Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: РА326807 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Теоретично досліджено вплив мілких заряджених домішок та зовнішніх полів на енергетичні спектри та розподіл густини ймовірності локалізації квазічастинок в простих та багатошарових сферичних квантових точках (КТ). Дослідження виконано в моделях ефективної маси та прямокутних потенціалів розмірного квантування для квазічастинок як на основі точних розв'язків рівняння Шредінгера за центрального розміщення домішки, так і різними наближеними методами при порушенні сферичної симетрії задачі внаслідок впливу нецентральних домішок та зовнішніх полів. Варіаційним методом та методом розкладу хвильової функції (ХФ) одержано залежність енергетичного спектра, сил осциляторів квантових переходів та еволюцію розподілу густини ймовірності знаходження електрона в основному та збуджених станах від положення донорної домішки у сферичних простих і багатошарових КТ. Показано, що нецентральна заряджена домішка зменшує ймовірність міжзонних квантових переходів у сферичних КТ різного типу. Досліджено особливості впливу електричного та магнітного полів на спектральні властивості складних КТ. Знайдено геометричні параметри двоямних КТ, за яких електрон під впливом зовнішнього магнітного поля тунелює з однієї потенціальної ями в іншу.

Розроблено методику електрохімічного інтеркалювання шаруватих кристалів іонами металів у постійному магнітному полі, за допомогою якої вперше одержані Феромагнітні напівпровідникові сполуки. Уперше одержано інтеркалати на основі GaSe, що володіють феромагнітними властивостями за кімнатної температури. Уперше виявлено сильну залежність електропровідності від орієнтації прикладеного магнітного поля для сполук впровадження Cо{\dn\fs9 0.15}InSe. Уперше виявлено аномалії в поведінці температурних залежностей електропровідності та термоелектрорушійної сили кристалів InSe легованих селенідом ванадію, що мають немонотонний характер. Уперше експериментально підтверджено наявність баричної та тензочутливості шаруватих кристалів InSe та GaSe та їх металевих інтеркалатів. Виявлено, що значення коефіцієнтів баричної та тензочутливості значно більші, ніж для інших напівпровідників і металів. Уперше одержано гетероструктура SnО{\dn\fs9 2}/Cо{\dn\fs9 0.15}GaSe методом пульверизації з наступним піролізом. Виявлено вплив магнітного поля на значення послідовного опору структури.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.23,022 + В379.271.26,022 + В379.271.42,022

Рубрики:

Морфологія кристалів

Вплив дефектів на електропровідність

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: РА422265 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: ДС49677 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Встановлено природу та механізми люмінесценції, з'ясовано закономірності процесів захоплення та рекомбінації носіїв заряду в оксидах на основі галію та алюмінію, для отримання нових функціональних матеріалів для люмінесцентних пристроїв. Визначення реальної структури та дослідження морфології поверхні нано- та полікристалів оксидів на основі галію. Вивчено особливості люмінесценції при УФ- та/або Х-променевому збудженнях, спектрального складу свічення, а також температурні залежності інтенсивності та часу загасання люмінесценції в діапазоні температур 4,5-300 K. Отримано закономірності впливу структурних дефектів і легуючих домішок перехідних та рідкісноземельних елементів на люмінесцентні характеристики та особливості перенесення енергії збудження залежно від структури матриці та типу іонів домішок. Встановлення механізмів захоплення та рекомбінації носіїв заряду у випадку високоенергетичного зона-зонного збудження та встановлення природи локальних енергетичних рівнів, створених власними дефектами структури та домішковими іонами. Розраховано енергетичні параметри центрів захоплення носіїв заряду, побудову моделей центрів свічення і нерівноважних фото- та термостимульованих електронних процесів в оксидах на основі галію й алюмінію, та інше. Вивчено можливості та перспективи застосування ортоалюмінату ітрію, а також галатів магнію та цинку, легованих іонами, для оптично-стимульованої люмінесцентної (далі -ОСЛ) дозиметрії іонізуючого випромінювання. Показано, що під дією іонізуючого випромінювання в матеріалах генеруються електрони та дірки, які захоплюються на глибоких пастках. Визначено, що зчитування дози опромінення здійснюється при оптичній стимуляції в неперервному або імпульсно-модульованому режимі, величина сигналу ОСЛ пропорційна поглиненій дозі. Отримано результати які можна використати для прогнозованої модифікації люмінесцентних та електричних властивостей оксидних матеріалів функціональної електроніки на основі галію та алюмінію шляхом зміни дефектної структури, типу та концентрації домішок, що є важливим для практичного застосування.