Phonon spectra in complicated cylindrical quantum wires of two types are calculated and analyzed by taking into account limit cases. Electron and hole spectra of a quantum wire in the medium are obtained. It is shown that the exact considering of the effective masses of quasiparticles causes the essential narrowing of the region of quasimomenta where the stationary states confined in the radial direction exist.

Експериментально досліджено вольт-амперні та ампер-барні залежності струму в одновісно деформованому дірковому германії при схрещених напрямках тиску і електричного поля при температурі 77 К. У потужних електричних полях виявлено особливості у поведінці струму при збільшенні величини тиску. На ампер-барних залежностях вони проявляються у вигляді максимуму струму для тиску 4,5 кбар. Отримані результати якісно пояснюються як наслідок перекидання дірок у валентну підзону з меншою поперечною ефективною масою за допомогою резонансних домішкових рівнів.

Проведено теоретичні дослідження трансформації станів нерівноважної системи біполярних носіїв в залежності від величини керуючого параметра в рамках одновимірної польової моделі ефекту Ганна. Розраховано біфуркаційну діаграму та максимальний показник Ляпунова. Показано, що еволюція системи від коливального стану до хаотичного на початковому етапі відбувається шляхом біфуркацій подвоєння періоду.

Показано, що у вузькозонних напівпровідникових кристалах прикладання одновісного тиску призводить до збільшення часу життя відносно процесу оже-рекомбінації та зменшення часу життя носіїв струму відносно випромінювального зона-зонного переходу. На основі досліджуваного ефекту можна радикально змінити рекомбінаційні параметри та підвищити квантовий вихід випромінювання ряду матеріалів напівпровідникової електроніки.

Current-voltage characteristics (CVC) of NbN - isolator - Pb tunnel junctions with high-transparent tunnel barriers are studied experimentally. To calculate CVC of superconducting tunnel junctions with a high transparency of tunnel barriers, it's necessary to take into account the processes of Andreev reflection and transmission of quasiparticles in these junctions.

We consider atomic transitions in the Anderson lattice in amorphous semiconductors accompanied by сhanging an atomic charge state. The conditions are calculated under which these transitions will depend not only on temperature but also on the excitation degree of the electron subsystem of a crystal. In this case, one could exert control over the Anderson lattice in amorphous semiconductors by using external actions (heating, irradiation, etc.).

Проаналізовано особливості температурної поведінки сталої гратки та коефіцієнта теплового розширення кристалів кремнію в рамках моделі зарядів на зв'язках. З необхідною кількісною точністю описано коефіцієнт теплового розширення та фактор Грюнайзена для природного складу ізотопів. Докладно обмірковано вплив композиції ізотопів на значення сталої гратки.

Розглянуто змінення величини активного опору масивного провідника кільцевої та інших непрямолінійних форм при визначенні його за довжиною середньої лінії та повній площині поперечного перерізу, з одного боку, та при визначенні того ж опору за принципом паралельного з'єднання опорів елементарних віток, з іншого боку. Введено поняття (термін) коефіцієнта цього змінення, який менше одиниці, залежить від довжин окремих віток, площин поперечного перерізу їх, взаємного розміщення та від кількості розподілень провідника на елементарні вітки.

Подано основні відомості з фізики напівпровідників; описано і проілюстровано на схемах основні фізичні процеси, які відбуваються у p - n-переходах напівпровідникових структур, що зумовлені зовнішніми факторами. Розглянуто пробій p - n-переходу, у т.ч. лавинний, тунельний, тепловий, поверхневий і вторинний, а також генерацію і рекомбінацію носіїв в області об'ємного заряду.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.33 + В379.271.2

Рубрики:

Парамагнетизм твердих тіл

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.25

Рубрики:

Тунельний ефект

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В368.3

Рубрики:

р-n переходи

Фізика низьких температур

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.275

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В313.223

Рубрики:

р-n переходи

Теорія розповсюдження електромагнітних хвиль

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2

Рубрики:

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2

Рубрики:

Електропровідність

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано переваги конфігурації полів Фогта перед конфігурацією Фарадея - для лазера на міжпідзонних переходах дірок у схрещених електричному і магнітному полях у германії, і схрещених напрямків одноосьового тиску і електричного поля перед збіжними напрямами останніх - для внутрішньоцентрової інверсії дірок у одноосьово деформованому германії. Теоретично і експериментально обгрунтовано пропозицію щодо утворення лазера на міжпідрівневих переходах носіїв струму у системі вертикально пов'язаних квантових точок і спеціально сконструйованих тунельно-пов'язаних квантових ям.

Висвітлено історію розвитку уявлень про магнетизм електронних систем і спін електрона. Наведено основні відомості з квантової механіки, теорії магнетизму та магнітного резонансу. Розглянуто статистику електронно-діркового газу в напівпровідниках і введено уявлення про спін-залежну рекомбінацію електронів і дірок. Подано результати досліджень спін-залежної рекомбінації носіїв струму та електрично детектованого магнітного резонансу в напівпровідниках.

Досліджено вплив напруги зміщення на магнітоопір та спінову поляризацію електронного струму тунельного переходу феромагнітний метал/діелектрик/феромагнітний метал (FM/I/FM) у межах двозонної моделі вільних електронів у феромагнітних електродах. Показано, що величина та знак магнітоопору тунельного переходу FM/I/FM суттєво залежить як від висоти та ширини потенційного бар'єру, так і від величини напруги зміщення. Знайдено, що залежно від висоти та ширини потенційного бар'єру магнітоопір зменшується або збільшується зі збільшенням напруги зміщення. Встановлено, що магнітоопір може змінювати свій знак та осцилювати зі збільшенням напруги зміщення. Знайдено, що зміна знаку магнітоопору пов'язана з тим, що коефіцієнт проходження електронів основної поляризації через тунельний перехід FM/I/FM стає найбільшим у випадку антипаралельної, а не паралельної намагніченості феромагнітних електродів. Показано, що величина та знак поляризації електронного струму може змінюватися у разі зміни намагніченості феромагнітних електродів.

Исследовано влияние напряжения смещения на магнитосопротивление и спиновую поляризацию электронного тока туннельного перехода ферромагнитный металл/диэлектрик/ферромагнитный металл (FM/I/FM) в рамках двухзонной модели свободных электронов в ферромагнитных электродах. Показано, что величина и знак магнитосопротивления туннельного перехода FM/I/FM существенно зависят как от высоты и ширины потенциального барьера, так и от величины напряжения смещения. Найдено, что в зависимости от высоты и ширины потенциального барьера магнитосопротивление как уменьшается, так и увеличивается с увеличением напряжения смещения. Установлено, что магнитосопротивление может изменять свой знак и осциллировать с увеличением напряжения смещения. Найдено, что изменение знака магнитосопротивления связано с тем, что коэффициент прохождения электронов основной поляризации через туннельный переход FM/I/FM становится наибольшим для случая антипараллельного, а не параллельного намагничивания ферромагнитных электродов. Показано, что величина и знак поляризации электронного тока может изменяться при изменении намагниченностей ферромагнитных электродов.

The influence of the bias voltage on the magnetoresistance and spin polarization of the electron current of the ferromagnetic metal-insulator-ferromagnetic metal (FM/I/FM) tunneling junction within a two-band model of free electrons in ferromagnetic electrodes has been studied theoretically in the paper. It is shown that the value and sign of the magnetoresistance of the FM/I/FM tunneling junction depend essentially both on the height and width of the potential barrier and on the value of the bias voltage. We have found out that the height and width of the potential barrier can be chosen in such a way that the value of the magnetoresistance can be both reduced and increased as the bias voltage increases. It has been determined that the magnetoresistance changes the sign and oscillates with increasing bias voltage. We have found out that the change of the sign of the magnetoresistance takes place due to the fact that the tunneling transmission coefficient of the majority electrons is the largest in the case of the antiparallel magnetization of the ferromagnetic electrodes and not parallel one. It has been shown that the value and sign of the spin polarization of the electron current can be changed with reversing the ferromagnetic electrode magnetizations.

Приведен расчет распределения температуры кристаллической решетки в объеме кристалла, устанавливающейся при воздействии на контакт металл - полуметалл BiSb СВЧ сигнала определенной мощности и при подаче постоянного тока смещения.