Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Віртуальна довідка (17) | Наукова електронна бібліотека (6) | Книжкові видання та компакт-диски (156) | Журнали та продовжувані видання (91) |
Пошуковий запит: (<.>A=GRAF$<.>+<.>A=ROMAN$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 520 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Romanyuk B. N. Evolution of recombination parameters of "solar" monocrystalline silicon due to thermal and getting treatments / B. N. Romanyuk, V. G. Popov, V. G. Litovchenko, N. I. Klyui, A. B. Romanyuk, V. I. Gorbulik, D. N. Moskal, S. G. Volkov // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 555-560. - Бібліогр.: 26 назв. - англ. Досліджено ряд гетеруючих обробок пластин Cz-Si. Виміряно характерні рекомбінаційно-чутливі параметри кремнієвих пластин. Із застосованих процедур віддано перевагу гетеруючій обробці, що включає нанесення плівки Ge, йонно-променеве перемішування та термообробку і дозволяє підвищити довжину дифузії нерівноважних носіїв струму з 25 - 30 до 100 - 300 mu м, причому наступні термообробки не приводили до деградації дифузійної довжини (як це спостерігається на пластинах без гетеруючої обробки). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Artamonov V. V. Study of subsurface Si layers with a latent SiOsub2/sub layer / V. V. Artamonov, M. Ya. Valakh, N. I. Klyui, V. P. Melnik, B. N. Romanyuk, V. G. Popov, V. A. Yukhimchuk // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 551-554. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Ezikov V. L. Electromagnetic irradiation effect on different structure components of semiconducting copper-calcium-phosphate glass / V. L. Ezikov, D. V. Romanova // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 538-541. - Бібліогр.: 2 назв. - англ. Методами рентгенофазного аналізу, електронної мікроскопії, ЕПР спектроскопії досліджено вплив HBB електромагнітного опромінення (1 ГГц) на процес формування структури мідно-кальцієвого-фосфатних стекол в температурному інтервалі 400 - 1200 °C. Електромагнітне опромінення ініціює поліморфні перетворення фосфатів кальцію і руйнує асоціати міді, що сприяє утворенню аморфної фази. Асоціати міді, які утворюються в кристалічній фазі, в розплаві формують навколо себе певну геометрію фосфатної матриці, яка визначає структуру готового скла. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Myshchyshyn O. Critical indices of the ferroelectric phase transition in TGS crystals / O. Myshchyshyn, B. Andriyevsky, M. Romanyuk // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 3. - С. 509-514. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Andriyevsky B. V. Anisotropy of critical indices of ferroelectric phase transition in TGS crystals by the optical interference investigation / B. V. Andriyevsky, O. Ya. Myshchyshyn, M. O. Romanyuk // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 4. - С. 693-702. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Myshchyshyn O. Ya Peculiarities of refractive index dispersion of TGS crystals / O. Ya Myshchyshyn, B. V. Andriyevsky, M. O. Romanyuk, V. Yu. Kurlyak // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 4. - С. 703-710. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Chepilko N. M. Particle-like Solitons Caused by Supersymmetry = Частинкоподібні квантові солітони, зумовлені суперсиметрією / N. M. Chepilko, K. Fujii, A. V. Romanenko // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 1-2. - С. 15-23. - Библиогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Romanyuk M. O. The refractometry of the uniaxially stressed ferroelectrics / M. O. Romanyuk, V. Yo. Stadnyk // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 4. - С. 711-720. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
| |||
| 9. | Min'ko V. I. Recording of rainbow holograms using Assub2/subSesub3/sub amorphous layers / V. I. Min'ko, I. Z. Indutnyy, P. F. Romanenko, A. A. Kudryavtsev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 251-253. - Бібліогр.: 3 назв. - англ. Розвинуто простий метод запису рельєфно-фазової райдужної голограми-оригіналу. На обох стадіях запису (одержання звичайної пропускаючої голограми та наступного запису рельєфно-фазової голограми-оригіналу, яка зчитується в білому світлі) використано один халькогенідний неорганічной фоторезист з тією ж одностадійною післяекспозиційною обробкою. Це спрощує і здешевлює процес виготовлення голограми-оригіналу. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Romanjuk B. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon / B. Romanjuk, Z. Kruger, V. Melnik, V. Popov, Ya. Olikh, V. Soroka, O. Oberemok // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 15-18. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Kruger D. Planar gettering of metal impurities in MBE grown Si and SiGe layers on Si substrates = Планарне гетерування домішок металів у шарах Si та SiGe, вирощених методом МПЕ на підкладках Si / D. Kruger, V. G. Litovchenko, B. N. Romanyuk, V. G. Popov, H. Richter // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 7. - С. 873-878. - Библиогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Kit Yu. Ya Human anti-DNA secretory immunoglobulins a possess endonuclease activity and they are able to cause the destruction of nuclear chromatin in vitro / Yu. Ya Kit, E. E. Mitrofanova, O. E. Shestova, E. V. Kuligina, I. V. Romannikova, V. A. Richter // Укр. біохім. журн.. - 2000. - 72, № 3. - С. 73-76. - Бібліогр.: 19 назв. - англ. Із молока людини послідовним хроматографуванням на протеїн А-сефарозі, DEAE-фрактогелі та DNA-целюлозі виділено анти-ДНК sIgA, спроможні гідролізувати плазмідну ДНК з утворенням лінійних форм. Виявлено, що інкубація sIgA з пермеабілізованими тритоном X-100 ядрами клітини нирки свині призводить до утворення електрофоретично рухливих форм ядерних нуклеїнових кислот і пригнічення фосфорилювання ядерних білків. Зроблено припущення, що анти-ДНК sIgA, які виявляють ендонуклеазну активність, спричиняють деградацію хроматину клітинних ядер. Індекс рубрикатора НБУВ: Е60*736.71 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж21341/а Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Protchenko O. V. Oversynthesis of riboflavin by yeast Pichia guilliermondii in response to oxidative stress / O. V. Protchenko, Yu. R. Boretsky, T. M. Romanyuk, D. V. Fedorovych // Укр. біохім. журн.. - 2000. - 72, № 2. - С. 19-23. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж21341/а Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Romanyuk A. Low-temperature growth of diamond films using supersonic DC arcjet / A. Romanyuk, H. Guttler, V. Popov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 187-191. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Досліджено ріст алмазних плівок на кремнієвих підкладках за температур 180 - 360 °С, а також вплив типу джерела вуглеводнів на умови росту і якість алмазної плівки. Виконано серію експериментів для дослідження впливу температури підкладки на швидкість росту плівок та їх якість. Якість синтезованих плівок контролювалась методом комбінаційного розсіювання. Показано, що у разі використання метану як джерела вуглеводнів досягається швидкість росту до 1,5 мкм/год. Використання етану призводить до зменшення швидкості росту, але якість алмазної плівки та морфологія кристалітів покращуються. Зниження температури підкладки до 180 °С призводить до зменшення розмірів зерен та зменшення частки алмазної фази в плівці. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В375.147 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Rozhin A. G. Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation / A. G. Rozhin, N. I. Klyui, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, B. N. Romanyuk, Y. P. Piryatinskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 44-47. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Teixeira V. Spectrally selective solar absorbers on chromium composite coatings prepared by magnetron sputtering / V. Teixeira, E. Sousa, M. F. Costa, C. Nunes, L. Rosa, M. J. Carvalho, J. G. Ansede, E. Roman, J. Gago // Functional Materials. - 2001. - 8, № 1. - С. 109-114. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Evtukh A. A. Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon / A. A. Evtukh, V. G. Litovchenko, A. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. V. Rassamakin, B. N. Romanyuk, S. G. Volkov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 278-282. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Методами мас-спектрометрії нейтральних атомів з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоерс (який дозволяє визначити дифузійну довжину нерівноважних носіїв заряду) досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалічному кремнії. Досліджено гетери, утворені шаром кремнію з розвинутою поверхнею, а також комбіновані гетери (згаданий шар покривався тонкою плівкою алюмінію). Показано, що ефективність гетерування залежить від температури відпалу та характеру товщинного розподілу алюмінію, який, у свою чергу, залежить від режимів одержання структурно-розвинутого шару кремнію. Обговорено моделі гетерування, які дозволяють пояснити одержані результати. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222в734.5 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Avramenko S. F. Study of postimplantation annealing of SiC / S. F. Avramenko, V. S. Kiselev, B. N. Romanyuk, M. Ya. Valakh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 249-252. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Krive I. V. Thermo-electric effects in a Luttinger liquid / I. V. Krive, I. A. Romanovsky, E. N. Bogachek, A. G. Scherbakov, Uzi Landman // Физика низ. температур. - 2001. - 27, № 9-10. - С. 1110-1122. - Библиогр.: 30 назв. - англ. Thermoelectric effects in a Luttinger liquid (LL) wire adiabatically connected to the leads of noninteracting electrons are considered. For a multichannel LL a staircase-like behavior of the thermal conductance as a function of chemical potential is found. A thermopower for a LL wire with an impurity is evaluated for two cases: (I) LL constriction and (II) infinite LL wire. We show that the thermopower is described a Mott-like formula renormalized by an interaction-dependent factor. For an infinite LL the renormalization factor decreases with increase of the interaction. However, for a realistic situation, when a LL wire is connected to the leads of noninteracting electrons (LL constriction), the repulsive electron-electron interaction enhances the thermopower. A nonlinear Peltier effect in a LL is briefly discussed. Індекс рубрикатора НБУВ: В333.7 + Г532 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Romanyuk B. Mechanisms of silicon amorphization at the ultrasound action during ion implantation = Механізми аморфізації кремнію при дії ультразвуку під час іонної імплантації / B. Romanyuk, D. Kruger, V. Melnik, V. Popov, E. Borshchagovski, Ya. Olikh, V. Soroka // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 2. - С. 191-195. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського