Показано, що врахування особливостей зонного спектра носіїв та температурної залежності відношення їх дрейфових рухливостей дозволяє пояснити подвійну температурну інверсію коефіцієнта Холла в телурі.

Ключ. слова: власний акцептор, енергiя iонiзацiї, термiчна обробка.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + В379.274

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.274

Рубрики:

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.274

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.274 + В379.13

Рубрики:

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.274 + Г582

Рубрики:

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Поверхневі шари та їх властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертація присвячена дослідженню енергетичного спектра електронів, холловської провідності та високочастотних властивостей несиметричних двошарових двомірних електронних систем у квантуючому магнітному полі у режимі цілочисельного квантового ефекта Холла. Виявлено, що особливості енергетичного спектра електронів у таких системах приводять до ефекту зникнення холловських плато як з парними, так і з непарними цілочисельними значеннями фактора заповнення рівнів Ландау. Показано, що цей ефект обумовлює цілий ряд нових високочастотних ефектів: появу стрибка максимальної величини на формі лінії циклотронного резонансу, квантування коефіцієнтів сповільнення та загасання поверхневих поляритонів і квантування спектральної густини та енергії перехідного випромінювання поверхневих поляритонів зарядом, що перетинає електронну систему.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.274

Рубрики:

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.274

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.63 + В379.54 + В379.274

Рубрики:

Фізичні властивості германію та його сплавів

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализирован режим магнитно-управляемой термостабилизации системы в перпендикулярном магнитном поле, функциональный элемент которой выполнен из материала манганитов со структурой перовскита. В таких материалах наблюдается комбинированный резистивно-магнитный фазовый переход первого рода. В частности, получена временная зависимость температуры системы в магнитном поле и показано, что изменение величины магнитного поля достаточно эффективно влияет на температуру системы. Определена зависимость характерного времени выхода системы в стационарный режим от характеристик материала и интенсивности процессов тепловыделения.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51 + В379.274

Рубрики:

Термоелектричні явища

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено теоретичні та експериментальні дослідження гальваномагнітних явищ у вузькощілинних напівпровідниках HgMnTe і HgCdMnTe. Показано, що з порівняння теоретичних температурних залежностей питомої провідності та коефіцієнта Холла в області змішаної провідності з експериментом, можна досить точно визначити склад матеріалу, ширину забороненої зони, а також концентрацію донорів та акцепторів.

Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both effects.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.274

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены экспериментальные свидетельства возможности существования спонтанной спиновой поляризации системы электронов в гибридизированных состояниях, образованных примесными атомами переходных элементов в полосе проводимости полупроводникового кристалла. Приведены детали количественной интерпретации экспериментов по температурной зависимости теплоемкости и модулей упругости кристаллов селенида ртути с примесями железа, подтверждающие как факт возможности определения из таких экспериментов наличия спиновой поляризации электронов, так и вывод о возможности существования поляризации в исследованных кристаллах. Изложено теоретическое обоснование наблюдения термодинамического аномального эффекта Холла, обусловленного спонтанно поляризованными донорными электронами примесей малой концентрации.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.273 + В379.274

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Магнітні властивості напівпровідників

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.274

Рубрики:

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Встановлено кореляцію між умовами ультразвукового впливу, фазового складу, величиною внутрішніх напружень і динамікою дефектної системи кристалів МРТ і КМРТ. Показано, що механізм довготривалої ультразвукової обробки полягає у витісненні ртуті з об'єму напівпровідника, що веде до збільшення вмісту Mn та Cd. Підтверджено підвищену радіаційну стабільність кристалів MnHgTe та CdMnHgTe порівняно з CdHgTe. Встановлено залежність ефективності ультразвукового впливу на електрофізичні характеристики кристалів p-Ge від величини магнітного поля та температури. Запропоновано механізм акустостимульованої зміни електрофізичних параметрів p-Ge, що полягає в акустоіндукованій інверсії заселеності рівнів легких і важких дірок в результаті зміни ступеня розсіювання на йонізованих домішках. Запропоновано модифіковану схему перебудови радіаційних дефектів під дією ультразвуку в об'ємних γ-опромінених кристалах n-Si. Показано, що відповідальними за акустостимульовані зміни електрофізичних параметрів є комплекси радіаційних дефектів, встановлено природу даних акустоактивних центрів. Виявлено гістерезис температурних залежностей коефіцієнта Холла в γ-опромінених кристалах n-Si, досліджено ефект його розширення під дією ультразвукового навантаження та звуження у випадку ультразвукової обробки. Показано, що гістерезис обумовлений довготривалим характером акустостимульованої перебудови акустоактивних центрів у результаті їх збурення фоновими домішковими атомами, реалізується дифузійний механізм утворення "тимчасових" комплексів дефектів. Вперше в реальному часі (in-situ) за допомогою імпульсного ультразвукового навантаження вивчено кінетику акустостимульованої релаксації електропровідності в зразках γ-опроміненого n-Si-Fz, яка пов'язана з метастабільним характером просторової переорієнтації та зміни зарядового стану анізотропних радіаційних дефектів. Розглянуто координатно-конфігураційну модель процесу, на основі якої з використанням експериментальних результатів одержано характерні енергетичні параметри акустоактивних центрів.

Відпрацьовано методики виготовлення зразків та омічних контактів до них для дослідження транспорту електронів у квантових ямах структур, що перебувають у схрещених електричних та магнітних полях. Розроблено та виготовлено вузли автоматизованих експериментальних установок. Експериментально досліджено та проаналізовано механізми латеральної провідності в структурах з різною конфігурацією квантових ям і положень дельта-шару домішки в негріючих електрони електричних полях. Діапазон температур: 4 - 300 К. Експериментально досліджено та проаналізовано механізми латеральної провідності по квантових ямах під час розігріву носіїв струму сильним латеральним електричним полем. Експериментально досліджено гальваномагнітні ефекти у структурах з квантовими ямами в сильних магнітних полях під час заповнення електронами однієї або кількох просторово розділених підзон розмірного квантування.