Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=Г116.7$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| | | | |
1. |
Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon = Свідчення про фотохімічні перетворення в поруватому кремнії / V. B. Shevchenko, V. A. Makara, O. V. Vakulenko, O. I. Dacenko, O. V. Rudenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 50-53. - Библиогр.: 17 назв. - англ.В роботі досліджувалася динаміка зміни інтенсивності фотолюмінесценції (ІФЛ) зразків поруватого кремнію (ПК), які під час їх старіння на повітрі зазнають дії лазерного опромінення (337 нм, 3.7 мВт). З'ясувалося, що під впливом УФ-опромінення ІФЛ швидко зростає і через кілька годин досягає "плато". Подальше опромінення призводить до спадання інтенсивності, що пояснюється ефектом втоми люмінесценції. В той же час для зразка, що не опромінювався, ІФЛ майже не змінюється за час експерименту. Виявилося, що на етапі початкового монотонного наростання ІФЛ після короткочасного (1-2 хвилини) припинення освітлення зразка лазером на кривій еволюції ІФЛ спостерігається аномалія у вигляді невеликого сплеску вниз, тоді як на ділянках монотонного спадання кривої ІФЛ ця аномалія являє собою сплеск угору. У випадку довготривалого (десятки годин) припинення освітлення аномалія була однотипною для всіх ділянок кривої ІФЛ. Описані результати пояснюються впливом двох конкурентних факторів: втоми люмінесценції та формування під дією світла нестабільних (молекулярних) хімічних зв'язків, які можуть перетворюватися на стабільні атомні. Ключ. слова: porous silicon, nanostructure, laser irradiation, luminescence fatigue Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + Г116.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Савицький А. В. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників : Навч. посіб. / А. В. Савицький; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці : Рута, 1999. - 102 c. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.Викладено фізико-хімічні основи матеріалознавства основних кристалічних неорганічних речовин, які найбільше використовуються в електронній техніці. Розглянуто основні термодинамічні співвідношення, необхідні для вивчення властивостей розчинів та процесів фазових переходів у одно- і двокомпонентних системах, а також послідовно описано діаграми фазових рівноваг подібних систем. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 я73-1 + З843.3 я73-1 + Г116.7 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА594782 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Белоус А. Г. Синтез и свойства сегнетоэлектриков-полупроводников в системе (Basub; i1-x-y/i; /subSrsub; iy/i; /subYsub; ix/i; /sub)TiOsub3/sub / А. Г. Белоус, О. З. Янчевский, О. И. Вьюнов, Л. Л. Коваленко // Укр. хим. журн. - 1998. - 64, № 11. - С. 3-7. - Библиогр.: 12 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + Г116.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|