Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs-n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной "висмутовой" жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной "висмутовой" ЖФЭ.

Приведены общие сведения о системах управления преобразовательными устройствами. Рассмотрены структурные, функциональные и принципиальные схемы систем управления однофазными и систем импульсно-фазового управления трехфазными серийными тиристорными преобразователями, описан их принцип действия. Освещены особенности функционирования систем управления реверсивными преобразователями.

Запропоновано схему універсального сигнального перетворювача холлівських сенсорних пристроїв, що базується на мікроконвертері типу ADuC841 та операційних підсилювачах AD8554. Особливістю сигнального перетворювача є програмне керування режимами роботи та двотактне вимірювання сигналу зі зміною напрямку струму холлівського сенсора. Виявлено нові закономірності, що визначають вибір синфазної складової вхідної напруги сигнального підсилювача.

Розглянуто вплив електромагнітної завади на відтворюваність вимірювання сигналу в холлівських сенсорних пристроях. Компенсація електромагнітної завади забезпечується алгоритмом дво- та тритактного сигнального перетворення за протилежних напрямів струму в імпульсах живлення холлівських сенсорів. Встановлено залежність ефективності мультитактного перетворення від режимів вимірювання.

Вирішено актуальне наукове завдання підвищення енергоефективності сигнальних перетворювачів напівпровідникових холлівських сенсорів магнітного поля. Зменшення енергоспоживання досягається новим комплексом алгоритмічних та схемотехнічних рішень щодо формування енергоекономних імпульсних режимів роботи та забезпечення високої завадостійкості. Вперше виявлено нові закономірності та встановлено критерії оптимізації енергоспоживання холлівських сенсорних пристроїв в імпульсному режимі роботи. Розроблено методику мінімізації функції енергоспоживання імпульсних пристроїв вимірювання магнітного поля на основі холлівських сенсорів, що дозволяє розрахувати оптимальний струм живлення сенсора у разі заданих режимів роботи та параметрів елементної бази сигнального перетворювача. Пррведено процес синтезу математичної моделі холлівських сенсорів у виді SPICE схеми заміщення, яка описує холлівську напругу, напругу нееквіпотенційності, синфазну складову та магніторезистивну модуляцію сигналу, а також, шум та електромагнітні завади. Розроблено методику кількісного аналізу ефективності придушення електромагнітної завади в мультитактних (зокрема, дво- та тритактному) режимах вимірювання.