Ємнісна спектроскопія використується для дослідження електронних властивостей само-організованих InAs квантових точок. Вимірювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емності, C(B), дозволяють досліджувати електростатичний профіль однобар'єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, які містять в AlAs бар'єрі шар само-організованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов'язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повністю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар'єрі, що, на нашу думку, пов'язано з іонізованими дефектами чи домішками, які обумовлені квантовими точками. Показано, що міра компенсації суттєво залежить від ростових умов.

Методом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей.

Шорсткі поверхні GaAs різної морфології, отримані хімічно-механічною поліровкою та анізотропним травленням, розгянуто як геометрично невпорядковані системи з керованим ступенем невпорядкованості. Для їх дослідження та кількісного статистичного опису використано мікроскопію атомних сил і профілометрію. Вплив геометричної невпорядкованості на розсіяння електромагнітних хвиль досліджено в широкому спектральному діапазоні від Х-променів до інфрачервоного світла. Вдосконалення кристалічної структури анізотропно травленого підповерхневого шару підтверджено результатами експериментів з ослабленого повного внутрішнього відбивання (ОПВВ) і комбінаційного розсіяння світла. Незвичайно посилені смуги поверхневих поляритонів для поверхні дендритної морфології спостережено у спектрах ОПВВ і комбінаційного розсіяння.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Отримано полікристалічні плівки SmS MOCVD-методом із застосуванням ряду дітіокарбаматів, які синтезовані різноманітними способами. Досліджено кінетику росту і температурні залежності швидкості росту плівок, які дозволили визначити енергії активації, тип реакції; проведено дослідження структури і морфології поверхні плівок. Визначено технологічні умови, які забезпечують виготовлення однофазних плівок SmS кубічної модифікації з найбільш впорядкованою кристалічною структурою.

В рамках дипольного наближення розраховується форма лінії вбирання світла при екситонних переходах між широкими зонами в одно-, дво- і тривимірних органічних напівпровідникових структурах. Враховується загасання екситона на неоднорідностях гратки як параметр, не залежний від частоти. Отримані аналітичні вирази дозволяють аналізувати форму лінії для структур різної просторової розмірності в залежності від різниці ширини зон, параметра загасання і температури.

Наведено результати оригінальних теоретичних досліджень дисперсійних та поляризаційних властивостей поверхневих магнітоплазмових хвиль у напівпровідникових структурах, одержані за останні роки в ІРЕ НАН України. Передбачено та вивчено властивості нових типів лінійних та нелінійних поверхневих магнітоплазмових хвиль. Обговорено можливості експериментального дослідження цих хвиль та показано область їх практичного застосування.

Дається аналіз можливості розподілу рухомих точкових дефектів в напівпровіднику після дії на нього електричного поля до встановлення стаціонарних умов. Розглядаються два способи прикладання напруги: а) безпосередньо до зразка, б) до обкладинок конденсатора, між якими поміщається зразок. Модель також можна застосовувати для електричних полів будь-якої природи - як зовнішніх так і внутрішніх, що виникають, наприклад, на контакті метал-напівпровідник.

Визначено вплив пористості та відношення розмірів частинок провідника і діелектрика на критичну концентрацію провідної фази в зернистих гетерогенних системах.

Числовим рішенням системи рівнянь Такагі досліджено вплив модельних спотворень вихідної та вхідної поверхонь на формування зображень мікродефектів на секційних топограмах у кристалах Si. У випадку слабкого експоненціального згину вхідної поверхні кристала відбувається підсилення прямої складової зображення, розмиття проміжної і підсилення або заглушення динамічної складової зображення - в залежності від місця знаходження мікродефекту. У разі експоненціального згину відбиваючих площин спостережено заглушення прямої складової зображення і перекидання інтенсивності в центр проміжної області зображення.

Radiative recombination of free exitons and nonradiative recombination of electrons and holes in various pyramids of growth are studied with photoelectric and luminescence techniques. It is shown that the radiative quantum efficiency and electron stationary lifetime depend mainly on the uncontrolled content of the nitrogen impurity. The inhomogeneous distribution of nitrogen over various pyramids of growth is found by the method of electron paramagnetic resonance (EPR). Asymmetry of the EPR lineshape indicates also the presence of additional paramagnetic defects. A rise of the nitrogen concentration results in an increase of the luminescence efficiency and a decrease of the electron lifetime in accordance with theoretical calculations. Furthermore, the degree of crystal perfection influences the luminescence quantum efficiency and lifetime of electrons.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований диффузии примесей в монокристаллические пластины кремния при воздействии лазерного инфракрасного излучения и влияния напряжений на этот процесс. Рассмотрен лазерный нагрев пластины путем облучения всей ее поверхности однородным пучком и сканирования поверхности узким пучком. Во втором случае температурные напряжения достигают границы текучести материала, о чем свидетельствуют значительные искажения кристаллической решетки и остаточные напряжения. Предложена математическая модель для описания механотермодиффузионных процессов, воспроизводящая форму экспериментальных диффузионных кривых. Исследования выявили способы целенаправленного влияния на свойства диффузионных слоев, в частности, на концентрационный профиль. Если при легировании создать упругую деформацию, изменяющуюся по толщине, то, в зависимости от знака градиента деформации, можно приблизить либо отдалить максимум концентрационной кривой от поверхности пластины.

Проаналізовано фактори, які визначають утворення дискретного набору переважних орієнтацій зерен у плівках CdTe. Доведено, що орієнтації зумовлено процесами подвоєння і періодичної зміни фаз сфалерит - вюрцит. Дані процеси є наслідком порушення послідовності пакування щільнопакованих площин (111) сфалериту та (0001) вюрциту під час росту кристалів.

Исследована возможность гидрогенизации пленок аморфного кремния методом низкоэнергетичной ионной имплантации. Получены температурные зависимости удельного сопротивления аморфного кремния, выращенного методом газофазного осаждения при разложении силана, дегидрогенизированного аморфного кремния и постгидрогенизированного методом ионной имплантации с последующим отжигом. Подтверждена возможность гидрогенизации плоскостных аморфных кремниевых структур имплантируемыми низкоэнергетичными ионами изотопов водорода, что расширяет технологические возможности создания высокоэффективных тритиевых батарей - атомных элементов питания.

Изучены при 77 К зависимости положения максимума и полуширины краевой полосы люминесценции в полуизолирующих специально нелегированных кристаллах GaAs от содержания в них фоновых легкоионизируемых примесей C и Si. Установлено, что повышение их концентрации приводит к сдвигу в низкоэнергетическую область положения ее максимума и увеличению ее полуширины. Наблюдаемый эффект в основном связан с уширением экситонной составляющей краевой полосы люминесценции вследствие повышения эффективности излучательной аннигиляции свободных экситонов при их взаимодействии с легкоионизируемыми примесями C и Si.

Разработана методика измерения электрофизических параметров тонких монокристаллических слоев карбида кремния на монокристаллах карбида кремния методом ИК спектроскопии. Дисперсионный анализ спектров отражения позволил определить частоты и коэффициенты затухания фононов и плазмонов в слоях карбида кремния, которые изменяются в зависимости от технологии получения и обработки слоев карбида кремния.

Получены компактные инвариантные соотношения рекуррентного типа для последовательного расчета диады импеданса параллельных слоев из одноосного однородного магнитодиэлектрика. Предложенные формулы, образующие основу быстродействующего алгоритма для расчетов на ЭВМ, проиллюстрированы путем расчета коэффициентов отражения плоской волны от плавнонеоднородной анизотропной пластины.

На основании экспериментальных результатов, полученных при облучении моноэнергетическими потоками электронов с энергией до 30 кэВ, сделан вывод о том, что поверхностно-барьерные структуры на основе поликристаллического CdS перспективны для разработки эффективных детекторов бета-излучения "мягких" энергий. Преимуществами таких структур являются высокие токовая и вольтовая чувствительности, а также линейная в широком динамическом диапазоне дозиметрическая характеристика.

За допомогою проекційної рентгенівської топографії та оптичної мікроскопії на проходження і відбиття досліджено структурні дефекти в об'ємних кристалах (булях) карбіду кремнію, вирощених сублімаційним методом Лелі. Було виявлено лінійні дислокації, дислокаційні петлі, проникнення сторонніх фаз, трубчасті пори (мікротрубки) та блоки. Проаналізовано причини виникнення більшості дефектів у SiC-булях. Дослідження показали, що модифікований метод Лелі дає можливість одержувати достатньо досконалі об'ємні кристали карбіду кремнію з низькою щільністю дислокацій та мікротрубок.