Экспериментально исследовано влияние разного вида дефектов на формирование и поведение спиральных доменных структур в пленках ферритов-гранатов.

Розглянуто динамічні надгратки на нерівноважних електронах та магнонах, створені когерентними світловими пучками (КСП) у феромагнітних напівпровідниках (ФМН). Розраховано високочастотний струм. Знайдено коефіцієнт поглинання електромагнітного випромінювання вільними носіями в квантовій області частот. Обговорено деякі можливості спостереження ефектів, зумовлених динамічними надгратками, та визначено їх параметри.

Исследовано влияние высококоэрцитивного переходного слоя пленка-подложка в эпитаксиальных феррит-гранатовых пленках на динамические свойства цилиндрической доменной структуры. Показано, что наличие такого слоя приводит к возникновению нового типа колебаний цилиндрического домена - наклонным колебаниям. В рамках стандартного приближения для описания доменных структур в феррит-гранатовых пленках получено выражение для частоты наклонных колебаний цилиндрического магнитного домена и изучена ее зависимость от величины подмагничивающего поля.

Исследовано влияние "магнитного рельефа" эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок на зарождение и устойчивость доменной структуры различного типа. Показано, что образование структуры с аморфной решеткой ЦМД обусловлено неоднородностью свойств реальных пленок, которая не учитывалась в теории. Установлено, что "магнитный рельеф" возникает из-за модуляции наклона оси одноосной анизотропии. Предложена модель возникновения одноосной и ромбической анизотропии, "магнитного рельефа", обусловливающего коэрцитивность эпитаксиальных пленок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273 + З843.514

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Оксидні магнітні матеріали та ферити

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено спінову фільтрацію електронного струму у наноструктурі на основі напівмагнітних напівпровідників типу ZnMnSe. Показано, товщини шарів наноструктури та концентрація Mn у шарах можуть бути вибрані у такий спосіб, що спінова поляризація електронного струму може досягати дуже великих значень у порівняно малих зовнішніх постійних магнітних полях. Знайдено, що величину та знак спінової поляризації електронного струму можна змінювати за допомогою напруги зміщення на напівмагнітній наноструктурі. Виявлено, що зміна знаку спінової поляризації електронного струму пов'язана з резонансним тунелюванням електронів зі спіном вгору через двобар'єрний енергетичний потенціал, який формується у наноструктурі завдяки підбору складу напівмагнітних шарів.

Исследована спиновая фильтрация электронного тока в наноструктурах на основе полумагнитных полупроводников типа ZnMnSe. Показано, что толщины слоев наноструктуры и концентрация Mn в слоях могут быть выбраны таким образом, что спиновая поляризация электронного тока может достигать очень больших значений в сравнительно малых внешних постоянных магнитных полях. Найдено, что степень и знак спиновой поляризации электронного тока можно изменять с помощью напряжения смещения на полумагнитной наноструктуре. Обнаружено, что изменение знака спиновой поляризации электронного тока связано с резонансным туннелированием электронов со спином вверх через двухбаръерный энергетический потенциал, сформированный в наноструктуре за счет выбора состава полумагнитных слоев.

Spin-filtering electron currents has been studied in the nanostructures based on ZnMnSe-semimagnetic semiconductors. It is shown that the thicknesses of nanostructure layers and the Mn-concentrations in the layers can be chosen in such a way that the spin polarization of the electron current can reach very large values in relatively low external constant magnetic fields. It has been found that the degree and sign of the spin polarization of the electron current can be changed with the help of the bias voltage applied to the semimagnetic nanostructure. It has been determined that the change of sign of the spin polarization of the electron current is concerned with the resonance tunneling of spin-up electrons through the double-barrier energy potential formed in the nanostructure at the expense of choosing the composition of semimagnetic layers

Досліджено вплив напруги зміщення на магнітоопір та спінову поляризацію електронного струму тунельного переходу феромагнітний метал/діелектрик/феромагнітний метал (FM/I/FM) у межах двозонної моделі вільних електронів у феромагнітних електродах. Показано, що величина та знак магнітоопору тунельного переходу FM/I/FM суттєво залежить як від висоти та ширини потенційного бар'єру, так і від величини напруги зміщення. Знайдено, що залежно від висоти та ширини потенційного бар'єру магнітоопір зменшується або збільшується зі збільшенням напруги зміщення. Встановлено, що магнітоопір може змінювати свій знак та осцилювати зі збільшенням напруги зміщення. Знайдено, що зміна знаку магнітоопору пов'язана з тим, що коефіцієнт проходження електронів основної поляризації через тунельний перехід FM/I/FM стає найбільшим у випадку антипаралельної, а не паралельної намагніченості феромагнітних електродів. Показано, що величина та знак поляризації електронного струму може змінюватися у разі зміни намагніченості феромагнітних електродів.

Исследовано влияние напряжения смещения на магнитосопротивление и спиновую поляризацию электронного тока туннельного перехода ферромагнитный металл/диэлектрик/ферромагнитный металл (FM/I/FM) в рамках двухзонной модели свободных электронов в ферромагнитных электродах. Показано, что величина и знак магнитосопротивления туннельного перехода FM/I/FM существенно зависят как от высоты и ширины потенциального барьера, так и от величины напряжения смещения. Найдено, что в зависимости от высоты и ширины потенциального барьера магнитосопротивление как уменьшается, так и увеличивается с увеличением напряжения смещения. Установлено, что магнитосопротивление может изменять свой знак и осциллировать с увеличением напряжения смещения. Найдено, что изменение знака магнитосопротивления связано с тем, что коэффициент прохождения электронов основной поляризации через туннельный переход FM/I/FM становится наибольшим для случая антипараллельного, а не параллельного намагничивания ферромагнитных электродов. Показано, что величина и знак поляризации электронного тока может изменяться при изменении намагниченностей ферромагнитных электродов.

The influence of the bias voltage on the magnetoresistance and spin polarization of the electron current of the ferromagnetic metal-insulator-ferromagnetic metal (FM/I/FM) tunneling junction within a two-band model of free electrons in ferromagnetic electrodes has been studied theoretically in the paper. It is shown that the value and sign of the magnetoresistance of the FM/I/FM tunneling junction depend essentially both on the height and width of the potential barrier and on the value of the bias voltage. We have found out that the height and width of the potential barrier can be chosen in such a way that the value of the magnetoresistance can be both reduced and increased as the bias voltage increases. It has been determined that the magnetoresistance changes the sign and oscillates with increasing bias voltage. We have found out that the change of the sign of the magnetoresistance takes place due to the fact that the tunneling transmission coefficient of the majority electrons is the largest in the case of the antiparallel magnetization of the ferromagnetic electrodes and not parallel one. It has been shown that the value and sign of the spin polarization of the electron current can be changed with reversing the ferromagnetic electrode magnetizations.

Наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень залежності спектральних властивостей магнітної багатошарової періодичної структури (моделі одновимірного магнітофотонного кристала) на основі ферита від зовнішнього статичного магнітного поля. Продемонстровано можливість керування спектральними властивостями такої структури за допомогою магнітного поля. Показано, що перебудова спектра пропускання у зовнішньому магнітному полі пояснюється дисперсійними властивостями ферита. Запропоновано використання таких структур як фільтра міліметрового діапазону довжин хвиль, що перебудовується.

Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований зависимости спектральных свойств магнитной многослойной периодической структуры (модели одномерного магнитофотонного кристалла) на основе феррита от внешнего статического магнитного поля. Продемонстрирована возможность управления спектральными свойствами такой структуры с помощью магнитного поля. Показано, что перестройка спектра пропускания во внешнем магнитном поле объясняется дисперсионными свойствами феррита. Предложено использование таких структур в качестве перестраиваемого фильтра миллиметрового диапазона длин волн.

Results of experimental and theoretical studies of the ferrite based magnetic multilayered periodic structure's (a model of one-dimensional magnetophotonic crystal) spectral properties versus the external static magnetic field are presented. The possibility to control spectral properties of such structure by magnetic field is shown. It is revealed, that varying of the spectrum by the external magnetic field is caused by the dispersive properties of ferrite. Using of such structures as a tunable filter of a millimeter waveband is offered

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273.4,021

Рубрики:

Феримагнетизм. Ферити

Шифр НБУВ: ВА717077 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273,0 + В379.222,0 + К222.043

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Дефекти напівпровідників

Структурні і фазові перетворення в залізі та його сплавах. Теорія термічної обробки

Шифр НБУВ: Р112958 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: кремний, удельное поверхностное сопротивление, магнитное поле, релаксация
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж681-1 + В379.273

Рубрики:

Обробка жаростійких та особливотвердих матеріалів

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.273

Рубрики:

Структура напівпровідників

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано, що під час резонансного розсіювання електронів на донорних домішках перехідних елементів у напівпровідниках виникає внесок в спінову сприйнятливість від локалізованої на домішках електронної густини. Пов'язана з ним константа Кюрі має незвичайну залежність від концентрації домішок. Одержано вираз для спінової сприйнятливості електронів, що резонансно розсіюються, в межах підходу Фріделя. Експериментальні дані, одержані на селеніді ртуті з домішками заліза, підтвердили теоретичні результати та дозволили визначити ефективний спін резонансного стану.

Предложена конструкция спиновода - полупроводникового канала со стенками из разбавленного магнитного полупроводника с очень большим зеемановским расщеплением, пропускающими электроны только одной поляризации. Такие каналы могут быть источниками спин-поляризованного тока в немагнитных проводниках, создания быстродействующих переключателей направления спиновой поляризации электрического тока, передачи спиновой поляризации на большие расстояния (даже большие длины спин-флипа). Селективная прозрачность стенок приводит к новым размерным транспортным эффектам.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273.4в73

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрено распространение поверхностных и объемных спиновых возбуждений в ферромагнитных полупроводниковых сверхрешетках, состоящих из чередующихся одноатомных слоев гейзенберговских кубических ферромагнетиков двух типов. С помощью метода функций Грина получены дисперсионные уравнения, описывающие распространение поверхностных и объемных спиновых волн в сверхрешетках, а также температурная зависимость намагниченности локализованных спинов. Полученные результаты численно интерпретированы и представлены графически.

Індекс рубрикатора НБУВ: К230.633.25 + В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ