Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + З843.312

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: ДС50434 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: ДС53543 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: ДС53543 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено закономірності впливу структури, електричних параметрів, умов вирощування і зовнішніх факторів (термічний відпал, радіаційне опромінення, легування) на термоелектричні характеристики плівок телуриду свинцю та його аналогів. Встановлено, що дрібнодисперсність, збільшення товщини в межах 0,05-0,5 мкм, ізотермічний відпал у вакуумі приводять до зростання термоелектричної добротності тонкоплівкового матеріалу. Термовідпал плівок n-PbTe у атмосфері кисню та їх радіаційне опромінення за рахунок утворення потенціальних бар'єрів на границях зерен при термодифузії і радіаційно-стимульованих процесах обумовлюють аномально високі значення термо-е.р.с.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наведено результати обчислень потенціальної енергії взаємодії заряду з межами поділу в полі сил зображень для багатошарових сферичних структур. Доведено, що діелектрична проникність під час переходу через границі стрибкоподібно змінюється від одного значення до іншого. Показано, що врахування даного потенціалу суттєво змінює спектр зв'язаних станів "частинка - поверхня". Запропоновано модель перехідного шару, в якому діелектрична проникність є плавною функцією координати. У рамках даної моделі обчислено потенціальну енергію взаємодії зарядженої частинки з межами поділу для багатошарових сферичних, циліндричних і плоских структур. Для конкретних гетеросистем обчислено енергетичні спектри електрона та екситону за умов врахування перехідних шарів та без них.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В379.271.51

Рубрики:

р-n переходи

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено теорію явищ переносу в анізотропних напівпровідникових кристалах типу p-Ge і детально проаналізовано можливості анізотропних оптикотермоелементів (АОТ), які використовуються для реєстрації променевих потоків різної потужності та неперервного контролю за ними. За допомогою методу параметра анізотропії розв'язано кінетичне рівняння для напівпровідників типу p-Ge з урахуванням реальної структури енергетичного спектра та специфіки механізмів розсіяння на іонізованих домішках, акустичних, оптичних фононах і дислокаціях за наявності електричного та магнітного полів і градієнта температури. Одержано аналітичні вирази функції розподілу легких та важких дірок Ge, проведено дослідження температурних і польових залежностей рухливості, коефіцієнта Холла, холл-фактора, диференціальної термоедс, а також впливу ефекту фононного захоплення на величину термоедс. Проведено дослідження поперечної термоедс, ККД і вольт-ватної чутливості АОТ для антипаралельних і паралельних напрямків градієнта температури. Побудовано метод розрахунку двовимірного розподілу температури в об'ємі АОТ з урахуванням оптичного поглинання. Досліджено вплив двомірного розподілу температури та термоедс і вольт-ватну чутливість АОТ за відповідних крайових умов для режимів оптичного пропускання, об'ємного та поверхневого поглинань.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.271.51

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено результати експериментальних і теоретичних досліджень термоелектричних властивостей кристалів і тонких плівок телуриду свинцю. Звернено увагу на способи вирощування матеріалів, залежність їх термоелектричних параметрів від конценрації носіїв струму, температури та структурного стану. Запропоновано шляхи оптимізації термоелектричної добротності як телуриду свинцю, так і його аналогів.

Освещены результаты экспериментальных и теоретических исследований термоелектрических свойств кристаллов и тонких пленок телурида свинца. Акцентировано внимание на способах выращивания материалов, зависимости их термоелектрических параметров от концентрации носителей тока, температуры и структурного состояния. Предложены пути оптимизации термоелектрической добротности как телурида свинца, так и его аналогов.

Теоретично досліджено закономірності ефекту екстракції фотоносіїв у варизонних напівпровідникових шарах із постійним градієнтом ширини забороненої зони й омічними контактами за умов однорідного та локального фотозбудження. Детально проаналізовано просторові розподіли концентрації фотоносіїв, а також польові залежності ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду та фотоструму. Показано, коли напрям зовнішнього поля є протилежним до внутрішнього квазіелектричного, на польових залежностях фотоструму може реалізуватись ділянка від'ємної диференціальної фотопровідності, а максимальний фотострум може суттєво перевищувати фотострум насичення однорідних зразків.

Ключ. слова: ковалентная связь и ее флуктуации, переход металл - диэлектрик, метамагнетизм, "колоссальное магнетосопротивление", конкуренция ионных, ковалентных и металлических связей
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.35 + В379.271.5

Рубрики:

Антиферомагнетизм твердих тіл

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено електронні та фононні теплові хвилі у напівпровідниках у разі поверхневого й об'ємного поглинання модульованого електромагнітного випромінювання. Вивчено теплові хвилі у двошарових структурах. Одержано та проаналізовано температурні розподіли в електронній та фононній підсистемах. Досліджено термоелектричний метод детектування електронної температури, а також вплив теплових параметрів поверхонь та інтерфейсу на поширення теплових хвиль у двошаровій системі. Запропоновано загальний підхід для визначення ефективних тепло- та температуропровідностей у межах фототермічного експерименту.

Розглянуто механізм утворення перехідної зони контакту різнорідних матеріалів. Розвиток подальшого фазоутворення базується на уяві про метастабільну область взаємного перемішування. Для визначення складу цієї зони запропоновано модель квазіевтектики. Спроможність висунутої моделі демонструється на прикладі деяких карбідних і силіцидних систем.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.5

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ