Наведено результати дослідження газової чутливості контактних структур надтонкий шар титану - кремній. Аналіз експериментальних результатів та квантово-хімічні розрахунки методом СУП МО ЛКАО в наближенні нехтування диференціальним двохатомним перекриванням (НДДП) дають можливість вважати, що газову чутливість контактних структур при адсорбції аміаку можна пояснити перерозподілом електронної густини в атомах кисню і кремнію, що входять до складу перехідного шару межі поділу метал - кремній. Цей процес приводить до зміни ефективної діелектричної проникності перехідного шару, що в свою чергу визначає зміну вольт-амперної характеристики (ВАХ) контактної структури.

Разработана физическая модель операций бесконтактного химико-механического полирования и химической резки. Получены аналитические выражения, связывающие геометрию образованной поверхности и скорость обработки с физическими параметрами протекающих процессов, что позволяет использовать результаты работы при разработке травящих растворов и выборе оптимальных технологических режимов операций бесконтактного безабразивного передела слитков для получения полупроводниковых подложек.

The physical model for the non-contact operations of chemo-mechanical polishing and chemical cutting which are used in a process engineering of manufacture of semiconductor substructures was developed The analytical expressions which are connecting geometry of a formed surface and a velocity of handling to physical parameters of flowing past processes was obtained. It was established that a macro-relief of the treated surface was depended only on a speed of relative moving of the tool and a treated specimen, a distance between the pad and the specimen and a diffusion coefficient of active component in etching solution. The velocity of shaping essentially depends on concentration of an active component of an etchant, chemical reaction, physical properties of substance of the sample and etchant. The theoretical and experimental dependencies was revealed the potentially large reserves of a raise of a velocity polishing and chemical cutting. The comparison of experimental dependencies of treated samples InSb, HgCdTe with theoretical expressions has shown their qualitative and good quantitative co-ordination. It is allows to use outcomes of work by development an etchant and choice of optimum technological conditions for the operations of non-contact treatment of ingots for manufacture of semiconductor substructures.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрено электронное устройство управления электролизом при импульсной подаче напряжения на электролитическую ячейку, что позволило изменением амплитуды импульсов напряжения и тока, их длительности и скважности управлять скоростью и качеством осаждения как отдельных металлов, так и соотношением количества металлических компонентов в электроосаждаемой смеси с учетом их электродных потенциалов. Проведены исследования по осаждению никеля и эвтектических сплавов в системе In-Sn, In-Bi.

In paper it is described the electronic device and method of its using for impulsive galvanostatic and potential-static regimes of one or several metals electrodeposition simultaneously. At impulsive voltage supply on electrolytic cell the electrolysis allows by changing of amplitude of voltage and current impulses, their duration and off-on-time ratio, to control the deposition velocity and quality both of separate metals and ratio of metal component amount in electro-deposited mixture considering their electrode potentials. Investigations of nickel deposition and eutectic alloys in In-Sn, In-Bi system were carried out.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж16166 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана многослойная система металлизации, состоящая из слоя силицида, барьерного слоя и низкоомного верхнего контактного слоя для устранения взаимодействия с нижележащим слоем кремния в контактных "окнах".

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-067 + В379.224

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З852-06

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: РА364413 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Одержано математичні залежності для визначення питомого тиску, необхідного для вирівнювання пластин перед шліфуванням, що дозволяє одержати критичну область залежно від товщини та початкового прогину пластини, в якій не забезпечується повне вирівнювання. Наведено метод розрахунку розподілу залишкових напруг і деформацій напівпровідникової пластини, з використанням якого здійснено математичне моделювання процесу формоутворення пластин і обгрунтовано можливість контролю їх товщини у даному процесі. Розроблено шляхи розв'язання задач сполучення операцій формоутворення пластин і контролю їх товщини. Розвинуто ємнісний метод виміру товщини пластин, що дозволяє підвищити продуктивність технологічного процесу їх формоутворення. Створено засоби та розроблено комп'ютерну модель її автоматичного операційного контролю, проведено експериментальне дослідження з метою оптимізації параметрів системи цього контролю.

Розроблено спосіб виготовлення твердих поруватих джерел бору та досліджено процеси, що відбуваються під час їх створення. Виявлено залежність параметрів твердих планарних джерел бору від ступеня диспергування компонентів, способу формування та режимів спікання. З'ясовано оптимальну геометрію даних джерел бору на термостійких підкладках. Визначено коефіцієнти лінійного термічного розширення основних матеріалів дифузантів і алюмоборосилікатних сполук залежно від температури. Здійснено дослідження напруженого стану твердих планарних джерел у процесі тривалої експлуатації. Установлено залежність дифузійних параметрів джерел від часу та температури, за якої відбувається процес легування. Визначено зміни складу дифузанту у процесі тривалої експлуатації за методами рентгено-фазового та ізотермогравіметричного аналізів. Запропоновано механізм переносу оксидів легувальних домішок від джерела до пластини кремнію, що дозволяє оцінити дифузійні параметри джерел діаметрами 300 мм і більше.

  Скачати повний текст

Досліджено температурно-часові характеристики процесу відпалу, їх зв'язок зі структурними, механічними й електрофізичними параметрами монокристалів HIH GaAs. Розглянуто вплив часу термообробки та охолодження на показники стабільності електрофізичних параметрів монокристалів з різною стехіометрією та структурою дислокацій. Методом дослідження профілів дифузії домішки встановлено вплив стехіометрії на електрофізичні властивості HIH GaAs. Розглянуто особливості одержання епітаксійних шарів арсеніду галію з розчину в розплаві вісмуту. Висвітлено перспективність застосування ізовалентного розчинника для однорідного розподілу дислокацій і зменшення їх щільності в епітаксійних шарах. Запропоновано способи одержання p - n-структур HIH GaAs для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання та структур фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання методом рідкофазної епітаксії, з використанням ізовалентного металу -розчинника вісмуту з покращеними приладовими характеристиками.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5 + З852-06,021

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: ВА725525 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06 + В371.236

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты работ в области создания технологий производства и проектирования изделий полупроводниковой СВЧ-электроники, выполняемых в Томском государственном университете систем управления и радиоэлектроники. Предложена концепция компьютерного моделирования устройств микро- и наносистемной техники на базе метода компонентных цепей.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрено влияние среды выращивания кремниевых основ на образование на их поверхности напыленного слоя. Исключение образования на поверхности кремниевых основ напыленного слоя предлагается путем проведения процесса плавки в газовой среде при давлении выше атмосферного.

Исследовано влияние низкотемпературного отжига исходных монокристаллов InSe на фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-InSe - p-InSe. Найдено, что максимальное улучшение фотоэлектрических параметров гетеропереходов n-InSe - p-InSe наблюдается при температурах отжига 150 - 200 градусов по Цельсию. Повышение качества монокристаллических образцов после отжига подтверждено мультиплетностью спектров ЯКР, которые отражают упорядочение в системе политипов слоистой структуры InSe.

Досліджено пластини з шаром пористого кремнію, одержаного за допомогою методу хімічного травлення. Одержано спектральні залежності фоточутливості контакту Al/пористий кремній та порівняно з аналогічною залежністю для контакту Al/c-Si. Проведено аналіз залежності інтегральної фоточутливості зразків від часу травлення.