Розглянуто систему керування запасами, що функціонує неперервно, в якій передбачено довільний розподіл періодів між запитами. На відміну від звичайного методу розміщення замовлення на фіксованому рівні, розглянуто ряд рівнів перезамовлення з заданою імовірністю розміщення замовлення на певному рівні перезамовлення. Величина замовлення залежить від рівня перезамовлення, на якому воно ініціюється. Передбачено, що час упередження розподілено експоненціально. Вимоги, що надходять у періоди відсутності накопичення, втрачаються. Виведено розподіл рівня запасів у перехідному та стаціонарному режимах. Наведено міри продуктивності системи.

Ключ. слова: сплав 800, ползучесть, усталость, релаксация, долгосрочное прогнозирование, малые деформации
Індекс рубрикатора НБУВ: К260.625

Рубрики:

Повзучість жароміцних і жаростійких сплавів

Шифр НБУВ: Ж61773 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В343.4 + К234.202.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

< Інтерференція світла. Дифракція світла >

Тонкі шари (плівки) срібла та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В161.519.9

Рубрики:

Окремі класи аналітичних функцій

Шифр НБУВ: Ж41243 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The effect of photons trapped at the LED side due to total internal reflection on the transient behavior of an Optoelectronic Integrated Device is considered in this paper. The device is composed of a Heterojunction Phototransistor and a Light Emitting Diode (LED). The expressions describing the transient response of the output photons flux, the rise time, and the output derivative are derived. The effect of the various device parameters on the transient response is outlined. The results show that the transient response of these types of devices is strongly dependent on the ratio of these trapped photons in the LED part. Also the device under consideration can be changed from switching mode to the amplification mode, if the fractions of trapped photons exceed a specified value. This type of the model can be exploited as an optical amplifier, optical switching device and other applications.

Предложены единые методики износоусталостных испытаний моделей активных систем, основанные на известных методах испытания материалов на механическую усталость, трение и износ. В качестве базовой предложена методика испытания на циклический изгиб гладкого цилиндрического образца с рабочей частью диаметром 10 мм.

This paper presents an evaluation of the transient performance of an optoelectronic integrated device. This device is composed of a quantum well infrared photodetector (QWIP), a heterojunction bipolar transistor (HBT) and a light emitting diode (LED). It is called as QWIP-HBT-LED optoelectronic integrated device. Evaluation of its transient response is based on the frequency response of the constituent devices. Analytical expressions describing the transient behavior, output derivative as a measure of speed, and the rise time are derived. The numerical results show that the transient performance of the version under consideration is mainly based on the individual quantum efficiencies and is improved with their growth. The device speed and rise time are enhanced with the increase of the cut-off frequency of HBT.

In this work, the effect of ionizing radiation on static and dynamic behavior of Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) was investigated numerically. First, the model of dynamic behavior before irradiation has been analyzed based on Convolution Theorem. Second, all interesting ionizing radiation sensitive factors are compared with their corresponding post irradiation factors. The convolution theorem is applied to get features of dynamic behavior. All interesting parameters have been outlined. The effect of resonance frequency and damping parameters have been studied. The results show that static and dynamic response of these devices are dramatically deteriorated due to irradiation flux. The device gradually changes its mode of operation from lasing mode to LED mode by exhibiting weak oscillation of the output and fast damping with the increase of ionizing radiation. This type of model can be used for high data bit rate in multimode optical fiber network.

This paper demonstrates theoretical modeling of a quantum well structure optical integrated device. The constituent devices of the developed structure are a Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) to detect the optical infrared signal, a Heterojunction Phototransistor (HPT) to amplify the signal, and a Light Emitting Diode (LED) to emit this signal in a visible form. The model is based on the transient behavior of the constituent parts of the structure. The dominant pole approximation scheme is used to reduce its transfer function. The convolution theorem is used to get the overall transient response of the device under consideration. All interesting parameters concerning the transient response, rise time, output derivatives are theoretically investigated. The results show that the overall transient behavior, output derivative, and rise time of the considered structure are approximately the same as the constituent device possessing the lowest cutoff frequency. This type of model can be applied with high sensitivity in the up conversion of infrared or far infrared range for image signal processing.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г252.412-27 + П222.91-4 + П241.61-4

Рубрики:

Кормова капуста

Томати

Шифр НБУВ: Ж14165 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The interaction between Cr(IlI) and "chitosan/montmorillonite" nanocomposites has been studied. Also, the adsorption kinetic of chromium in prepared chromium solution and in tannery wastewater has been presented. The article confirmed the initial interest in using "chitosan/montmorillonite" nanocomposites as depolluting agent, especially MMTCTf2 % nanocomposite exhibits the best adsorption capacity of Cr(III) as compared to MMTCTfl % and MMTCTf3 %. According to ICP-OES analysis MMCTf2 % can adsorb 45 % of Cr(III) from this effluent.

Досліджено електронні стани двох донорів у напруженій квантовій точці (КТ) під впливом сильного магнітного поля. Числові розрахунки проведено з використанням варіаційного принципу в межах односмугового наближення ефективної маси за допомогою напруженості магнітного поля через енергозалежну ефективну масу. Дослідження проблеми донора в КТ є корисним інструментом для розуміння електронних і оптичних властивостей домішок. Виконано дослідження двох донорних домішок у низькорозмірних напівпровідникових структурах із і без магнітних полів. Для розрахунку, береться енергія зв'язку у сфалеритовій КТ. Проведені дослідження включали ефект Зеємана у гамільтоніані. Індукована магнітним полем діамагнітна сприйнятливість двох донорів обчислюється як функція радіуса КТ. Здійснюється варіювання енергії зв'язку двох донорів як функції радіуса точок для різної напруженості магнітного поля з і без прикладеного поля. Результати показали, що енергія зв'язку зростає зі зменшенням радіуса точки, досягаючи максимального значення, а потім зменшується за зменшення радіуса точки. Внесок діамагнітної сприйнятливості у донорську енергію зв'язку є мірою просторового розширення основного стану. Міждонорна відстань є мірою енергії кулонівської взаємодії двох донорних систем. Енергія кулонівської взаємодії помітна лише тоді, коли міждонорні відстані наближаються або менші, ніж ефективний радіус Бора. Одержані результати показали, що сильне магнітне поле, радіус КТ та енергія кулонівської взаємодії мають значний вплив на електронні стани двох донорів у напруженій КТ. Результати здаються коректними і добре узгоджуються з іншими літературними даними.

Использование демпфирующей системы является одним из вариантов сейсмической защиты, улучшающей сейсмоустойчивость конструкций и зданий. Предложенная методология позволяет оптимизировать местоположение демпфирующих элементов по подъездам и этажам с целью рассеивания максимальной энергии. Подбирая оптимальные варианты расположения демпферов (по одному на этаж), можно снизить затраты. На основе анализа двух землетрясений (Эль Сентро и Альтадена) определены оптимальные места размещения демпферов и выполнено численное моделирование эффективности данного метода оптимизации. Показано. что равномерное распределение демпферов не является оптимальным решением. С использованием программ SolidWorks2016 и SAP2000 и унифицированных механических свойств получены оптимальные решения для каркасных зданий.

As an effectual simple wireless equivalent created in the telecommunications (telephone) industry, Wireless Asynchronous Transfer Mode (WATM) is utilized to stream unified traffics like video, data, and voice data. In the asynchronous data transfer mode, voice data transfer a packet with the same medium, and data share the networks and burst data. Effective WATM data transmission equires an extensive array of designs, techniques used for control, and simulation methodologies. The congestion of the network is among the key challenges that lower the entire WATM performance during this procedure, in addition to the delay in cell and the overload of traffic. The congestions cause cell loss, and it requires expensive switches compared to the LAN. Consequently, in this current study, the application of an effectual switching model together with a control mechanism that possesses multiple accesses is employed. The multiple access process and switching model are utilized to establish an effective data sharing process with minimum complexity. The switching model uses the synchronous inputs and output ports with buffering to ensure the data sharing process. The traffic in the network is decreased, and the loss of packets in the cells is efficiently kept to a minimum by the proposed technique. The system being discussed is employed through the utilization of software employed using OPNET 10,5 imulation, with the valuation of the WATM along with the investigational outcomes accordingly. The system's efficiency is assessed by throughput, latency, cell loss probability value (CLP), overhead network, and packet loss. Thus, the system ensures the minimum packet loss (0,1 %) and high data transmission rate (96,6 %).

У даній роботі числово проаналізовано динамічну характеристику оптичного підсилення оптичного інтегрованого пристрою, що складається з гетероперехідного біполярного транзистора (НВТ) та лазерного діода (LD). Цей тип інтегрованого оптичного пристрою має назву транзисторний лазер (TL). Спочатку моделювання розпочинається з розв'язання рівняння для швидкості LD, щоб одержати його передатну функцію. По-друге, загальна передатна функція всієї структури аналізується числово. Проаналізовано вплив частоти відсічки НВТ на амплітудну та фазову частотну характеристику. Результати показують, що НВТ сильно впливає на продуктивність пристрою, де вищі значення частоти відсічки НВТ надають нижчу амплітуду в діапазоні низьких частот. На відміну від фазової характеристики, вища частота відсічки НВТ надає вищу фазу. Оскільки ця модель все ще стабільна і забезпечує швидку реакцію та високе оптичне підсилення на високих частотах, її можна використовувати як оптичний підсилювач та оптичний перемикач у дуже високошвидкісних оптичних системах.

Представлено аналітичну модель інфрачервоного тепловізора. Цей пристрій складається з інфрачервоного фотодетектора з квантовою ямою (QWIP), біполярного транзистора з гетеропереходом (HBT) та світловипромінюючого діода (LED). Він називається оптоелектронним інтегрованим пристроєм QWIP-HBT-LED. Пристрій моделюється на основі еквівалентної схеми з урахуванням нелінійного підсилення HBT первинного ефекту. Одержано аналітичні вирази, що описують поточну тимчасову характеристику, час наростання та похідну струму на виході як міру швидкодії пристрою. Числові результати показують, що перехідні характеристики цієї версії пристрою покращуються за рахунок струму, що подається від QWIP до бази HBT, а також вихідний струм збільшується зі збільшенням коефіцієнта підсилення і первинного коефіцієнта HBT, з іншого боку, це погіршується, коли базовий фактор рекомбінації HBT або опір навантаження збільшуються. Також, час наростання збільшується зі збільшенням приросту струму чи раннього коефіцієнта. Цей тип моделей можна застосовувати як піксель у програмах для обробки теплових зображень.