С позиции системного подхода и современных информационных технологий разработаны концепция, принципы, методы и алгоритмы синтеза технических средств дистанционного контроля и идентификации параметров радиационного загрязнения окружающей среды делящимися материалами и продуктами их распада. Описываются имитационные модели томографических свойств систем гамма-видения и процессы восстановления изображений по их проекциям. Приводится методика моделирования дозиметрических свойств детекторов разного типа. Предложенные модели информационных полей, порождаемых факторами загрязнения территории радионуклидами, позволяют разработать комплекс аппаратуры для глобального мониторинга регионов с экстремальной экологической обстановкой.

Метою роботи є розробка й створення установки для дослідження повних перерізів ядерних реакцій при взаємодії важких та радіоактивних пучків іонів середніх та високих енергій з ядрами. Сконструйовано установку, в основу роботи якої покладено метод пропускання із застосуванням техніки збігу-антизбігу. Розроблено блок-схему електроніки та логіку її роботи стосовно до часової структури пучка прискорювача.

Ключ. слова: dosimetry, semiconductor detectors, epithermal neutrons, silicon, converter
Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: детекторы, ионизирующие излучения, моделирование, полупроводники.
Індекс рубрикатора НБУВ: В377.12в641.8 + В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Среди полупроводников, которые используются в спектрометрах и дозиметрах, ведущие позиции принадлежат широкозонным соединениям Cd1-xZnxTe, CdTe, HgI2. Возникает вопрос, является ли этот выбор окончательным и оптимальным. В попытке ответить на него отобраны физические параметры, критичные для детектирующей способности детектора. Они включают, прежде всего, подвижность, время жизни, атомный номер и удельное сопротивление. На основе выбранных параметров проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.

Among the semiconductor crystals employed in spectrometers and dosimeters the leading positions belongs to the wide-gap compounds Cd1-xZnxTe, CdTe, HgI2. The question arises whether it is the final and optimal choice. In an attempt to answer it, physical parameters, crucial for detector performance were selected. They include, first of all, mobility, lifetime, mean atomic number, and resistivity. An analysis of binary compounds with tetrahedral structure was done on the basis of the selected parameters

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2 + В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Отмечено, что система питания магнитного спектрометра предназначена для установки постоянного магнитного тока в зазоре спектрометра с высокой стабильностью. Система питания построена на мощных высокочастотных ключевых преобразователях. Управление рассматриваемой системой питания осуществляется как в автономном режиме, так и при помощи персонального компьютера. Приведены технические характеристики системы питания. Рассмотрены функциональные схемы как самой системы питания, так и ее основных узлов. Учтены все возможные возмущения, возникающие в процессе управления спектрометром.

Ключ. слова: радиационные повреждения, полупроводникове детекторы, gamma-излучение, корпускулярное излучение, кремний, CdTe, CdZnTe
Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: фотообразование изомеров, индий-115, индий-113, тормозное излучение, кривые выхода, интегральные сечения, активационная методика, германий-литиевый гамма детектор, электростатический ускоритель
Індекс рубрикатора НБУВ: В383.282.72 + В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: sensing rotational excitation, molecules in a laser field
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В381.59

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Інші методи і апаратура для реєстрації і аналізу ядерних випромінювань

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В383.33 + В381.592

Рубрики:

Бета-розпад і електронний захват. Бета-випромінювання

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено результати дослідження спектрометричних характеристик CdTe (CdZnTe) детекторів у процесі реєстрації гамма-випромінювання в діапазоні 15 - 500 кеВ та альфа-випромінювання в діапазоні 4 - 8 МеВ. Показано, що такі детектори можна використовувати для вирішення аналітичних задач з визначення елементів від лантану до плутонію з реєстрацією характеристичного рентгенівського випромінювання К-серії та спектрометрії частинок у методі ядерних реакцій і у процесі ідентифікації ізотопів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.59

Рубрики:

Інші методи і апаратура для реєстрації і аналізу ядерних випромінювань

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592 + В381.91 + З852

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Електроні прилади для вимірювання, відбору і реєстрації даних ядерно-фізичного експерименту

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто застосування математичної моделі діодного детектора, яку побудовано на базі нейромережевих технологій. Модель забезпечує високий ступінь квадратичності вихідного сигналу детектора та вимірювання значення комплексного коефіцієнта відбиття за допомогою тризондового хвилеводного датчика. Оптимальна модель нейронної мережі має структуру 1-10-1 нейронів. Працездатність методу підтверджено даними реального експерименту.

Розглянуто можливість використання кремнієвого стріп-детектора з поліетиленовою плівкою для визначення координат швидких нейтронів. Точність визначення координат швидких нейтронів залежить від особливостей взаємодії нейтронів із поліетиленом, а також від точності реєстрації в стріп-детекторі протонів віддачі, що утворюються внаслідок пружного розсіяння нейтронів у поліетилені. Таким чином, точність визначається енергіями та кутовим розподілом протонів віддачі та характеристиками треків, що утворюються в детекторі. Розраховано залежність середнього заряду, зібраного на смужці, від координати нейтрона. Показано, що найбільш важливим для точності визначення координат є вибір віддалі між смужками. Розглянуто вплив на точність визначення координат інших факторів, таких як розподіл електричного поля в детекторі та відношення довжини треку до відстані між смужками.