Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Експериментально та теоретично встановлено, що в епітаксіальних плівках ферит-гранатів з перпендикулярною анізотропією та підвищеною коерцитивністю існує температурний гістерезис доменної структури. Показано, що у певному співвідношенні констант одноосьової та ромбічної анізотропій в епітаксіальних плівках ферит-гранатів з кристалографічною орієнтацією поверхні може існувати анізотропія типу "похила легка площина".

  Скачати повний текст

Одержано аналітичний розв'язок задачі мілкого акцептора в кубічних напівпровідниках у наближенні нульової маси легкої дірки та знайдено асимптотику хвильової функції у випадку довільного відношення мас дірок. Показано, що форма діркового магнітного полярона анізотропна за рахунок складної валентної зони в напівмагнітних напівпровідниках типу CdMnTe. Наведено новий електричний метод генерації високочастотних акустичних фононів у надгратках у разі стрибкового транспорту. Запропоновано електричний метод спектрально чуттєвого детектування нерівноважних акустичних фононів у напівпровідникових надгратках.

  Скачати повний текст

Досліджено електро- та фотофізичні властивості плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу та гетерополіядерних Cu(II)Mn(II) комплексів з координованими іонами металів. Експериментально доведено, що досліджувані полімерні композити мають напівпровідниковий тип провідності, а композити з гетерополіядерними комплексами - донорний та акцапторний типи фотопровідності. Актентовано на тому, що наявність координованих іонів металу не спричиняє суттєвого впливу на електро- та фотопровідність досліджуваних полімерних композитів. Вперше виявлено вплив зовнішнього електричного поля на оптичні властивості полікомплексів на основі азобензолу та композитів з гетерополіядерними комплексами. Запропоновано феноменологічні моделі, в межах яких якісно пояснюються наведені експериментальні результати. В полімерних композитах на основі полікомплексів азобензолу вперше проведено голографічний запис, який може бути охарактеризований як поляризаційний.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27,022

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА378629 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто вплив ефектів спін-орбітальної та електрон-електронної взаємодій на намагніченість і магнітну сприйнятливість у нанорозмірних квантових точках (КТ) та кільцях (КК). Знайдено залежності намагніченості та магнітної сприйнятливості від параметрів точки (кільця) та величини прикладеного зовнішнього магнітного поля. Встановлено незвичну поведінку у низькотемпературній області, а саме стрибкоподібну зміну магнітних властивостей КТ і КК у разі невеликої зміни прикладеного магнітного поля. Використано в роботі теорію функціоналу густини та рівня Кона-Шема для розрахунку енергетичних рівнів електронів у дворозмірній параболічній квантовій точці (квантовому кільці), заповненій 2 - 6-ма електронами. Виявлено вплив складових Рабши та Дрессельхауза спін-орбітальної взаємодії на енергетичні рівні електронів і магнітні властивості квантових точок (кілець).

Створено метод розрахунку енергетичного спектру та електричних властивостей низьковимірних систем з домішками. На основі моделі сильного зв'язку досліджено електронну структуру, вільну енергію та спін-залежний транспорт вуглецевих нанотрубок з домішками атомів N та Сr. На основі мінімуму вільної енергії виконано геометричну оптимізацію кристалічної структури вуглецевої нанотрубки з домішкою азоту та з домішкою хрому. З'ясовано природу спін-залежного транспорту у вуглецевих нанотрубках з домішкою хрому. Встановлено, що спін-залежний транспорт визначається різницею парціальних густин станів для різних орієнтацій спіна відносно зовнішнього магнітного поля на рівні Фермі та часом релаксації електронних станів. Величина спінової поляризації електронного транспорту зростає у разі збільшення концентрації домішки хрому та збільшенні величини зовнішнього магнітного поля.

Наведено результати експериментальних досліджень структури фазового складу нановуглецевого матеріалу (НВМ), що містить вуглецеві нанотрубки (ВНТ), після кожного етапу обробки. Запропоновано різні схеми термохімічної обробки НВМ. Встановлено оптимальні режими термохімічної обробки для виділення ВНТ із НВМ. Представлено результати експериментальних досліджень магнітоопору НВМ, що містить ВНТ, у магнітному полі до 5 Тл і температурі до 0.54 К. Одержані експериментальні криві магнітоопору НВМ задовільно описуються в межах ефекту стиснення хвильової функції локалізованого стану в магнітному полі спін-поляризаційного механізму.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27,022

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА395144 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27,022

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА403133 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27,022

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА406373 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено систематичне теоретичне дослідження структурних, електронних і сенсорних властивостей наноструктур на основі оксиду цинку (тонких плівок, нанокластерів, нанотрубок, нанодротиків, нанострічок). Проведено квантово-хімічне моделювання електронної структури й адсорбційних властивостей тонких плівок ZnO на основі найбільш активних неполярної та полярної поверхонь, визначено структурні параметри та зміни енергетичного спектру при адсорбції молекул низки газів, актуальних із фундаментальної та практичної точок зору. Встановлено вплив домішок на електронну структуру тонких плівок залежно від концентрації домішок. Показано особливості впливу на електронну структуру та властивості нанотрубок і нанодротиків ZnO дефектів структури та явищ адсорбції молекул газів, окреслено перспективи їх застосування у сенсорах газів і приладах спінтроніки. Визначено атомну структуру, параметри енергетичного спектру, залежність властивостей нанострічок ZnO від хіральності границь, показано вплив домішок на їх електронну структуру та властивості. Встановлено атомну структуру, параметри енергетичного спектру та проведено прогноз стабільності нанокластерів ZnO.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223,022 + В379.27,022

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА447354 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27,022 + В379.37,022

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Електричні і магнітні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: ДС48985 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27,022 + В379.37,022

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Електричні і магнітні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: ДС48985 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено фізичні властивості кристалів та тонких плівок напівмагнітних та радіаційно стійких складних халькогенідних напівпровідників та вплив на ці властивості різних факторів: температури, магнітного поля, опромінення високоенергетичними частинками. Створено гетероструктури методом реактивного магнетронного розпилення на постійному струмі тонких плівок оксидів і нітридів металів на підкладки виготовлені зі радіаційно стійких складних халькогенідних напівпровідників. Створено гетероструктури методом ВЧ-магнетронного розпилення складних халькогенідних напівпровідників на підкладки кремнію, телуриду кадмію. Проведено дослідження електричних та фотоелектричних властивостей створених гетероструктур.