Проведено аналітичне вивчення p-i-n фотодіода з нестандартним профілем легування. У даному фотодіоді присутнє внутрішнє електричне поле, яке прискорює процес дифузії. Завдяки прискоренню дифузії робочий діапазон фотодіода на основі гомопереходу поширюється до 30 ГГц.

Проведено аналитическое изучение p-i-n фотодиода с нестандартным профилем легирования. В результате такого легирования в фотодиоде присутствует внутреннее электрическое поле, которое ускоряет процесс диффузии. Благодаря ускорению диффузии рабочий диапазон p-i-n фотодиода на основе гомоперехода увеличивается до 30 ГГц.

The homojunction p-i-n photodiode with nonuniformly doping p- and n- regions is considered. Due to nonuniform doping p- and n- regions the electric field is formed in both regions. Bandwidth of homojunction p-i-n photodiode depends on diffusion velosity. Due to acceleration of diffusion process the bandwidth of homojunction p-i-n photodiode is extended to 30 GHz.

Представлены экспериментальные результаты исследования электрофизических и оптических характеристик фотопреобразователей с различной структурой поверхности. Показано, что использование пористого кремния на поверхности структуры увеличивает поглощение в кремнии менее энергетичных фотонов, которые проходят через широкозонный полупроводник и поглощаются в области пространственного заряда или вблизи нее в узкозонном полупроводнике, что способствует увеличению напряжения холостого хода и коэффициента полезного действия фотопреобразователей.

Розглянуто результати експериментальних досліджень ефектів осліплення оптико-електронних приладів внаслідок діяння потужного широкосмугового імпульсного електромагнітного випромінювання оптичного діапазону. Подано опис експериментальної установки на основі магнітоплазмового компресора та методики проведення випробувань. Визначено, що час осліплення оптико-електронних приладів різних типів значно перевищує тривалість високоінтенсивного діяння.

Ключ. слова: власний акцептор, енергiя iонiзацiї, термiчна обробка.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + В379.274

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены результаты исследований и разработки двухспектрального фотоприемника, в котором фотодиоды расположены один над другим. Фотоприемник отличается повышенной чувствительностью верхнего фотодиода. Показано, что оптимальной является конструкция, вкоторой контакт с тыльной стороны кристалла выполнен в виде ячеистой структуры, в которой области, занятые металлизацией, чередуются с областями, свободными от нее. Размеры ячеек определяются размерами оптического зонда.

The results of researches and development of two-spectral photoelectric detector in which photodiode are located one above other are resulted. A photoelectric detector differs by the promoted sensitiveness of overhead photodiode. It is shown, that construction in which the contact from the backside of crystal is executed as a cellular structure is optimum, in which region busy at metallization are alternated with regions free of her. The sizes of cells are determined by the sizes of optical probe.

Разработан дистанционный оптико-электронный датчик, основанный на методе импульсной модуляции принимаемых сигналов при помощи растровой решетки, расположенной в фокальной плоскости приемного объектива. Каждый импульс соответствует определенной дальности, что дает возможность определять скорость движения датчика. Получены соотношения, позволяющие рассчитать структуру растровой решетки. Приведены расчетная и экспериментальные дистанционные характеристики датчика с растровой решеткой расчетной структуры.

A distant opto-electronic sensor, based on the method of impulsive modulation of recieved signals through the raster grate located in the focal plane of receiving lens, is developed. Every impulse corresponds to a certain distance that enables to determine the movement speed of sensor. Correlations allowing to calculate the raster grate structure have been found. The experimental and calculation remote references of the sensor with the raster grate of calculation structure have been shown.

Ключ. слова: МДП-структуры, HgCdTe, вольт-фарадные характеристики, варизонные слои.
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + З843.6

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Діелектрики

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены особенности конструирования германиевых лавинных и нелавинных пороговых фотодиодов для комплектации тестеров оптического излучения волоконно-оптических линий систем связи. Показано, что применение эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения позволяет в 2 - 3 раза увеличить токовую монохроматическую чувствительность лавинных фотодиодов и на порядок понизить темновой ток обычных германиевых фотодиодов.

Features of designing germanium avalanche and not avalanche threshold photodiodes for a complete set of testers of optical radiation of optical fiber lines of systems of connection are considered. It is shown, that application epytacsial structures and thermoelectric cooling allows in 2-3 times to increase monochromatic sensitivity of avalanche photodiodes and it is essential to lower a return current usual germanium photodiodes.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p-i-n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.

The photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p-i-n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor.

Указано, что одной из важных характеристик фотоприемников, которые используются как первичные измерительные преобразователи, является их энергетическая характеристика или динамический диапазон. Рассмотрена методика измерения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников, описана схема измерительной установки.

Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А2В6 и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Установлено, что наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке.

We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate.

Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А2В6 и их твердых растворов. Отмечено, что их основной отличительной особенностью является нечувствительность к видимому свету при отсутствии специальных оптических фильтров для корректирования спектральной характеристики. Предназначены для мониторинга УФ-излучения.

We developed and fabricated a pilot run of selective and broad-band new-generation sensors of ultraviolet radiation on the basis of layered heterostructures made of wide-gap AIIBVI semiconductors and their solid solutions. These sensors have no commercial analogs in the world. Their distinctive feature is insensitivity to the visible light without special optical filters for correction of spectral curve. The sensors are intended for monitoring of ultraviolet radiation.

Представлен метод определения диаметра луча света по формуле, связывающей измеряемое сопротивление фотоприемника с диаметром освещаемой площадки.

The formula, which bind up the photo-resistor resistivity with the diameter of the light ray is calculated. The diameter of the ray is more less than the area of the photosurface of the photodetector. The value of the diameter of the ray is calculatedby this formula.

Проведен сравнительный анализ химических свойств лузги риса, выращиваемого в Украине и в некоторых других странах. Предложена схема получения кремния "солнечного" класса из рисовой лузги для производства фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), включающая следующие этапы: отмывка лузги, пиролитическое разложение органических соединений, выщелачивание, пиролиз для получения диоксида кремния, изготовление электродов состава SiO2-C (или металл), электродуговое восстановление кремния, очистка кристаллизацией.

The comparative analysis of chemical properties of rice peel, growing in Ukraine and in some foreign countries is carried out. The circuit of reception of silicon of a "solar class" from rice peel for manufacture of photo-electric converters (PEC), including the following stages is offered: washing, burning of organic compounds, using alkali, burning for SiO2 reception, manufacturing of "SiO2-C (or metal)" electrodes, restoration in electric arc, clearing of silicon by crystallization. Precomputations of manufacture volume of silicon from rice peel in Ukraine show that it can make up to 700-1000 tons per year. This volume can supply manufacturing of photo-electric modules with capacity up to 100 МWatt per year.