Разработан и изготовлен виртуальный измерительный комплекс параметров оптронов, в котором часть функций и операций осуществляется не аппаратно, а программно с помощью персонального компьютера. При этом компьютер выполняет функции, связанные с взаимодействием пользователя и измерительной системы. Описанный вариант комплекса позволяет определять (с выдачей соответствующего сертификата качества) статические и дифференциальные параметры различного типа оптронов (с погрешностью не более 1 ), а также динамические переходные параметры (с погрешностью не более 5 ). Комплекс многофункциональный и модульно-программно перестраиваемый.

Проведено аналітичне вивчення p-i-n фотодіода з нестандартним профілем легування. У даному фотодіоді присутнє внутрішнє електричне поле, яке прискорює процес дифузії. Завдяки прискоренню дифузії робочий діапазон фотодіода на основі гомопереходу поширюється до 30 ГГц.

Проведено аналитическое изучение p-i-n фотодиода с нестандартным профилем легирования. В результате такого легирования в фотодиоде присутствует внутреннее электрическое поле, которое ускоряет процесс диффузии. Благодаря ускорению диффузии рабочий диапазон p-i-n фотодиода на основе гомоперехода увеличивается до 30 ГГц.

The homojunction p-i-n photodiode with nonuniformly doping p- and n- regions is considered. Due to nonuniform doping p- and n- regions the electric field is formed in both regions. Bandwidth of homojunction p-i-n photodiode depends on diffusion velosity. Due to acceleration of diffusion process the bandwidth of homojunction p-i-n photodiode is extended to 30 GHz.

Представлены экспериментальные результаты исследования электрофизических и оптических характеристик фотопреобразователей с различной структурой поверхности. Показано, что использование пористого кремния на поверхности структуры увеличивает поглощение в кремнии менее энергетичных фотонов, которые проходят через широкозонный полупроводник и поглощаются в области пространственного заряда или вблизи нее в узкозонном полупроводнике, что способствует увеличению напряжения холостого хода и коэффициента полезного действия фотопреобразователей.

Розглянуто результати експериментальних досліджень ефектів осліплення оптико-електронних приладів внаслідок діяння потужного широкосмугового імпульсного електромагнітного випромінювання оптичного діапазону. Подано опис експериментальної установки на основі магнітоплазмового компресора та методики проведення випробувань. Визначено, що час осліплення оптико-електронних приладів різних типів значно перевищує тривалість високоінтенсивного діяння.

Проведен обзор опубликованных работ по использованию текстурирования поверхности полупроводника для увеличения эффективности фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения. Описаны способы описания оптических свойств шероховатых поверхностей, основы статистической лучевой оптики для шероховатых поверхностей, типы используемых микрорельефов. Рассмотрены периодические микрорельефы типа фазовых дифракционных решеток, а также использование пористых и композитных материалов в фотовольтаике. Проанализированы конструкционно-технологические аспекты текстурирования поверхности фотоэлектрических преобразователей и особенностей радиационных эффектов в них.

Ключ. слова: власний акцептор, енергiя iонiзацiї, термiчна обробка.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + В379.274

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: photocurrent collection, contact grid, specific power of photoconversion
Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + З854

Рубрики:

Електричні властивості

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.22 + З854.14-041.1

Рубрики:

Фотоелектронні помножувачі

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены результаты исследований и разработки двухспектрального фотоприемника, в котором фотодиоды расположены один над другим. Фотоприемник отличается повышенной чувствительностью верхнего фотодиода. Показано, что оптимальной является конструкция, вкоторой контакт с тыльной стороны кристалла выполнен в виде ячеистой структуры, в которой области, занятые металлизацией, чередуются с областями, свободными от нее. Размеры ячеек определяются размерами оптического зонда.

The results of researches and development of two-spectral photoelectric detector in which photodiode are located one above other are resulted. A photoelectric detector differs by the promoted sensitiveness of overhead photodiode. It is shown, that construction in which the contact from the backside of crystal is executed as a cellular structure is optimum, in which region busy at metallization are alternated with regions free of her. The sizes of cells are determined by the sizes of optical probe.

Разработан дистанционный оптико-электронный датчик, основанный на методе импульсной модуляции принимаемых сигналов при помощи растровой решетки, расположенной в фокальной плоскости приемного объектива. Каждый импульс соответствует определенной дальности, что дает возможность определять скорость движения датчика. Получены соотношения, позволяющие рассчитать структуру растровой решетки. Приведены расчетная и экспериментальные дистанционные характеристики датчика с растровой решеткой расчетной структуры.

A distant opto-electronic sensor, based on the method of impulsive modulation of recieved signals through the raster grate located in the focal plane of receiving lens, is developed. Every impulse corresponds to a certain distance that enables to determine the movement speed of sensor. Correlations allowing to calculate the raster grate structure have been found. The experimental and calculation remote references of the sensor with the raster grate of calculation structure have been shown.

Ключ. слова: МДП-структуры, HgCdTe, вольт-фарадные характеристики, варизонные слои.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + З843.6

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Діелектрики

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-01

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены особенности конструирования германиевых лавинных и нелавинных пороговых фотодиодов для комплектации тестеров оптического излучения волоконно-оптических линий систем связи. Показано, что применение эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения позволяет в 2 - 3 раза увеличить токовую монохроматическую чувствительность лавинных фотодиодов и на порядок понизить темновой ток обычных германиевых фотодиодов.

Features of designing germanium avalanche and not avalanche threshold photodiodes for a complete set of testers of optical radiation of optical fiber lines of systems of connection are considered. It is shown, that application epytacsial structures and thermoelectric cooling allows in 2-3 times to increase monochromatic sensitivity of avalanche photodiodes and it is essential to lower a return current usual germanium photodiodes.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p-i-n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.

The photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p-i-n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor.