Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-046

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано модель, що описує вплив параметрів МОН-структури на крутизну вольт-фарадної характеристики. Результати роботи використано у проектуванні напівпровідникових приладів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.39

Рубрики:

Інші типи напівпровідникових тріодів

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора.

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень впливу морфології омічних контактів (ОК) на надвисокочастотні (НВЧ) параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ). Доведено, що основні НВЧ параметри ПТШ залежать від морфології ОК. Показано, що запропонована секційна модель ПТШ для врахування неоднорідностей дає можливість із високим ступенем достовірності в широкому температурному діапазоні вирахувати коефіцієнт підсилення за потужністю і шумовою температурою ПТШ, що підтверджено експериментальними результатами.

Наведено результати графоаналітичного аналізу типових каскадів підсилення на біполярних транзисторах. Запропоновано приклади застосування графоаналітичного методу під час аналізу однотранзисторних каскадів підсилення. Висвітлено особливості графоаналітичного аналізу двотранзисторних каскадів підсилення.

Досліджено вплив динамічних втрат у транзисторах на ККД та оптимальне навантаження транзисторного інвертора з індуктивно-ємнісним перетворювачем і визначено ступінь цього впливу.

На базі нелінійної моделі динамічного транзисторного негатрона проведено аналіз нелінійних спотворень, які виникають за режиму перетворення частоти. Визначено обмеження використання функціональних рядів Вольтерра для розрахунку транзисторних негатронів за нелінійного режиму та за умов стійкої роботи за допомогою інваріантного коефіцієнта стійкості.

Досягнуто покращання властивостей транзисторного інвертора з широтно-імпульсною модуляцією завдяки використанню режиму несиметричної комутації і синтезу оптимального управління транзисторами на основі функцій Ляпунова.

Охарактеризовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники. Проаналізовано роботу генератора коливань у лінійному та нелінійному режимах за умов використання від'ємного опору як основного елемента перетворювачів. Основну увагу приділено вольт-амперним характеристикам, чутливості, функціям перетворення частотних перетворювачів температури, оптичному випромінюванню, магнітній індукції та тиску. Проведено експериментальне дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних перетворювачів, а також запропоновано їх оптимальні схеми та структури.

Описано нелінійну модель транзисторного негатрону. Модель враховує відсічку колекторного струму та струмів нелінійності. У моделі більш точно визначені момент відпирання та запирання емітерного переходу. Результати розрахунків перевірено експериментально.

Запропоновано числовий алгоритм для розрахунку вольт-фарадних характеристик (ВФХ) МОП-конденсаторів з довільним розподілом домішок у підкладинці. Проведено аналіз одержуваних результатів для оцінки параметрів відповідного МОП-транзистора.

На основі аналізу зв'язку дефектів матеріалу напівпровідникових приладів з рівнем їх низькочастотного струмового шуму запропоновано експериментальну методику оцінювання надійності біполярних транзисторів за результатами вимірювань шуму струму бази. Методику обгрунтовано результатами вимірювань низькочастотного шуму транзисторів КТ3102.

Наведено результати досліджень індуктивних та ємнісних властивостей транзисторів і транзисторних схем у широкому діапазоні частот. Досліджено залежності параметрів реактивних елементів від режиму експлуатації. Розглянуто схемотехнічні методи реалізації функцій індуктивності та ємності на основі гіраторних схем. Зроблено розрахунки основних параметрів пристроїв мікроелектроніки на підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів.

Предложен квазичастичный криотрон как основа для создания сверхпроводникового транзистора.

Получены аналитические выражения для текущих корреляционной функции, комплексной спектральной плотности и спектральной плотности мощности нестационарного узкополосного гауссовского сигнала с изменяющейся во времени частотой. Исследованы зависимости текущей спектральной плотности мощности от параметров.

Сравниваются электрические модели биполярных транзисторов типа Эберса-Молла и Агаханяна при описании ими эффектов, присущих статическим и динамическим режимам работы реального транзистора. Указаны преимущества и недостатки указанных моделей. Приведены методы описания основных эффектов в моделях при моделировании статических и динамических режимов работы.

Рассмотрены новые модели полевых транзисторов, работающих в режиме большого сигнала, применимые для проектирования усилителей мощности СВЧ-диапазона. Особое внимание уделено моделям MESFET (полевой транзистор с затвором в виде барьера Шоттки) в связи с перспективностью применения подобных приборов на СВЧ.

Досліджено елементи транзисторно-транзисторної логіки (ТТЛ). Розглянуто питання призначення даних елементів, розроблено методики їх розрахунків. Досліджено статичний і динамічний режими роботи інтегральних схем емітерно-зв'язної логіки (ЕЗЛ). Наведено опис роботи й основні розрахункові співвідношення, які використовуються під час розрахунків логічних схем на КМДН-транзисторах (кремній - метал - діелектрик - напівпровідник), запропоновано методику їх розрахунку. Розглянуто питання виготовлення польових транзисторів з керуючим p - n-переходом, їх електричні параметри та експлуатаційні характеристики. Наведено основні електричні схеми з використанням польових транзисторів і розрахункові співвідношення для оптоквантрона, а також приклади розрахунку часових параметрів оптоелектронних елементів і пристроїв. Визначено енергетичні характеристики оптоелектронних модулів. Розроблено методи та засоби покращання параметрів інтегральних схем на прикладі елементів ТТЛ і ЕЗЛ, схем з подвійною інжекцією.

Стаття не стільки про історію, скільки про теперішній час і майбутнє напівпровідникової техніки. Наводиться Програма розвитку національної напівпровідникової промисловості США до 2012 р., яка свідчить про намагання досягти гегемонії у цій галузі.