Описано автоматизований вимірювач параметрів напівпровідникових приладів, виконаний на основі персонального комп'ютера типу ІВМ РС/АТ. Результати вимірювань використовуються при формуванні бібліотек математичних моделей напівпровідникових виробів (біполярних та польових транзисторів, діодів, стабілітронів) для програм схемотехнічного моделювання типу PSpice. Числові значення параметрів моделей визначаються за допомогою оригінального програмного забезпечення.

Розглянуто проблеми, що виникають під час створення вимірювачів імітансу для параметричного контролю напівпровідникових структур. Наведено принципи побудови таких вимірювальних засобів. Показано, що за допомогою дельта-модуляції можна розширити діапазони робочих частот та електричного зміщення досліджуваних об'єктів за умов збереження швидкодії методу прямого перетворення імітанса на напругу.

Приведены результаты моделирования нестационарных процессов эксклюзии и аккумуляции неравновесных носителей заряда в германиевых структурах различной геометрической формы (параллелепипед, полый цилиндр, сфера). Рассчитаны профили концентрации носителей и напряженности электрического поля и изучены некоторые особенности переходных процессов при установлении стационарных режимов.

Предложено использовать мелкозернистые пленки поликристаллического кремния в качестве отсекающих фоторезисторов, спектральный диапазон пропускания которых можно регулировать размером зерен. Использование пленок поликристаллического кремния вместо монохроматических фильтров на основе стекла позволяет упростить конструкцию фильтровых спектральных приборов для дистанционного измерения малых газовых составляющих атмосферы.

It was suggested to use the fine polycrystalline silicon films for photodetectors, more over the spectral range may be regulated by technological conditions of films growth

Розглянуто основні механізми генерації та рекомбінації нерівноважних носіїв заряду, а також процеси їх руху в напівпровідниковому кристалі. Розкрито фізичну сутність явищ, а також їх зв'язки з іншими областями фізики твердого тіла. Визначено суть поняття глибоких і демаркаційних рівнів, розглянуто статистику рівноважних носіїв заряду, а також статистику Шоклі - Ріда - Холла. Проаналізовано залежності часу життя даних носіїв від температури, а також положення рівнів Фермі. Висвітлено процес дифузії та дрейфу нерівноважних носіїв, а також особливості їх генерації та руху під час монополярної провідності.

Рассмотрены основные механизмы генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда, а также процессы их движения в полупроводниковом кристалле. Раскрыты физическая сущность данных явлений, а также их связи с другими областями физики твердого тела. Определено содержание понятий глубокого и демаркационного уровней, рассмотрена статистика равновесных носителей заряда, а также Шокли - Рида - Холла. Проанализированы зависимости продолжительности жизни данных носителей заряда от температуры, а также положения уровней Ферми. Освещен процесс диффузии и дрейфа неравновесных носителей, особенности их генерации и движения во время монополярной проводимости.

Показано, что установленный ранее механизм преобразования текущего спектра флуктуаций проводимости Sg(f) во флуктуации напряжения Su(f) в образце с нелинейной вольт-амперной характеристикой Su(f) = Sg(f)rdU (где rd - дифференциальное сопротивление образца, U - падение напряжения на нем) подтверждается в резисторах, барьерах Шоттки, p-n-переходах, варисторах и вакуумных диодах.

Is shown, that the established earlier mechanism of transformation of the current spectrum fluctuations of conductivity Sg (f) in fluctuation of a voltage Su (f) in a sample about nonlinear carrent-voltage characteristic Su (f)=Sg (f) rdU (where rd - differential resistance of a sample, U - a power failure on it) proves to be true in resistors, barriers Shottki, p-n junction, varistors and vacuum diodes.

Рассмотрено влияние длины световых волн на стабильность смещения фоторезисторов. Показано, что существует узкая область, в которой спонтанные флуктуации падения напряжения на фоторезисторе существенно возрастают.

Influence of length of light waves on stability of displacement of photoresistors is discussed. It is shown, that there is a narrow area in which spontaneous fluctuations of a power failure on the photoresistor essentially grow

Рассмотрены результаты анализа и численного моделирования нагрузочной способности и системного быстродействия для элементов на комплементарных биполярно-полевых структурах с минимальными наноразмерами. Показана возможность достижения высокой нагрузочной способности функционально-интегрированных элементов.

Запропоновано метод визначення параметрів адаптивної моделі, яка представлена аналітичною трансцендентною функцією, на основі експериментальних характеристик двох- та багатополюсних нелінійних елементів. Одержані результати забезпечують задану точність моделювання широкого класу електронних компонентів та пристроїв в режимах малих та великих сигналів.

Розширено можливості традиційних програмних пакетів схемного моделювання PSpiсe та MicroCAP у процесі розробки моделей і принципів електротеплового моделювання (ЕТМ) електронних схем із динамічним саморозігрівом елементів струмом живлення. Завдання такого ЕТМ характерні для пристроїв потужної електроніки, термостатів, термоанемометричних сенсорів потоку тощо. Запропоновані принципи ЕТМ продемонстровано на прикладах дослідження вольтамперних характеристик терморезисторів, діодів і транзисторів під час їх динамічного саморозігріву.

Досліджено енергетичні властивості L-, C-негатронів, що дозволило визначити взаємозв'язок між видом вебер-амперної, кулон-вольтної характеристик та еквівалентними їх схемами. Визначено умови стійкості та можливі режими роботи навантажених L-, C-негатронів N- і S-типів. Виявлено чутливість електронних кіл з даними негатронами. Показано, що L-, C-негатрони є багатофункціональними елементами, використання яких дозволяє покращати технічні характеристики елементів автоматики. Вивчено динамічні негатрони на базі біполярних і польових транзисторів у схемах включення з спільними емітером і витоком. Розглянуто коливальні контури з L-, C-негатронами. Розроблено ряд елементів автоматики на їх базі (індуктивні та ємнісні сенсори на базі L-, C-негатронів, що мають у 20 - 40 разів більшу чутливість, у порівнянні до прототипів; широкосмугові високочастотні аналогові ключі на C-негатронах).

Розроблено комплексну математичну модель з метою проведення розрахунків різних типів діодних і тріодних вістрійних структур. На підставі даної моделі здійснено моделювання досліджених структур з урахуванням кремнієвого вістря (КВ) і вістря, вкритого алмазноподібною плівкою (АПП). Уперше досліджено тріодну структуру на підставі КВ, вкритого АПП з сіткою, нанесеною на поверхню катоду. Обгрунтовано можливість одержання та підсилення коливань з урахуванням даних структур у діапазонах до 300 ГГц у тріодних структурах і до 1 000 ГГц у різноманітних модифікаціях діодних структур, а також зменшення робочих напруг у тріодних структурах до величини порядку 20 - 30 В на аноді та 10 - 15 В на сітці.

  Скачати повний текст

Розглянуто питання розробки достовірних експериментальних і розрахункових методів визначення критеріїв появи та кількісних характеристик оборотних відмов (відхилення вольтамперних характеристик) напівпровідникової елементної бази електрорадіовиробів (діодів) за дії імпульсного електромагнітного випромінювання. Побудовано фізичну модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів. Одержано розрахункові співвідношення для визначення кількісних характеристик оборотних відмов напівпровідникових діодів (енергії випромінювання) за умов перехідного та черенковського випромінювання. Проведено експериментальне дослідження впливу імпульсного електромагнітного випромінювання на вольтамперні характеристики діодів у діапазоні робочих напруг і струмів приладів такого типу. Проведено порівняльний аналіз результатів експериментальних досліджень і розрахункових оцінок оборотних відмов, доведено адекватність запропонованої фізичної моделі появи відмов напівпровідникових приладів за умов дії імпульсного випромінювання та можливість її застосування для одержання кількісних характеристик відмов такого роду.

Исследованы нестационарные процессы в резонансной электронно-волновой системе с предварительной модуляцией электронного потока. Теоретический анализ проведен на основе нелинейной многомерной теории гибридных приборов О-типа. Установлены основные закономерности воздействия мощности внешнего сигнала на ширину полосы синхронизации. Рассмотрены режимы синхронизации колебаний, биений и прерывистой генерации для различных значений параметров колебательной системы и внешнего сигнала.

Розглянуто напівпровідникові прилади: їх конструктивно-технологічні особливості та принцип дії. Наведено статичні характеристики та параметри напівпровідникових приладів, методики визначення параметрів за вольтамперними характеристиками. Наведено аналіз температурних та частотних властивостей. Проаналізовано еквівалентні схеми. Наведено порівняльний аналіз напівпровідникових приладів. Розглянуто принцип роботи та структуру силових напівпровідникових приладів. Наведено приклади розв'язання задач.

An Electro-Optical Hybrid Logic Gate is defined as a circuit that accepts either electrical or optical signals and produces both electrical and optical signals. This paper explores the feasibility of developing hybrid gates for logic functions namely OR and AND, which can perform the intended logic function either with electrical or optical input signals and produce the output both in the form of electrical and optical signals. These hybrid logic gates are proposed and implemented using phototransistors and LEDs. The logic circuits are found to be operating satisfactorily for the defined logic levels.

Виконано дослідження температурного поля силових напівпровідникових приладів (НПП) за дії струмового імпульсу довільної форми на базі моделі, що адекватно відтворює їх конструкцію; розроблено інженерну методику розрахунку, що надає можливість правильно розраховувати тепловий режим роботи НПП у складі напівпровідникових апаратів і раціонально вибирати їх тип; наведено приклади розрахунку.

Наведено теоретичне обгрунтування застосування ряду світловипромінювальних приладів як оптонегатронних елементів, розроблено класифікацію оптонегатронів, визначено фактори, що впливають на появу від'ємного диференційного опору в світловипромінювальних приладах.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-01

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ