Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

у знайденому

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Автореферати дисертацій (4)

Книжкові видання та компакт-диски (24)

Пошуковий запит: (<.>U=В379.221$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 35
Представлено документи з 1 до 20

...

Категорія:

Гімчинський О. Г.
Рентгеноакустичні дослідження структури реальних монокристалів кремнію : Дис...канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О. Г. Гімчинський; Чернівецький университет імені Ю. Федьковича. - Чернівці, 1995. - 156 c. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС48940 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Фар Раафат Саід
НВЧ діагностика сруктурно упорядкованих областей в аморфних напівпровідниках : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.03 / Фар Раафат Саід; Харк. держ. техн. ун-т радіоелектрон. - Х., 1998. - 16 c. - укp. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: РА304119 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Martin P. M.
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots = Ємнісна спектроскопія InAs самоорганізованих квантових точок / P. M. Martin, A. E. Belyaev, L. Eaves, P. C. Main, F. W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 7-12. - Библиогр.: 16 назв. - англ.

Ємнісна спектроскопія використується для дослідження електронних властивостей само-організованих InAs квантових точок. Вимірювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емності, C(B), дозволяють досліджувати електростатичний профіль однобар'єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, які містять в AlAs бар'єрі шар само-організованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов'язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повністю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар'єрі, що, на нашу думку, пов'язано з іонізованими дефектами чи домішками, які обумовлені квантовими точками. Показано, що міра компенсації суттєво залежить від ростових умов.

Ключ. слова: MBE growth, InAs quantum dots, capacitance spectroscopy
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Глинчук К. Д.
Определение концентрации углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 204-212. - Библиогр.: 13 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Gomeniuk Yu. V.
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique / Yu. V. Gomeniuk, V. S. Lysenko, I. N. Osiyuk, I. P. Tyagulski, M. Ya. Valakh, V. A. Yukhimchuk, M. Willander, C. I. Patel // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 74-80. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В379.271

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників
Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Zhuchenko Z.Ya.
Optical characterization of pseudomorphic heterostructures / Z.Ya. Zhuchenko, G. G. Tarasov, S. R. Lavorik, Yu. I. Mazur, M. Ya. Valakh, H. Kissel, W. T. Masselink, U. Mueller, C. Walther // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 103-108. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В379.24

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників
Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Lysiuk I. O.
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe / I. O. Lysiuk, V. F. Machulin, Ya. M. Olikh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 28-30. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.18 + В379.221

Рубрики:
Ультразвукові методи структурного аналізу
Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Мармус П. Є.
Рентгенодифракційні дослідження структурних змін в кристалах Si, після високоенергетичного електронного опромінення : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / П. Є. Мармус; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1999. - 19 c. - укp. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.227,022

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників
Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: РА306296 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Клімов А. О.
Домішкові центри в шаруватому селеніді галію, легованому гадолінієм : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / А. О. Клімов; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1999. - 18 c. - укp. - рус.

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.222,022

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: РА306130 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Бурачек В. Р.
Термостимульована релаксація як метод дослідження широкозонних напівпровідників : Навч. посіб. / В. Р. Бурачек, П. П. Бейсюк; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці : Рута, 1999. - 63 c. - Бібліогр.: 75 назв. - укp.

Викладено експериментальні методики та теоретичні розрахунки щодо визначення параметрів центрів захоплення у напівпровідниках за кривими термостимульованої релаксації. Основну увагу приділено негативній термостимульованій провідності та термостимульованому розряду конденсатора, зумовленого станом поверхневих центрів захоплення.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 я73

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: ВА595237 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

12.

Datsenko L. I.
Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing = Зміни структурної досконалості кристалів кремнію, вирощених методами Чохральського та безтигельної зонної плавки, після імплантації атомами кисню та неону з подальшим відпалом / L. I. Datsenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 56-61. - Библиогр.: 9 назв. - англ.

Ключ. слова: кремній, вирощений методом Чохральського та плаваючої зони, преципітати SiO_x, радіаційні пошкодження, іони кисню та неону, брег-дифракція рентгенівських променів, коефіцієнт відбивання, статичний фактор Дебая-Валлєра
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Фодчук И. М.
Исследование структурных изменений в кристаллах при ионной имплантации / И. М. Фодчук, Н. Д. Раранский, А. Г. Гимчинский, А. В. Евдокименко, З. Т. Кузницкий, З. Свянтек // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - 21, № 8. - С. 40-45. - Библиогр.: 11 назв. - рус.

Ключ. слова: кремний, имплантация, рентгеновские методы, структурные изменения, приповерхностные слои
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Любчак В. О.
Метод інжекційної спектроскопії для вивчення глибоких центрів у плівках телуриду кадмію / В. О. Любчак, А. С. Опанасюк, Н. В. Тиркусова, В. І. Харченко // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 6. - С. 741-747. - Бібліогр.: 20 назв. - укp.

Розглянуто простий високоінформативний метод, який дозволяє однозначно ідентифікувати механізм зарядопереносу в досліджуваних структурах та одержувати коректну інформацію про параметри локалізованих станів у забороненій зоні матеріалу безпосередньо з вольт-амперних характеристик (ВАХ) струмів, обмежених просторовим зарядом. Результати моделювання свідчать про добрий збіг параметрів розподілів пасток, розрахованих за допомогою цього методу, з вхідними параметрами глибоких центрів. Експериментальну апробацію кількох модифікацій диференціального методу проведено на високоомних плівках CdTe. Виявлено чотири групи моноенергетичних пасток. Одержані результати свідчать про перспективність методу інжекційної спектроскопії для дослідження глибоких станів у напівпровідникових і напівізолюючих матеріалах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

15.

Кладько В. П.
Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и высоких уровней поглощения / В. П. Кладько, Л. И. Даценко, И. И. Ткач, Д. О. Григорьев, И. В. Прокопенко // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - 21, № 3. - С. 3-9. - Библиогр.: 19 назв. - рус.

Ключ. слова: дифракция, рентгеновские лучи, квазизапрещенные отражения, маятниковые осцилляции интенсивности
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Авраменко С. Ф.
Исследование структурных дефектов в объемных кристаллах карбида кремния / С. Ф. Авраменко, М. Я. Валах, В. С. Киселев, М. Я. Скороход // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - 22, № 3. - С. 33-39. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

За допомогою проекційної рентгенівської топографії та оптичної мікроскопії на проходження і відбиття досліджено структурні дефекти в об'ємних кристалах (булях) карбіду кремнію, вирощених сублімаційним методом Лелі. Було виявлено лінійні дислокації, дислокаційні петлі, проникнення сторонніх фаз, трубчасті пори (мікротрубки) та блоки. Проаналізовано причини виникнення більшості дефектів у SiC-булях. Дослідження показали, що модифікований метод Лелі дає можливість одержувати достатньо досконалі об'ємні кристали карбіду кремнію з низькою щільністю дислокацій та мікротрубок.

Ключ. слова: карбид кремния, метод Лели, дислокация, дислокационная петля, микротрубка, рентгеновская топограмма
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

17.

Фодчук И. М.
Влияние одномерных деформаций на формирование изображений микродефектов на рентгеновских секционных топограммах / И. М. Фодчук, Н. Д. Раранский, С. Н. Новиков, С. В. Бобровник // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - 22, № 1. - С. 69-76. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Числовим рішенням системи рівнянь Такагі досліджено вплив модельних спотворень вихідної та вхідної поверхонь на формування зображень мікродефектів на секційних топограмах у кристалах Si. У випадку слабкого експоненціального згину вхідної поверхні кристала відбувається підсилення прямої складової зображення, розмиття проміжної і підсилення або заглушення динамічної складової зображення - в залежності від місця знаходження мікродефекту. У разі експоненціального згину відбиваючих площин спостережено заглушення прямої складової зображення і перекидання інтенсивності в центр проміжної області зображення.

Ключ. слова: рентгеновская топография, динамическое рассеяние рентгеновских лучей
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

18.

Kasimov F. D.
Dependence of the polycristalline silicon film texture on technological conditions of the film formation / F. D. Kasimov, N. G. Dzhavadov, F. F. Kasimova, N. M. Muradov // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1. - С. 114-117. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.

За допомогою рентгенівської дифрактометрії та растрової електронної мікроскопії досліджено текстури плівок полікристалічного кремнію в залежності від технологічних режимів їх формування. Текстура та морфологія полікремнієвих плівок визначаються температурою та тривалістю нанесення затравочних шарів, на яких вони вирощуються.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

19.

Михайлик
Еліпсометрія надграток і розупорядкованих поверхонь монокристалів GaAs і Si : Автореф. дис...канд. фіз.-мат. наук:01.04.07 / Михайлик; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - Львів, 2000. - 18 c. - укp.

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.225,022

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: РА309463 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

20.

Мельник В. М.
Рентгенодифрактометричні дослідження змін структурної досконалості бездислокаційних монокристалів кремнію під дією іонного опромінення, відпалу та гідростатичного тиску : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. М. Мельник; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 18 c. - укp.

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.227,022

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: РА309490 Пошук видання у каталогах НБУВ

...