Для вивчення електронних властивостей гетеропереходів Si нанокристалічна (nc-Si) плівка / Si монокристал (c-Si) використано метод температурних залежностей поверхневої фото-ерс. Досліджено два типи зразків, одержаних лазерною абляцією c-Si мішені з осадженням nc-Si плівок на підкладки, віддалені від мішені, та на площину мішені. Розраховано температурні залежності концентрації носіїв заряду, захоплених на пастки межі поділу гетеропереходу, розподіл густини граничних електронних станів за енергією. З'ясовуються зв'язки між умовами одержання гетеропереходів та їх граничними електронними властивостями.

Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований диффузии примесей в монокристаллические пластины кремния при воздействии лазерного инфракрасного излучения и влияния напряжений на этот процесс. Рассмотрен лазерный нагрев пластины путем облучения всей ее поверхности однородным пучком и сканирования поверхности узким пучком. Во втором случае температурные напряжения достигают границы текучести материала, о чем свидетельствуют значительные искажения кристаллической решетки и остаточные напряжения. Предложена математическая модель для описания механотермодиффузионных процессов, воспроизводящая форму экспериментальных диффузионных кривых. Исследования выявили способы целенаправленного влияния на свойства диффузионных слоев, в частности, на концентрационный профиль. Если при легировании создать упругую деформацию, изменяющуюся по толщине, то, в зависимости от знака градиента деформации, можно приблизить либо отдалить максимум концентрационной кривой от поверхности пластины.

Проаналізовано фактори, які визначають утворення дискретного набору переважних орієнтацій зерен у плівках CdTe. Доведено, що орієнтації зумовлено процесами подвоєння і періодичної зміни фаз сфалерит - вюрцит. Дані процеси є наслідком порушення послідовності пакування щільнопакованих площин (111) сфалериту та (0001) вюрциту під час росту кристалів.

В процесі вирощування кремнію методом безтигельної зонної плавки використовуються різні види індукційних систем. Описано умови стійкого і відтворюваного процесу вирощування монокристалів кремнію у середовищі аргону. Розглянуто основні параметри, що характеризують процес індукційної безтигельної зонної плавки. Показано значний вплив форми та конструкції індуктора на відтворюваність вирощування монокристалів. Наведені найбільш оптимальні конструкції індукційних систем, що забезпечують відтворюваність вирощування у середовищі аргону монокристалів кремнію діаметром 100 мм і більше.

Методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) та фотолюмінесценції (ФЛ) досліджено процес зменшення інтенсивності ФЛ пористого кремнію при старінні. Підтверджено його зв'язок з десорбцією будь-якого об'єкту з поверхні пористого шару. Показано, що енергія активації набагато менше енергії зв'язків Si - Si та Si - H. Встановлено, що при десорбції утворюються два ЕПР-центри, які є поверхневими центрами кремнієвого окису. Показано, що зменшення інтенсивності ФЛ зумовлено не лише зростанням центрів безвипромінювальної рекомбінації, але і зменшенням концентрації центрів поглинання світла, яке збуджує люмінесценцію, та/або центрів випромінювання.

Представлены результаты аналитических расчетов переходных процессов в арсениде галлия легированном хромом, обусловленные ударной ионизацией центров захвата в условиях возникновения высокочастотной неустойчивости тока. На основе теории стабильных доменов получено аналитическое выражение для временной зависимости концентрации носителей. Показано, что основной вклад в ударную ионизацию вносит область обогащенного слоя домена.

Побудовано нелінійну модель процесу формування активних областей напівпровідникових приладів на основі радіаційно-стимульованої дифузії. Для одержаної системи нелінійних рівнянь у частинних похідних розроблено скінченнорізницевий метод знаходження наближеного розв'язку. Наведено порівняльну характеристику результатів розрахунків за різноманітними моделями.

Исследована температурная зависимость изменения коэффициента линейного расширения монокристаллического кремния, отличающегося легирующими элементами . Установлено, что в зависимости от легирования существенно изменятся вид дилатометрических кривых, а также величина максимального удлинения образцов. Наличие на дилатометрических кривых интервалов, в которых скачкообразно изменяется коэффициент линейного расширения, объясняется структурными и фазовыми превращениями, проходящими в соответствующих температурных областях. Получены снимки микроструктуры кремния, подвергнутого термической обработке в процессе дилатометрических измерений, подтверждающие данное предположение.

Наведено результати математичного моделювання напівпровідникових сенсорів газу, температури та сонячних елементів, що грунтуються на класичних уявленнях про природу електронних станів на ідеальній та реальній поверхнях напівпровідникових бінарних сполук типу оксдів металів. Розглянуто питання аналізу та синтезу відповідних технічних об'єктів на базі отриманих математичних моделей. Висвітлено феноменологічну модель системи газ - напівпровідник. Проаналізовано статичну характеристику напівпровідникових сенсорів газу. Викладено методики розрахунку основних електрофізичних характеристик матеріалу чутливого елемента. Визначено інформативні параметри масопереносу в системі плоскі пластини - одновимірне наближення. Зроблено системний структурний аналіз лінії вимірювального перетворення інформативного параметра вхідного сигналу; аналіз і синтез сенсорів у наближенні концепції Хауффе.

Запропоновано удосконалений метод безтигельної зонної плавки для одержання монокристалів силіцію напівпровідникової чистоти, що переважає традиційний спосіб за ефективністю та економічністю. Наведено результати його дослідно-промислових випробувань.

Викладено фізико-хімічні основи матеріалознавства основних кристалічних неорганічних речовин, які найбільше використовуються в електронній техніці. Розглянуто основні термодинамічні співвідношення, необхідні для вивчення властивостей розчинів та процесів фазових переходів у одно- і двокомпонентних системах, а також послідовно описано діаграми фазових рівноваг подібних систем.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.25

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: карбiд кремнiю, модифiкований метод Лелi, комбiнацiйне розсiювання, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено та узагальнено останні досягнення у галузі розробки термометрів на базі плівок германію на арсеніді галію. Розглянуто основні моделі плівок германієвих термометрів, що охоплюють діапазон вимірюваних температур від 0,02 до 500 К. Наведено характеристики термометрів у сильних магнітних полях, а також під впливом іонізуючого випромінювання (нейтрони та gamma-кванти).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.251

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.251

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + В368.31

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ