Исследована зависимость раскрытия вершины поверхностной трещины в сварном соединении магистрального газопровода от геометрических и физико-механических параметров трубы. Предположено, что прочностные характеристики материала в зоне термического влияния и основного материала трубы различны. Предложена упрощенная формула для определения раскрытия поверхностной трещины.

Статтю присвячено добору методів навчання таі форм контролю знань та уміння студентів під час вивчення курсу "Основи менеджменту".

Індекс рубрикатора НБУВ: Р458

Рубрики:

Травматологія і ортопедія

Шифр НБУВ: Ж26813 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано математичну модель, яка дозволяє звести задачу про напружений стан і граничну рівновагу циліндричної анізотропної пружнопластичної оболонки з внутрішньою тріщиною до системи нелінійних сингулярних інтегральних рівнянь з розривними функціями в правих частинах. Побудовано алгоритм числового розв'язування таких систем сумісно з умовами пластичності та обмеженості напружень біля тріщини. Для трансверсально-ізотропної оболонки виконано числовий аналіз залежності розкриття фронту внутрішньої тріщини вiд навантаження, геометричних і механічних параметрів.

Охарактеризовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники. Проаналізовано роботу генератора коливань у лінійному та нелінійному режимах за умов використання від'ємного опору як основного елемента перетворювачів. Основну увагу приділено вольт-амперним характеристикам, чутливості, функціям перетворення частотних перетворювачів температури, оптичному випромінюванню, магнітній індукції та тиску. Проведено експериментальне дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних перетворювачів, а також запропоновано їх оптимальні схеми та структури.

У роботі з використанням ключових рівнянь для плоского шару з залишковими деформаціями отримано розв'язок осесиметричної задачі у випадку, коли поле високоградієнтних технологічних деформацій описується нульовим тензором. Проведено числовий аналіз і компоненти тензора напружень співставлені з відповідними компонентами напружень, отриманими з використанням рівнянь уточненої теорії пластин.

Розглянуті основні фізичні явища, що складають зміст функціональної мікроелектроніки, такі, як термоелектричні, гальваномагнітні, оптоелектронні, зарядового зв'язку від'ємного диференційного опору, магнітоелектронні, акустоелектронні, індуктивного ефекту, надпровідності, тунельно-резонансні, а також конструкції і принципи роботи різноманітних приладів і пристроїв на основі цих явищ. Показано перспективні напрямки розвитку функціональної мікроелектроніки, а також ті невирішені проблеми, які стоять перед нею.

Наведено результати досліджень індуктивних та ємнісних властивостей транзисторів і транзисторних схем у широкому діапазоні частот. Досліджено залежності параметрів реактивних елементів від режиму експлуатації. Розглянуто схемотехнічні методи реалізації функцій індуктивності та ємності на основі гіраторних схем. Зроблено розрахунки основних параметрів пристроїв мікроелектроніки на підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів.

Визначено напрями формування та основні елементи інфраструктури ринку продукції олійних культур.

На основі числового аналізу двопрольотного ЛПД міліметрового діапазону одержано амплітудні характеристики діода у двочастотному режимі для різних профілей легування та взаємних положень зон генерації (лавинопрольотної та паразитної частот). Базуючись на побудованих характеристиках, порівняно стійкості генераторів на ЛПД у двочастотному режимі для зазначених варіантів, а також зроблено висновки про чутливість двочастотних амплітудних характеристик до варіацій розглянутих параметрів системи.

Запропоновано використання варіантів міжпородного схрещування, а саме, рейнських гусаків та кубанських гусок для підвищення репродуктивних якостей цих птахів.

З використанням методу узагальнених задач спряження запропоновано розрахункову схему дослідження перерозподілу температурних напружень у кусково-однорідній циліндричній оболонці, зумовленого поздовжньою тріщиною. Основу цієї схеми становлять системи інтегральних рівнянь, частина з яких є сингулярними, для визначення невідомих стрибків інтегральних характеристик збуреного температурного поля та переміщень і їх похідних на лінії тріщини та на поверхні поділу, а також значень похідних цих інтегральних характеристик за поздовжньою координатою на поверхні поділу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В251.640.9

Рубрики:

Середовища анізотропні. Середовища неоднорідні. Середовища багатошарові < Оболонки >

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Охарактеризовано теоретичні та фізичні принципи роботи волоконно-оптичних систем передачі інформації на підставі оптоелектронних приладів. Розглянуто особливості дослідження відкритої некогерентної лінії зв'язку, роботи фотодіодного оптрона в імпульсному режимі. Наведено статичні характеристики напівпровідникових фоторезисторів і фотодіодів, описано інжекційні світлодіоди, напівпровідникові лазери.

Охарактеризованы теоретические и физические принципы работы волокнисто-оптических систем передачи информации на основе оптоэлектронных устройств. Рассмотрены особенности исследования открытой некогерентной линии связи, работы фотодиодного оптрона в импульсном режиме. Приведены статистические характеристики полупроводниковых фоторезисторов и фотодиодов, описаны инжекционные светодиоды, полупроводниковые лазеры.

Ключ. слова: радиоизмерительный преобразователь, давление, частота, функция преобразования, чувствительность.
Індекс рубрикатора НБУВ: З842-5

Рубрики:

Радіотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто розповсюдження спадкової патології серед різних популяцій людей, що відбиває стан здоров'я генофонду кожної популяції. Вивчення частот природжених вад розвитку і спадкових захворювань проведено в багатьох країнах світу за останні 30 - 50 років з метою генетичного моніторингу. Вивчено показники розповсюдження природженої та спадкової патології, їх частоту, яка характеризує різні популяції, етнічні групи населення. Генетичний моніторинг, який проводиться останніми роками в різних країнах, дав змогу створити національні генетичні реєстри. Генетичні реєстри поділені на загальні та профілактичні, що охоплюють окремі групи спадкової патології (природжені вади розвитку, хромосомну патологію, моногенні захворювання, мультифакторні та ін.). Сформовано базу даних комп'ютерного реєстру сімей із муковісцидозом у Західному регіоні України за показниками обласних медико-генетичних кабінетів.

Рассмотрено распространение наследственной патологии среди разных популяций людей, что отражает состояние здоровья генофонда каждой популяции. Изучение врожденных пороков развития и наследственных болезней проведено во многих странах мира на протяжении последних 30 - 50 лет с целью генетического мониторинга. Изучено показатели распространения врожденной и наследственной патологии, её частота, которая характеризует разные популяции, этнические группы населения. Генетический мониторинг, который проведен в последние годы в разных странах, дал возможность создать национальные генетические реестры. Генетические реестры делятся на общие и профилактические, которые охватывают отдельные группы наследственной патологии (врожденные пороки развития, хромосомную патологию, моногенные заболевания, мультифакторные и др.). Сформировано базы компьютерного реестра семей с муковисцидозом в Западном регионе Украины по показателям областных медико-генетических кабинетов.

Наведено результати дослідження мікроелектронних частотних перетворювачів на базі транзисторних структур з від'ємним опором. Проаналізовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники, а також роботу генератора електричних коливань як основного елемента перетворювачів. Наведено вольт-амперні характеристики, описано функції перетворення частотних перетворювачів фізичних величин.

Приведены результаты исследования микроэлектронных частотных преобразователей на основе транзисторных структур с отрицательным сопротивлением. Проанализированы влияние температуры, оптического излучения, давления, магнитного поля на полупроводники, а также работа генератора электрических колебаний как основного элемента преобразователей. Представлены вольт-амперные характеристики, описаны функции преобразования частотных преобразователей физических величин.

Описано фізичні принципи роботи конструкцій сучасних сенсорів тиску та магнітного поля з амплітудним вихідним сигналом. Викладено основи побудови, наведено електричні схеми та результати експериментальних досліджень основних параметрів мікроелектронних частотних сенсорів тиску та магнітного поля на базі магніто- та тензочутливих транзисторних структур. Проаналізовано вплив магнітного поля на властивості напівпровідників та їх електропровідність.

Описаны физические принципы работы конструкций современных сенсоров давления и магнитного поля с амплитудным исходящим сигналом. Изложены основы построения, приведены электрические схемы и результаты экспериментальных исследований основных параметров микроэлектронных частотных сенсоров давления и магнитного поля на основе магнито- и тензочувствительных транзисторных структур. Проанализировано влияние магнитного поля на свойства полупроводников и на их электропроводность.

Висвітлено історію господарського освоєння Дніпра - головної водної артерії України. Охарактеризовано гідроелектростанції та водосховища Дніпровського каскаду. Зроблено екологічну оцінку екосистеми річки, а також радіологічної ситуації в поверхневій і підземній гідросфері. Проаналізовано позитивні та негативні наслідки створення Київського водосховища, а також можливого його спуску. Запропоновано шляхи поліпшення екологічного стану водосховищ Дніпровського каскаду, які є єдиною господарською та водно-екологічною системою.

Освещена история хозяйственного освоения Днепра - главной водной артерии Украины. Охарактеризованы гидроэлектростанции и водохранилища Днепровского каскада. Осуществлена экологическая оценка экосистемы реки, а также радиологической ситуации в поверхностной и подземной гидросфере. Проанализированы позитивные и негативные последствия создания Киевского водохранилища, а также возможного его спуска. Предложены пути улучшения экологического состояния водохранилищ Днепровского каскада, являющихся единой хозяйственной и водно-экологической системой.

На підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів проаналізовано основи побудови мікроелектронних частотних перетворювачів температури й оптичного випромінювання. Виконано розрахунки функцій перетворення та рівняння чутливості оптичного перетворювача з активним індуктивним елементом, а також повного опору; з урахуванням транзисторної структури базового елемента перетворювачів наведено експериментальні параметри генератора. Розглянуто принципи побудови й електричні схеми основних параметрів температурних та оптичних перетворювачів, надано оцінку похибок перетворення, а також метрологічних характеристик генератора. Висвітлено теорії фотореактивного ефекту в біполярних і польових транзисторах, наведено математичну модель теплових режимів мікроелектронних частотних перетворювачів.