За методом аналітичної регуляризації одержано точний розв'язок векторної задачі дифракції плоскої електромагнітної хвилі на одновимірній періодичній гратці з кіральним середовищем. Показано, що за нормального падіння хвилі лише з однією поляризацією відбите поле містить хвилі обох поляризацій, що пояснюється присутністю кірального середовища, яке пов'язує дві поляризації. Вивчено характерні особливості дифракції, спричинені кіральним середовищем. Встановлено, що значний вплив на характер дифракції мають явище резонансів і процеси перерозподілення енергії, коли кількість розповсюджуваних гармонік поля в середовищах значно різниться.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.144

Рубрики:

Дифракція електронів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: епітаксійні плівки, електровідбивання, ефект Келдиша-Франца, електрооптична енергія
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В372.14

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Електронографія

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.144

Рубрики:

Дифракція електронів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто застосування методу дифракції електронів низької енергії (у діапазоні від 10 до 500 еВ) для дослідження кристалографії, структури та ступеня дефектності приповерхневих шарів. Обговорено сучасні можливості даного методу та перспективи його розвитку, що виникають у процесі зіставлення експериментальних та розрахункових енергетичних або просторових профілів інтенсивності структурних дифракційних рефлексів. Проаналізовано особливості кінематичного та динамічного описання процесів електронної дифракції на ідеальних та дефектних поверхневих структурах. Особливу увагу приділено вивченню процесів генерації та відпалу статичних дефектів, які створюються іонним бомбардуванням у приповерхневій області.

Описано решение задачи дифракции на плоской периодической структуре в свободном пространстве методом задачи Римана-Гильберта и методом сингулярных интегральных уравнений. Рассмотрена функция плотности тока на лентах решетки, при помощи которой формируется задача Римана двумя способами. Представлены результаты расчета коэффициентов отражения и прохождения для рассматриваемых случаев и их лучевые диаграммы.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.14 + Е60*669.372-638.23

Рубрики:

Електронографія

Загальна зоологія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложена и экспериментально апробирована модель динамической дифракции для описания полученных экспериментально в геометрии Лауэ в приближении "толстого" кристалла деформационных зависимостей (ДЗ) полной интегральной отражательной способности (ПИОС) монокристаллов, содержащих хаотически распределенные дефекты (ХРД). Установлена избирательная чувствительность участков ДЗ ПИОС, характеризующихся высокой степенью упругого цилиндрического изгиба монокристалла, к величине коэффициента эффективного поглощения за счет ухода части интенсивности в диффузный фон при рассеянии на дефектах, вследствие резкого роста с увеличением изгиба и дефектности кристалла относительного вклада в ПИОС диффузной компоненты. Показано, что эта избирательность чувствительности позволяет в случае ХРД одного типа определять средний радиус и концентрацию ХРД, используя любое из доступных отражений рентгеновского излучения, а при использовании остальных доступных отражений или случаев дифракции обеспечивает диагностику нескольких типов дефектов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.14

Рубрики:

Електронографія

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Використовуючи нові коефіцієнти поліномного задання амплітуд розсіювання атомами рентгенівського випромінювання, проведено уточнення атомних електронних амплітуд всіх елементів періодичної таблиці та багатьох їх іонів. Перевагою одержаних даних є можливість представлення електронних амплітуд в широкому діапазоні векторів розсіювання в дискретно-табличному, квазінеперервно-графічному та програмному виді (база даних). Порівняння з відомими електронними амплітудами різних атомів показує хорошу кореляцію одержаних та наявних раніше результатів, а також вказує на значно вищу точність і достовірність уточнених даних.

Розвинуто теорію параметричного рентгенівського випромінювання, яка враховує природну ширину лінії даного випромінювання та вплив багаторазового розсіювання частинок у кристалі на характеристики рентгенівського випромінювання. Уперше для опису цього процесу застосовано метод функціонального інтегрування. Виведено формули, які описують природну ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання "назад" та вплив багаторазового розсіяння на ширину цієї лінії. Досліджено роль механізмів когерентного та некогерентного багаторазового розсіяння релятивістських електронів у кристалі стосовно ширини лінії зазначеного випромінювання та вплив багаторазового розсіяння на ширину цієї лінії. Вивчено вплив механізмів когерентного та некогерентного багаторазового розсіяння релятивістських електронів у кристалі на ширину лінії параметричного рентгенівського випромінювання "назад". Знайдено умови, за яких ці механізми значно впливають на формування ширини ліній параметричного рентгенівського випромінювання. Спрогнозовано ефект розщеплення цієї лінії, що знаходиться у взаємозв'язку з явищем площинного каналювання релятивістських позитронів у кристалі.

Теоретично досліджено на простих структурних моделях закономірності процесів формування електронограм від аморфних речовин і наноматеріалів. Проаналізовано вплив різних наближень, які використовуються у традиційному методі функцій радіального розподілу, на достовірність і точність одержуваних кількісних параметрів структури ближнього порядку. Розроблено рекомендації для вдосконалення методу електронографії за вивчення будови атомних сіток аморфних речовин і наноматеріалів. Виявлені закономірності можуть бути покладені в основу методів експериментального визначення параметрів ближнього порядку аморфних речовин безпосередньо із експериментальної інтенсивності розсіювання електронів без застосування інтегрального фур'є-перстворення.

Досліджено слабкі спотворення структури реальних кристалів алмазу з використанням дифракції електронів з метою встановлення впливу умов росту на зміну пружно-деформованого стану в алмазах, одержаних різними методами. Розроблено ефективні методики підвищення прецизійності й інформативності методу Кікучі під час дослідження впливу розподілених у алмазах залишкових напруг на розсіяння електронів в областях багатохвильової дифракції. Автоматизовано процес точного визначення координат полюсів на картинах Кікучі з точністю приблизно до 1-го пікселя та мінімізовано суб'єктивні чинники, залежність невідповідності між картинами Кікучі даного кристала від умов експерименту. Розкрито причини, які спричиняють зміни періодів гратки синтезованих кристалів у даному напрямі. Досліджено розподіл кутових розорієнтацій між окремими кристалітами синтезованих плівок алмазу. Визначено кількісні параметри - орієнтаційні, розорієнтаційні, а також розмірні характеристики зерен.

Рассмотрены вопросы изучения экзоэлектронной эмиссии (ЭЭЭ), возникающей с поверхности конструкционных материалов в результате внешних воздействий. Проанализированы экспериментальные и теоретические данные для раскрытия природы экзоэмиссии электронов. Описаны методы экзоэмиссионных измерений и конструкционные особенности экзоэмиссионных установок. Особое внимание уделено вопросам практического использования эффекта ЭЭЭ для исследования, диагностики и неразрушающего контроля приповерхностного слоя конструкционных материалов и деталей, подвергнутых воздействиям.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.14 + В372.4

Рубрики:

Електронографія

Аморфний (склоподібний) стан твердого тіла

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.14

Рубрики:

Електронографія

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В372.14

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Електронографія

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.144

Рубрики:

Дифракція електронів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою комп'ютерного моделювання досліджено дифракцію світла на акустичних хвилях в періодичній структурі. З'ясовано особливості розповсюдження світлових та акустичних хвиль в періодичній структурі, зокрема в її елементарній комірці (хвилеводі). Показано, що в наведеній періодичній структурі розповсюджуються лише плоскі акустичні хвилі. Показано, що наявність періодичної структури не впливає на кутовий розподіл дифракційного спектра, але впливає на амплітудний розподіл. Одержані дані порівняні з експериментом.

Розраховано парціальні густини електронних станів та електронні енергетичні спектри кристала GaN з градієнтними поправками у функціоналі обмінно-кореляційної енергії без і з урахуванням сильних локальних кореляцій напівостовних 3d-електронів Ga. Розрахунки виконано за допомогою методу проекційних приєднаних хвиль. Одержані результати вказують на важливість урахування локальних кореляцій, без яких розщеплені полем кристала 3d-рівні Ga розміщені у валентній зоні, що суперечить експерименту.