Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53

Рубрики:

Сцинтиляційні лічильники

Шифр НБУВ: ДС44834 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53

Рубрики:

Сцинтиляційні лічильники

Шифр НБУВ: ДС44834 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53

Рубрики:

Сцинтиляційні лічильники

Шифр НБУВ: ДС44834 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.53

Рубрики:

Сцинтиляційні лічильники

Шифр НБУВ: ДС44834 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано класифікацію технологічних та конструкційних ознак детекторів іонізуючого випромінювання для жорстких умов експлуатації.

Метою роботи є розробка й створення установки для дослідження повних перерізів ядерних реакцій при взаємодії важких та радіоактивних пучків іонів середніх та високих енергій з ядрами. Сконструйовано установку, в основу роботи якої покладено метод пропускання із застосуванням техніки збігу-антизбігу. Розроблено блок-схему електроніки та логіку її роботи стосовно до часової структури пучка прискорювача.

Виконано розрахунки деформації монокристалів NaI і CsI з урахуванням симетрії кристалів та їх теплового розширення за граничних умов, які можуть бути реалізовані при виготовленні сцинтиляційних детекторів. Отримано залежність поздовжніх напруг від прикладеного до кристалу бокового зусилля та коефіцієнтів теплового розширення при різних температурах. Встановлено взаємозв'язок між зусиллям притискання кристала до вікна детектора і тепловим розширенням кристала, що є важливим фактором при конструюванні сцинтиляційних детекторів.

Розглянуто сучасні проблеми сцинтиляційного матеріалознавства та передових технологій створення компактних і мініатюрних сцинтиляційних детектуючих систем для широкої галузі радіаційного приладобудування. Висвітлено основні науково-технічні аспекти синтезу сировини та вирощування сцинтиляційних кристалів, результати дослідження їх фізичних і радіаційних параметрів. Визначено критерії вибору сцинтилятора та фотоприймача, принципи побудови і конструктивні особливості радіаційних детекторів різноманітного призначення. Подано відомості про характеристики наднизькофонових спектрометричних блоків детектування нового покоління типу "сцинтилятор-ФЕП" на основі "важких" оксидних сцинтиляторів. Розкрито властивості нового типу інтегральних детекторів "сцинтилятор - фотодіод" на основі кристала ZnSe(Te). Наведено ряд прикладів практичного використання сцинтиляторів і сцинтиелектронних детекторів (СЕЛДІ) в медичних, митних і промислових інтроскопах, мініатюрних побутових, професійних багатофункціональних та аварійних дозиметрах, а також у радіометричних і спектрометричних системах.

Погіршення світлового виходу й енергетичного розділення кристалів NaI(Tl) при негерметичному зберіганні пов'язане зі змінами сцинтиляційної ефективності eta і коефіцієнту світлозбирання tau. Погіршення eta у поверховому мертвому шарі сцинтилятора спричиняється ефектом збіднення кристала активатором, а зміни tau, незалежно від розміру детектора - ефектом збагачення поверхні талієм. Запропоновано простий тест для виявлення початкових стадій впливу вологості на властивості кристала NaI(Tl).

Розглянуто механізм радіаційних змін квантового виходу сцинтиляцій. За великих доз опромінювання такі зміни пов'язані з кластерами вакансій (мікропорами). Агрегацію фотоіндукованих вакансій досліджено з урахуванням рекомбінації вакансій з атомами в міжвузловинах, які генеруються одночасно з вакансіями у тій же кількості. Атомами у міжвузловинах не можуть агрегувати один з одним, їх накопичення істотно сповільнює ріст кластерів вакансій. Внаслідок цього стік атомів у міжвузловинах на дислокації грає критичну роль у агрегації фотоіндукованих вакансій. Відношення густин дислокацій і пор являється контролюючим фактором, який в основному визначає режим агрегації і чутливість сцинтиляційного кристала до опромінювання (чутливість реального кристала може змінюватись у межах кількох порядків величини). З урахуванням цього чутливість сцинтиляційного кристала до опромінювання може бути зменшена шляхом зміни відношення густин дислокацій та пор.

Розраховано ізотерми кристалізації CsI(Tl) для автоматизованого витягування з розплаву, що знаходиться в циліндричному та конічному тиглях. Для конічного тигля розрахована ізотерма кристалізації має більш випуклу форму порівняно з аналогічною ізотермою для циліндричного тигля, що вказує на підвищення теплової стійкості процесу витягування. Результати розрахунків якісно узгоджуються з експериментальними даними. Застосування конічного тигля дозволило автоматизувати стадію радіального росту та збільшити швидкість витягування великогабаритних кристалів до 5,5 мм/год навіть при підживленні дрібнокристалічною сировиною.

За допомогою розрахункових методів вивчається процес світлозбирання в сцинтиляційних детекторах різноманітних форм, які мають гладку чи шорстку поверхню. Метод Монте-Карло є основним методом дослідження. Сцинтилятор уявлено як набір ділянок плоскостей, конічних та сферичних поверхонь довільної взаємної орієнтації. Розрахунок розсіювання променя світла шорсткою поверхнею сцинтилятора виконується на основі її уявлення як площини, яку покрито циліндричними борознами довільного напрямку. Розраховано поля коефіцієнта світлозбирання в детекторах, шо мають форму паралелепіпедів, конусів та неправильних пірамід з 4 або 6 гранями. Виявлено джерела змін процесу світлозбирання, які виникають внаслідок застосування шорсткої поверхні на деяких ділянках сцинтилятора.

Розглянуто та удосконалено всі стадії технологічної низки процесу виготовлення сцинтиляційного детектора. Запропоновано способи очищення вихідної сировини, вирощування кристалів з використанням явища орієнтованої кристалізації органічних речовин на відколах неорганічних кристалів. Виявлено, що накладання електростатичного поля електронноакцепторних домішок на міжмолекулярні взаємодії у розплаві дозволяє керувати процесом кристалізації. Запропоновано його термодинамічну модель. Удосконалено методи вирощування кристалів та виготовлення детекторів на їх основі, наведено приклади їх застосування в експериментах і приладах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В381.531,022

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Сцинтилятори для лічильників

Шифр НБУВ: РА307490 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.5

Рубрики:

Методи і апаратура для реєстрації і аналізу ядерних випромінювань

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В386.254 + В381.59

Рубрики:

Нейтронна оптика

Інші методи і апаратура для реєстрації і аналізу ядерних випромінювань

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Узагальнено результати досліджень застосування гелеподібних композицій на основі кремнійорганічних для створення оптичного контакту сцинтиляторів із вихідними вікнами детекторів. Описано оптимальні склади та експлуатаційні властивості композицій для детекторів на основі кристалів NaI(Tl) у формі пластин великої площі, призначених для медичних діагностичних гамма-камер. Показано можливість підвищення надійності оптичного з'єднання сцинтиляторів збільшеної геометрії і складних геометричних форм за рахунок застосування гелеподібних композицій на основі силоксанів із кінцевими вінілсилоксигрупами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314 + В381.531

Рубрики:

Збудженні стани. Центри поглинання

Сцинтилятори для лічильників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено та досліджено трьохрівневу систему автоматизованого керування технологічними процесами одержання великогабаритних монокристалів CsI(Tl) діаметром понад 400 мм. Показано можливість забезпечення напередзаданих структурних і сцинтиляційних характеристик монокристалів CsI(Tl) за рахунок скорочення часу між корекціями температури розплаву за сигналом датчика рівня розплаву. Отримано монокристалічні злитки з підтримкою діаметру не гірше +- 1,5 %.

Розглянуто способи підвищення світлового виходу сцинтиляційного детектора на основі ZnSe(Te), який складається з зернин сцинтилятора, занурених у прозору клейову композицію, розташовану на світлочутливій поверхні фотодіода. Проведено розрахунок коефіцієнта світлозбирання у формах зерен: паралелограм, паралелограм із опуклістю однієї з сторін, 4-гранна піраміда, півсфера, 2- та 6-гранні призми. Показано, що найкращим варіантом для застосування в детекторі є 4-гранна піраміда з кутом нахилу сторін до основи 60 °. Вивчено вплив системи розташування зерен у композиції на світловий вихід детектора.