На підставі проведеного аналізу сучасних досягнень стосовно побудови елементів і пристроїв автоматики на базі напіпровідникових структур Шоттки показано перспективність застосування з цією метою двозатворних напівпровідникових структур Шоттки, що є багатофункціональними електронними приладами. Їх використання у режимі потенційної нестійкості дозволяє покращити технічні характеристики певних елементів і пристроїв автоматики. Розроблено узагальнену імітансну математичну модель двозатворної напівпровідникової структури Шоттки, що забезпечує проведення її досліджень як 18-ти узагальнених перетворювачів імітансу у частотній області за будь-яких значень імітансу, що перетворюється. Одержано аналітичні залежності робочих параметрів польових структур Шоттки в області потенційної нестійкості від частоти імітансів, що перетворюються. Визначено умови реалізації на їх базі високодобротних аналогів індуктивності та керувальних елементів. Розвинуто теорію оцінки ефективності керувальних елементів, базуючись на узагальнених перетворювачах імітансу, що використовують потенційно-нестійкі двозатворні польові структури Шоттки. Досліджено імітансні параметри 18-ти чотириполюсників на базі двозатворних транзисторів Шотки, що дозволило виявити їх властивості як узагальнених перетворювачів імітансу та визначити умови потенційної нестійкості. Розроблено та досліджено схему включення двозатворної потенційно-нестійкої структури Шоттки, що забезпечує реалізацію напівпровідникового еквівалента індуктивності у вигляді напівпровідникової мікросхеми у широкому діапазоні частот. Розроблено схеми комбінованих динамічних негатронів на базі

Обгрунтовано вибір фізичної еквівалентної схеми польового транзистора Шотткі (ПТШ) з урахуванням ефекту Ганна. Досліджено імпедансні характеристики чотириполюсників на основі комбінованих динамічних негатронів на основі ПТШ, що дозволило визначити характер перетворення імпедансу негатрона у частотній області за будь-яких значень перетворювального імітансу. Визначено межі керування та межі стабільної роботи узагальнених перетворювачів імітансу (УПІ) залежно від режиму живлення та температури. Показано, що динамічні негатрони є багатофункціональними елементами, використання яких дозволяє покращити технічні характеристики елементів і пристроїв автоматики. Розроблено та досліджено електрично керовані активні індуктивності, паралельні та послідовні коливні контури, активні фільтри, генератори гармонійних коливань, високочастотні комутатори й атенюатори, помножувачі індуктивності, які можна виготовити як напівпровідникові інтегральні схеми.

Представлені принципи теорії нелінійних транзисторних негатронів (кіл з від'ємним дифференціальним опором). Теорія має розвиток на основі нелінійної зарядної моделі. Визначені параметри, що характеризують нелінійний режим динамічних транзисторних негатронів. Нелінійна еквівалентна схема і ряди Вольтерра використані для розрахунку параметрів негатронів. Особлива увага приділена розробці пристроїв систем керування: перетворюючих, автогенераторних, параметричних, комутуючих та фільтруючих. Розроблені кола динамічної й температурної стабілізації негатронних пристроїв. Описані експериментальні перетворювачі, автогенератори, параметричні, комутуючі, фільтруючі пристрої, активні вимірювальні перетворювачі та другі пристрої, що підтверджують теоретичні положення.