. Наведено основні групи лікарських засобів, які належать до допінгових, а також вимоги, що висуває ВАДА до заборони таких препаратів. Описано основні ефекти допінгу, які впливають на спортивну працездатність.

Рассмотрены допинговые средства, которые используются в современном спорте, подана их классификация по химическому строению и фармакологическому действию. Приведены основные группы лекарственных средств, которые принадлежат к допинговым, а также критерии их запрета. Описаны основные эффекты допинга, которые влияют на спортивную работоспособность.

The dopes applied in modern sport are considered. Their classification accordingly to chemical build-up and pharmacological effect is given. Major groups of medications which apply to dopes as well as requirements introduced by WADA regarding illegal medications are presented. Main effects of dopes influencing on sports working ability are described.

Показана возможность создания кремния мультипористой текстуры как материала структуры фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Рассмотрены морфологические элементы пористого кремния относительно разных параметров поры. Показано, что при использовании колоннообразного мультипористого кремния, выращенного химическим и электрохимическим методами, интегральный коэффициент отражения фронтальной поверхности ФЭП уменьшается.

Показано можливість створення кремнію мультипористої текстури як матеріалу структури фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуто морфологічні елементи пористого кремнію щодо різних параметрів пори. Показано, що під час використання колоноподібного мультипористого кремнію, який виростили хімічним і електрохімічним методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП зменшується.

The possibility of creation of porous siliconТs multitexture, as material of structure of photoelectric converter (FEC) is shown. The morphological elements of porous silicon are considered relative to different pore parameters. The integral coefficient of frontal surface reflection of FEC with using of columnar multitexture in the range from 400 nm up to 1150 nm decreased.

Показана возможность использования микроконтроллеров Atmel ATMega для сопряжения сенсорных устройств с компьютерными системами. На основе микроконтроллера Atmel ATMega16 разработана многоканальная система обработки информации для тензорезистивных первичных преобразователей сигнала, в которой существенно увеличено количество измерительных каналов.

Possibility of Atmel ATMega microcontrollers use was shown for the interfacing of sensors devices with the modern computer systems. On the basis of Atmel ATMega16 microcontroller the multichannel system of treatment of information was developed for strain gauges, in which the amount of measuring channels is substantially in- creased.

Предложена структура системы преобразования топологической информации для цифровой литографии. Разработан метод формирования локальных трехмерных КНИ-структур, который позволяет создавать как планарные, так и трехмерные приборные элементы и контакты. На КНИ- структурах разработан управляющий высоковольтный МОП-транзистор и ячейка памяти с формирователем сигналов для хранения топологической информации. Экспертная оптимизация топологии ячейки памяти позволила значительно уменьшить ее площадь по сравнению с площадью ячейки, изготовленной по стандартной n-канальной МОП-технологии.

The system structure of the topological information transformation for digital lithography is offered. The formation method of local three-dimensional SOI structures, which allows creating both planar and three-dimensional device elements and contacts, is developed. The controlled high-voltage MOS transistor and a cell of memory with signal shaper for topological information storage are developed on SOI structures. Expert optimization of a memory cell topology has allowed reducing its area considerably.

Исследованы тензометрические характеристики нитевидных кристаллов кремния p-типа в диапазоне температур 4,2 - 300 К. На их основе разработаны тензорезисторы с аномально высоким коэффициентом тензочувствительности при 4,2 К для измерения деформации в различных материалах при криогенных температурах, а также тензорезисторы, работоспособные при гелиевых температурах в сильных магнитных полях.

To create low-temperature strain gauges based on p-type silicon whiskers tensoresistive characteristics of these crystals in 4,2Ч300 K temperature range were studied. On the basis of p-type Si whiskers with different resistivity the strain gauges for different materials operating at cryogenic temperatures with extremely high gauge factor at 4,2 K were developed, as well as strain gauges operating at liquid helium temperatures in high magnetic fields.

Рассмотрен подход к описанию воздействия ветровых нагрузок на мачтовые устройства подвижных средств радиосвязи при их развертывании и эксплуатации.

Предложена модель определения способа хранения страховых запасов ресурсов в процессе выполнения проектов создания сложных технических систем на основе комплексного анализа затрат. Рассмотрены основные параметры управления ресурсным обеспечением проектов. Предложены структурная схема и модель для расчета затрат, связанных с обеспечением проектов страховыми запасами.

Предложено формализованное описание структуры, содержания и процессов формирования и управления мегапроектом, основанное на языке теории множеств и алгебре логики на примере Национальной программы информатизации Украины.