Надано теоретичне та експериментальне обгрунтування запропонованого нового методу диференційно-інтегральної трикристальної рентгенівської дифрактометрії недосконалих монокристалів. Розглянуто принципи роботи трикристального рентгенівського дифрактометра (ТРД) в диференційному режимі вимірювань. Надано опис оригінальної конструкції та схеми універсального ТРД, створеного в ІМФ НАН України з метою реалізації запропонованого методу. У випадку брегг-дифракції рентгенівських променів у монокристалах з однорідно розподіленими обмеженими дефектами отримано вирази, що встановлюють аналітичний зв'язок між відношенням інтегральних інтенсивностей дифузного та когерентного піків ТРД від досліджуваного кристала, тобто відношенням диференційних інтенсивностей дифузного та когерентного розсіяння, проінтегрованих по сфері Евальда поблизу вузла оберненої гратки, та характеристиками дефектів різного роду. Вирази, що отримані, використано для високоінформативної діагностики дефектів за кутовими залежностями інтегральних параметрів профілів інтенсивностей ТРД, виміряних від монокристала кремнію, який містить хаотично розподілені частки нової фази. Обговорюються переваги запропонованої модифікації методу ТРД.

Для дослідження дефектної структури високодосконалих монокристалів кремнію, вирощених методом зонної плавки, використано методи високороздільної дво- і трикристальної рентгеновської дифрактометрії. За виміряними дифракційними профілями, проаналізованими за допомогою формул узагальненої динамічної теорії розсіяння рентгенівських променів недосконалими монокристалами, встановлено переважний тип мікродефектів і визначено їх характеристики.

Ключ. слова: castration, regional variations, neurotransmitters, vas deferens, rat
Індекс рубрикатора НБУВ: Р694.611-29

Рубрики:

Операції на калитці та її органах

Шифр НБУВ: Ж61875 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: intestinal smooth muscles, EJP, IJP, apamin, L-NNA, PLC, InsP_3, Ca"2+
Індекс рубрикатора НБУВ: Е60*738.821*112.6

Рубрики:

Загальна зоологія

Шифр НБУВ: Ж61875 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методом високороздільної рентгенівської дифрактометрії проведено систематичне дослідження багатошарових напівпровідникових структур з квантовою ямою (КЯ). Шляхом моделювання виміряних кривих дифракційного відбиття (КДВ) установлено вміст азоту в КЯ і в буферних шарах. Установлено також вплив розмиття профілю вмісту індію в КЯ на КДВ. Показано високу чутливість КДВ до вказаних структурних характеристик.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.5-18

Рубрики:

Покриття металів неорганічними плівками

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.5-18

Рубрики:

Покриття металів неорганічними плівками

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Зазначено, що ефекти об'ємних процесів іонізації та рекомбінації в плазмі зазвичай не розглядаються для спрощення аналітичних моделей зарядки та екранування пилових частинок у комплексній плазмі. Але, ці ефекти можуть бути важливими в багатьох випадках і їх потрібно враховувати в самоузгоджених теоріях зарядки та екранування пилових частинок в об'ємних структурах. Узагальнено теоретичну модель сильно зіткненої плазми (Л. Г. Дьячков и др., Phys. Plasmas 14, 042102 (2007)), враховуючи іонізацію та рекомбінацію в об'ємі.

Розроблено модель кінетичних процесів у ядерно-збуджуючій плазмі (ЯЗП) інертних газів, що має нанокластери урану. Таку пилову плазму подано найбільш перспективним активним лазерним середовищем у технології прямого перетворення ядерної енергії у когерентне електромагнітне випромінювання. Розглянуто процес формування квазістаціонарних станів плазми, запиленої нанокластерами урану. За допомогою розробленої математичної моделі кінетичних процесів в аргон-ксеноновій плазмі (АКП), що збуджується осколками поділу урану, вивчено вплив нанокластерів урану на генераційні характеристики цього середовища. Кінетична модель складається з еволюційних рівнянь для функції розподілу електронів за швидкостями і для концентрацій різних компонентів плазми, враховуючи пилові частинки урану з різними зарядами. У моделі АКП враховується 44 компоненти плазми та 507 плазмохімічних реакцій. Розроблено метод числового обчислення та створено комплекс програм для моделювання кінетичних процесів у ЯЗП інертних газів з урахуванням впливу на ці процеси нанокластерів. Проведено самоузгоджене математичне моделювання кінетичних процесів у газі, що збуджується осколками поділу урану з урахуванням впливу на ці процеси пилових частинок.

Електростатичне екранування зарядженого поглинаючого об'єкта (пилової частинки) у беззіткненій плазмі з потоком досліджено на базі лінеаризованого кінетичного рівняння для іонів плазми з врахуванням їх поглинання точковим об'єктом. Досліджено вплив поглинання іонів на притягувальну частину (ПЧ) розподілу потенціалу пилової частинки в плазмі. Для дотеплових іонних потоків ПЧ потенціалу частинки в напрямі перпендикулярному потоку іонів може бути суттєво послабленою або повністю зникнути, залежно від швидкості поглинання (пропорційної площі поверхні частинки). Для надтеплових іонних потоків показано, що вплив поглинання на ПЧ потенціалу частинки в напрямку перпендикулярному потоку іонів є експоненціально малим. Зроблено висновок, що у випадку надтеплового потоку іонів плазми відносно частинки впливом поглинання на розподіл потенціалу частинки у плазмі можна знехтувати для розмірів частинок, що характерні для комплексних плазм.

У квазікласичному наближенні проаналізовано вплив квантового тунелювання на струм акреції електронів плазми на від'ємно заряджену частинку, занурену в електронну плазму, для різних функцій розподілу електронів у плазмі, параметрів плазми та розмірів частинок. Показано, що внесок квантового тунелювання в зарядку частинок є нехтовно малим для відносно великих (мікронних розмірів) пилових частинок у плазмі з температурою електронів порядку декількох еВ, але стає значним для наночастинок (діаметром в десятки - сотні нм) у холодних та ультрахолодних плазмах із температурою електронів десятки - сотні градусів Кельвіна, особливо у плазмах з малозаселеним високоенергетичним хвостом розподілу електронів за енергією.

Рентгенівським методом повних кривих дифракційного відбиття і неруйнівними методами прямого спостереження (атомно-силової та растрової електронної мікроскопії) встановлено кількісні значення характеристик (радіуси та концентрації) основних типів дефектів у монокристалах кремнію, вирощених за Чохральським і відпалених за 750 °С.

Досліджено характеристики роботи оптичних і гібридних кореляторів спільного перетворення Фур'є (КСПФ), призначених для захисної верифікації оптичних міток, що містять трансформовані фазові маски (ФМ). Для порівняльного аналізу двох таких типів кореляторів за основні критерії вибрано відношення пік/шум (ВПШ) і відносні інтенсивності кореляційних піків. Розроблено теоретичну модель інтерференційного шуму, що формується в результаті взаємної кореляції вхідної та опорної бінарних ФМ на виході звичайного КСПФ. Розглянуто просторово-часовий модулятор світла (ПЧМС) з оптичною адресацією, виготовлений на основі структури скляний халькогенідний фотопровідник - нематичний рідкий кристал. Розроблено експериментальний макет КСПФ, в якому використовують цей ПЧМС. Проаналізовано залежності ВПШ і відносної інтенсивності піків від эфективної фокусної віддалі оптичного фур'є-процесора, а також розглянуто основні фактори, що обмежують ефективність цього макета. Створено оптоелектронний пристрій для ідентифікації кредитних карток, який побудовано на базі архітектури оптико-цифрового КСПФ. Досліджено умови запису в цьому пристрої спільного енергетичного спектра за допомогою ПЗЗ-камери. Показано доцільність використання КСПФ, що містить рідкокристалічний ПЧМС, і оптоелектронного пристрою для різноманітних задач оптичного захисту.

The generalized dynamical theory of X-ray scattering by real single crystals allows to self-consistently describe intensities of coherent and diffuse scattering measured by double- and triple-crystal diffractometers (DCD and TCD) from single crystals with defects in crystal bulk and with strained subsurface layers. Being based on this theory, we offer the combined DCD + TCD method that exhibits the higher sensitivity to defect structures with wide size distributions as compared with any of these methods alone. In the investigated Czochralski-grown silicon crystals, the sizes and concentrations of small oxygen precipitates as well as small and large dislocation loops have been determined using this method.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж42080 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Численное моделирование карт обратного пространства для ионно-имплантированных монокристаллических железо-иттриевых пленок феррит-гранатов на подложках из гадолиний-галлиевого граната осуществлено на основе теоретической модели трехосной динамической дифрактометрии для многослойных кристаллических систем с неоднородными распределениями деформации и случайно распределенными дефектами. В этой модели амплитудный и дисперсионный механизмы влияния несовершенств структуры соответственно на дифракцию или на преломление, поглощение и экстинкцию излучений в интенсивности когерентного и диффузного рассеяния взаимосогласованно учитывались для всех слоев системы с помощью полученных рекуррентных соотношений между амплитудами когерентного рассеяния. В предлагаемой модели многослойных систем учтено наличие ростовых дефектов, как в пленке, так и в подложке, а также радиационных дефектов в приповерхностном слое нанометровой толщины, образованных после имплантации ионов с энергией 90 кэВ. С использованием упомянутой модели также обрабатывались кривые качания исходного и ионно-имплантированного образцов для реалистичного определения параметров профилей деформации и структурных характеристик дефектов в подложках и имплантированных пленках с целью численной реконструкции картин динамической дифракции от монокристаллических многослойных образцов.

Представлен краткий обзор основных принципов, используемых при получении аналитических выражений для когерентной и диффузной интенсивностей рассеяния, измеряемых трехкристальным дифрактометром (ТКД). Получены точные аналитические выражения для диффузных компонент как ТКД-профилей, так и карт обратного пространства, измеренных в геометрии дифракции по Брэггу для кристаллов, содержащих микродефекты нескольких типов. Эти формулы получены при использовании обобщенной динамической теории рассеяния рентгеновских лучей неидеальными кристаллами со случайно распределенными микродефектами. Представлены некоторые примеры, демонстрирующие возможности разработанной теории для количественной характеризации несовершенств структуры в реальных монокристаллах. В частности, путем аналитической обработки измеренных ТКД-профилей, кривых отражения и карт обратного пространства определены характеристики сложных структур микродефектов, созданных в кристаллах кремния с помощью методов Чохральского и зонной плавки.

Представлено оцінку невизначеності результатів постійного вимірювання рівня води і витрати в малих річках, каналах і інших невеликих водоймищах в польових умовах за допомогою вимірювальної системи EHP-TEKNIKKА, Фінляндія. Ці вимірювальні системи можуть застосовуватися в різних сферах економіки і бізнесу, володіють низкою технічних і економічних переваг. При оцінці невизначеності отриманих результатів встановлено, що невизначеність типу А може бути оцінена шляхом постійного контролю за процесом калібрування, вимірювань, а також в ході оцінки стабільності вимірювальної системи, а оцінка невизначеності типу В може бути знайдена в результаті розрахунку за стандартними залежностями.

Розвинуто теоретичну модель, яка у тривісьовій схемі формування топографічних зображень некристалічних об'єктів враховує вплив мікро- та макронеоднорідностей в об'єкті, а також інструментальних факторів. При цьому в моделі встановлено і враховано необхідні для розв'язку оберненої задачі фазоваріаційні особливості, чим забезпечено можливість відтворення форми об'єкта з набору профілів інтенсивності.