![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Kosyak V$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| | | | |
1. |
Kolesnik M. M. Determination of the parameters for localized states in spatially inhomogeneous semiconductor materials = Визначення параметрів локалізованих станів в просторово неоднорідних напівпровідникових матеріалах / M. M. Kolesnik, V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk, N. V. Tirkusova // Фотоэлектроника. - 2007. - Вып. 16. - С. 8-13. - Библиогр.: 9 назв. - англ.Досліджено вплив неоднорідності просторового розподілу пасток (РП) у напівізолювальних матеріалах та за присутності міжфазних локалізованих станів (ЛС) на вигляд вольтамперних характеристик струмів, обмежених просторовим зарядом (ВАХСОПЗ). Розглянуто випадок, коли енергетичний РП описується вузькою гауссовою функцією, в той час як просторовий розподіл має максимум густини на одному чи обох електродах. Показано, що РП за товщиною зразка призводить до суттєвої зміни напруги повного заповнення пасток і великих похибок у визначенні дійсної концентрації локалізованих станів. Одночасно глибина залягання пасток визначається з відносно невеликою похибкою. Розраховано коригувальні коефіцієнти, які дозволяють врахувати вплив просторового РП на параметри глибоких пасток. Дослідження свідчать, що результати визначення параметрів ЛС за допомогою методу ВАХСОПЗ у базових шарах багатьох напівпровідникових приладів повинні бути переглянуті з урахуванням можливої неоднорідності зразків за товщиною. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Kosyak V. V. Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films / V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 3. - С. 95-102. - Бібліогр.: 21 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Kosyak V. V. Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching / V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk, I. Yu. Protsenko // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 797-806. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Znamenshchykov Ya. V. Structural and microstructural properties of Cdsub1-x/subZnsubx/subTe films deposited by close spaced vacuum sublimation = Структурні та субструктурні властивості плівок Cdsub1-x/subZnsubx/subTe, отриманих методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об'ємі / Ya. V. Znamenshchykov, V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk, M. M. Kolesnyk, V. V. Grinenko, P. M. Fochuk // Functional Materials. - 2016. - 23, № 1. - С. 32-39. - Бібліогр.: 26 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.026
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|