1. |
Shekhovtsov L. V. Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact / L. V. Shekhovtsov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 253-259. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.Досліджено поперечну фотоерс, що генерується в напівпровідникових структурах під час їх освітлення модульованим випромінюванням. Визначено, що складна форма спектральних характеристик ерс, виміряних у зразках гетероструктури Ge-GaAs і контакта Шоткі NbN-GaAs, зумовлена взаємодією фотострумів, що протікають в об'ємі та поблизу межі поділу структур. Додаткове немодульоване підсвічування досліджуваних зразків, проведене під час вимірювання спектральних характеристик фотоерс, змінює характер взаємодії фотострумів, що відбивається на формі цих характеристик. Аналіз спектральних особливостей EPC дозволяє запропонувати моделі взаємодії фотострумів біля меж поділу складних напівпровідникових структур та одержувати дані про їх однорідність. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|