Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (11)Книжкові видання та компакт-диски (53)
Пошуковий запит: (<.>U=В381.531,022$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 27
Представлено документи з 1 до 20
...

      
Категорія:    
1.

Зосим Д. І. 
Довгомірні сцинтиляційні позиційно-чутливі детектори гама радіації : автореф. дис... канд. техн. наук / Д. І. Зосим; НАН України. Ін-т монокристалів. - Х., 2007. - 20 c. - укp.

Доведено, що неоднорідний, монотонно спадаючий розподіл виходу світла сцинтиляцій від одного торця довгомірного кристалу до іншого дозволяє створювати координатно-чутливі сцинтиляційні детектори. Установлено, що відтворення лінійного й експоненціального спадання світлового виходу вздовж детектора забезпечується за спеціальних умов збирання світла в сцинтиляторах, які визначаються структурною та оптичною досконалостями кристалів. Доведено, що координатне розділення позиційно-чутливих детекторів визначається енергетичним розділенням сцинтилятора та величиною неоднорідності розподілу світлового виходу вздовж детектора. Установлено, що у явному вигляді воно не залежить від відношення довжини кристала до величини його поперечного перетину. Визначено оптимальні умови існування позиційної чутливості у детекторах на основі монокристалу CsI(Tl). Вони відповідають відношенням довжини кристалу до величини його поперечного перетину від дев'яти до чотирнадцяти, постійним значенням величин енергетичного розділення та перепаду світлового виходу вздовж сцинтилятора від 100 % до 58 %. Установлено, що вплив на кристал механічних напруг зумовлює зміни параметрів позиційної чутливості. Визначено критичні умови пластичної деформації, перевищення яких виключає можливість існування позиційної чутливості. Визначено межі оптимальних значень концентрації активатора й однорідності його розподілу в монокристалах CsI(Tl) для досягнення відтворюваних умов заданого збирання світла у сцинтиляторах за відношення їх довжини до поперечного перетину в межах від дев'яти до десяти. Показано, що залежність

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА353757 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Бердичевський О. М. 
Ефекти вібронної взаємодії в багатокомпонентних галоїдних кристалах, активованих ртутеподібними іонами : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / О. М. Бердичевський; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2005. - 19 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022 + В379.22,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА340055 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Борисенко А. Ю. 
Оптимізація методів отримання полістирольних композицій з метою підвищення їх сцинтиляційних характеристик : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.02.01 / А. Ю. Борисенко; НАН України. Наук.-технол. концерн "Ін-т монокристалів". - Х., 2000. - 19 c. - укp.

Розглянуто питання оптимізації методів отримання полістирольних композицій як сцинтиляторів у детекторах іонізуючого випромінювання. Досліджено радіолюмінісцентні полістирольні композиції, виготовлені згідно з методами полімеризації у масі та лиття під тиском. Визначено вплив технологічних режимів отримання полістирольних композицій на їх сцинтиляційні характеристики. За допомогою методу прискорених випробувань проаналізовано вплив термо- та радіаційного старінь на характеристики композицій. Встановлено оптимальні умови використання полістирольних композицій: прогнозний термін використання, допустиму дозу і потужність дози опромінення. Запропоновано оптимальні технологічні режими виготовлення полістирольних композицій з високими сцинтиляційними характеристиками. Розроблено оптимальні режими виготовлення композицій полімеризацією у масі та литтям під тиском, які дозволили виготовити сцинтилятори, що перевищують за основними характеристиками кращі закордонні аналоги.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: Л712.121 + В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА310470 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Тимошенко М. М. 
Оптимізація параметрів процесу вирощування кристалів $Eroman bold {A sup I B sup VII } із розплаву безперервним методом : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.02.01 / М. М. Тимошенко; Ін-т монокристалів НАН України. - Х., 2009. - 19 c. - укp.

Проведено комплексне дослідження процесів росту довговимірних (до 600 мм) кристалів CsI(Na), CsI(Tl) діаметром до 300 мм і NaI(Tl) діаметром до 500 мм, вирощених за безперервного методу на установках "РОСТ". Виявлено ідентичні закономірності утворення об'ємних дефектів кристалічної структури. Показано, що теплообмін у ростовій печі складається з трьох стадій. Визначено вплив конденсату розплаву на загальний теплообмін та показано можливість управління кількістю конденсату на поверхні кристалу шляхом зміни швидкості росту та складу газової атмосфери у ростовій печі, що дозволяє керувати формою фронту кристалізації у процесі росту. Виявлено, що у разі вирощування зливків максимального діаметра без додаткової корекції температури бічного нагрівача концентрація активатора збільшується за довжиною кристалу, що зумовлено збільшенням об'єму частини кристала, що занурена в розплав, через зростаючий теплопереніс від бічної поверхні кристала до периферичної кільцевої ємності тигля. Експериментально встановлено зв'язок температурноії інерції системи нагрівач - тигель - кристал з габаритами кристала, що росте. Розроблено та впроваджено у виробництво для вирощування довговимірних кристалів нову двоконтурну систему автоматичного керування процесом вирощування та новий алгоритм керування діаметром кристалу з обмеженням температури донного нагрівача відповідно до стадій росту. Встановлено оптимальні параметри вирощування, що дозволяють одержувати монокристали для виготовлення з них сцинтиляторів довжиною до 550 мм і покращаною на 25 % енергетичною роздільною здатністю (R = 6,9 %).

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В375.143.1в641.8,022 + К967.2 + В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА363342 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Будаковський С. В. 
Органічні кристали для сцинтиляційної техніки : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.02.01 / С. В. Будаковський; НАН України. Наук.-технол. концерн "Ін-т монокристалів". - Х., 1999. - 18 c. - укp. - рус.

Розглянуто та удосконалено всі стадії технологічної низки процесу виготовлення сцинтиляційного детектора. Запропоновано способи очищення вихідної сировини, вирощування кристалів з використанням явища орієнтованої кристалізації органічних речовин на відколах неорганічних кристалів. Виявлено, що накладання електростатичного поля електронноакцепторних домішок на міжмолекулярні взаємодії у розплаві дозволяє керувати процесом кристалізації. Запропоновано його термодинамічну модель. Удосконалено методи вирощування кристалів та виготовлення детекторів на їх основі, наведено приклади їх застосування в експериментах і приладах.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА306255 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Яричкін В. В. 
Особливості формування імпульсу затриманої радіолюмінесценції в органічних діелектриках : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В. В. Яричкін; НАН України. Наук.-технол. концерн "Ін-т монокристалів". - Х., 2000. - 16 c. - укp.

Обгрунтовано межі застосування дифузійного наближення під час розв'язання кінетичних рівнянь, що описують процес формування імпульсу затриманої радіолюмінесценції. Експериментально встановлено залежність характерного радіуса зон високої густини активації органічних сцинтиляторів від типу іонізуючого випромінювання. Проаналізовано вплив мономолекулярних пасток триплетного збудження на кінетику формування імпульсу затриманої радіолюмінесценції. Подано опис механізму процесів, які виникають у зонах високої густини активації органічних діелектриків у початкові моменти часу після проходження частинки іонізуючого випромінювання.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.349,022 + В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА311396 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Сенчишин В. Г. 
Полістирольні сцинтилятори для фізики високих енергій : Автореф. дис... д-ра техн. наук : 05.02.01 / В. Г. Сенчишин; НАН України. Наук.-технол. концерн "Ін-т монокристалів". Ін-т монокристалів. - Х., 2001. - 30 c. - укp.

Встановлено закономірності зв'язку між технологічними параметрами одержання полімерних сцинтиляторів для досліджень з фізики високих енергій та їх прозорістю, довгостроковою стабільністю, термо- та вологостійкістю, радіаційною стійкістю на основі теоретичного й експериментального вивчення основних фото- та теплофізичних процесів і механіки різання. Визначено теоретичну межу прозорості полістирольних сцинтиляторів на підставі аналізу механізму ослаблення світла в полімерній матриці, зумовленого синглет-синглетним, синглет-триплетним, двоквантовим і поглинанням високочастотних коливань С-Н зв'язків. Запропоновано класифікацію домішок за допомогою моделі переносу енергії збудження в полістиролі. Розроблено нову концепцію визначення якості сировини та сцинтиляційної композиції. Створено технологію одержання великогабаритних пластмасових сцинтиляторів (ПС) масою до 1 тонни з об'ємною прозорістю до 4 м в полімеризаторі з повітряним теплоносієм і в формі з силікатного скла з введенням підсилювачів дифузії та оптимізацією молекулярно-масових характеристик полімерного матеріалу. Виявлено залежність між складом, методом одержання, потужністю дози опромінення ПС та їх радіаційною стійкістю. Висвітлено режими механічної обробки, підібрано інструмент і реалізовано технологію отримання ПС високого класу чистоти. Встановлено залежність між терміном служби та молекулярно-масовими характеристиками сцинтиляційного матеріалу. Розроблено та виготовлено нові вітчизняні ПС серії UPS, які за сукупністю сцинтиляційних і експлуатаційних параметрів перевершують ПС провідних фірм виробників (BICRON, Kuraray, NE).

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА316095 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Георгадзе А. Ш. 
Розрахунки детекторів сонячних нейтрино низьких енергій : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / А. Ш. Георгадзе; НАН України. Ін-т ядер. дослідж. - К., 2007. - 25 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022 + В387.041.403.4,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА354047 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Андрющенко Л. А. 
Розробка оптичних захисних покриттів для сцинтиляторів на основі кристалів CsI і NaI : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.02.01 / Л. А. Андрющенко; НАН України. Ін-т монокристалів. - Х., 2006. - 19 c. - укp.

Обгрунтовано шляхи удосконалення детекторів складних геометричних форм на основі кристалів йодидів натрію й цезію. Розроблено кремнійорганічні композиції для створення оптичних контактних (ОКП) та захисних покриттів (ЗП) з новими функціями та поліпшеними експлуатаційними властивостями. Запропоновано нові способи обробки поверхні кристалів з урахуванням технологічних операцій склеювання та нанесення покриттів. Показано, що спектрозміщуючі ЗП на поверхні сцинтиляторів у формі зрізаних гексагональних пірамід CsI й призм CsI:TI поліпшують енергетичне розділення, осьову неоднорідність виходу та забезпечують їх стабільність під час експлуатації. Розроблено новий сопосіб корегування осьової неоднорідності світлового виходу сцинтиляційних модулів CsI та CsI:TI за допомогою ЗП. Встановлено, що розроблені ОКП забезпечують поліпшення експлуатаційних характеристик сцинтиляторів NaI:TI великої площі для медичних гамма-камер та з більшим відношенням висоти до діаметра для геофізичної апаратури. Показано, що розширення функцій ОКП та поліпшення їх експлуатаційних властивостей дозволило створити нові конструкції комбінованих детекторів для радіоекологічних досліджень з меншим фоновим випромінюванням та більш високим світловим виходом.


Індекс рубрикатора НБУВ: К967.2 + В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА346921 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Трефілова Л. М. 
Роль домішкових іонів COsub3/sub; sup2-/sup у процесах утворення центрів свічення і центрів забарвлення в кристалах йодиду цезію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Л. М. Трефілова; НАН України. Наук.-технол. концерн "Ін-т монокристалів". - Х., 2000. - 20 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.34,022 + В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА311122 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Гаврилюк В. П. 
Чисельне моделювання процесу світлозбирання в сцинтиляційних детекторах складної форми : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.02.01 / В. П. Гаврилюк; НАН України. Ін-т монокристалів. - Х., 1999. - 19 c. - укp. - рус.

За допомогою розрахункових методів вивчається процес світлозбирання в сцинтиляційних детекторах різноманітних форм, які мають гладку чи шорстку поверхню. Метод Монте-Карло є основним методом дослідження. Сцинтилятор уявлено як набір ділянок плоскостей, конічних та сферичних поверхонь довільної взаємної орієнтації. Розрахунок розсіювання променя світла шорсткою поверхнею сцинтилятора виконується на основі її уявлення як площини, яку покрито циліндричними борознами довільного напрямку. Розраховано поля коефіцієнта світлозбирання в детекторах, шо мають форму паралелепіпедів, конусів та неправильних пірамід з 4 або 6 гранями. Виявлено джерела змін процесу світлозбирання, які виникають внаслідок застосування шорсткої поверхні на деяких ділянках сцинтилятора.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА305062 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
12.

Кравченко В. М. 
Інфрачервона фотолюмінесценція кристалів ZnSe і ZnSe(Te) : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / В. М. Кравченко; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 1999. - 18 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА307490 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
13.

Мартиненко Є. В. 
Первинний розмін енергії іонізуючої частинки у трекових ділянках органічних сцинтиляційних кристалічних матеріалів : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Є. В. Мартиненко; НАН України; Ін-т монокристалів. - Х., 2009. - 19 c. - укp.

Розглянуто процеси первинного розміну енергії у треках іонізуючих випромінювань в органічних молекулярних кристалічних сцинтиляційних матеріалах. Запропоновано напівемпіричний опис процесу первинного розміну енергії у трекових ділянках органічних кристалічних сцинтиляторів, що враховує вплив ефекту електронної поляризації зарядовими станами молекул у треку. Доведено, що первинне гасіння у треку іонізуючої частинки для органічних сцинтиляторів має концентраційно-контрольований характер. Показано, що швидка рекомбінація поляронних пар, що виникли одразу після розпаду плазмонів, яка відбувається одночасно з формуванням відповідної ділянки треку, сприяє вирівнюванню радіального розподілу концентрації пар поляронів в ньому за час, коротший від формування треку по всій його довжині.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА368434 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
14.

Дацько Ю. М. 
Розвиток методів осаджувального розкислення розплаву для одержання монокристалів йодиду цезію з покращеними сцинтиляційними параметрами : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 / Ю. М. Дацько; НАН України, Ін-т монокристалів. - Харків, 2013. - 20 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В375.143.1,022 + В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА404606 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
15.

Літічевський В. О. 
Композиційні сцинтиляційні елементи на основі дисперсного селеніду цинку і оксидних сцинтиляторів : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 / В. О. Літічевський; НАН України, Ін-т монокристалів. - Харків, 2014. - 20 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022 + В379.24,022 + К967.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА407203 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
16.

Вельможна О. С. 
Розробка методів збагачення гадолінієм пластмасового сцинтилятору : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 / О. С. Вельможна; НАН України, Ін-т монокристалів. - Харків, 2015. - 20 c. - укp.

Розроблено оптимальні методи введення гадолінійвмісних сполук в полімерну основу пластмасового сцинтилятора для створення сцинтиляційного матеріалу з максимально можливим рівнем концентрації гадолінію. Здійснено вибір оптимального "органічного" оточення іона гадолінію, спорідненого полімерній основі полістиролу (ПС), а також вибір методів введення комплексів в полімерну матрицю: шляхом розчинення або хімічного зв'язування. Здійснено синтез і дослідження властивостей комплексів карбоксилатів гадолінію, що відповідають заданим вимогам. Встановлено оптимальні умови полімеризації полімерної основи, які сприяють ефективності введення комплексу гадолінію. Досліджено сцинтиляційні характеристики одержаних ПС і визначено оптимальні концентрації комплексів гадолінію для одержання ПС з високою сцинтиляційною ефективністю.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022 + Л719.96:В

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА419287 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
17.

Таранюк В. І. 
Отримання кристалів галогенідів гарнісажним методом : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 / В. І. Таранюк; НАН України, Ін-т монокристалів. - Харків, 2015. - 20 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147,022 + В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА418781 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
18.

Мокіна В. М. 
Сцинтиляційні детектори на основі кристалів молібдатів та вольфраматів для пошуку подвійного бета-розпаду : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.16 / В. М. Мокіна; НАН України, Ін-т ядер. дослідж. - Київ, 2015. - 20 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022 + В383.34,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА417156 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
19.

Галяткін О. О. 
Взаємодія іонізуючого випромінювання з композитами на основі полімерів і мікро- та нановключень : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / О. О. Галяткін; Львів. нац. ун-т ім. І. Франка. - Львів, 2017. - 19 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА428687 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
20.

Волошина О. В. 
Отримання та характеристики сполук REAOsub4/sub (RE - рідкісноземельний елемент, A - V, Nb, Ta) для сцинтиляційних застосувань : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 / О. В. Волошина; НАН України, Ін-т монокристалів. - Харків, 2017. - 20 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.531,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА430663 Пошук видання у каталогах НБУВ 


...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського