Представлено зміст та методики проведення лабораторних робіт з хімії та технології складних неорганічних напівпровідників. Розглянуто основні методи фізико-хімічного дослідження напівпровідникових речовин (термографії, термодинаміки, тензиметрії, побудови T-x та P-T-x-діаграм, визначення мікроструктури, мікротвердості та густини), а також очистки, синтезу та вирощування монокристалів та одержання склоподібних речовин і тонких плівок напівпровідникових сполук. Наведено хіміко-технологічні методи обробки напівпровідникових матеріалів (різання, шліфування, полірування, травлення, дифузії, утворення та дослідження p - n-переходів). Описано схеми приладів та обладнання, запропоновано методи кількісної обробки експериментальних результатів.

Представлены содержание и методики проведения лабораторных работ по химии и технологии сложных неорганических полупроводников. Рассмотрены основные методы физико-химического исследования полупроводниковых веществ (термографии, термодинамики, тензиметрии, построения T-x и P-T-x-диаграм, определения микроструктуры, микротвердости и плотности), а также очистки, синтеза и выращивания монокристаллов и получения стеклоподобных веществ и тонких пленок полупроводниковых соединений. Приведены химико-технологические методы обработки полупроводниковых материалов (резания, шлифовки, полировки, протравки, дифузии, создания и исследования p-n-переходов). Описаны схемы устройств и оборудования, предложены методы количественной обработки экспериментальных результатов.

Ключ. слова: фотохимический синтез, полупроводниковые нанокомпозиты, CdS, CdSe
Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.425-4 + Г523

Рубрики:

Сполуки кадмію з іншими елементами

Хімія напівпровідників та діелектріків

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто питання виникнення квантових розмірних ефектів в ультрадисперсних напівпровідниках, їх кількісної оцінки та впливу на поглинання світла, а також на фотофізичні (коливальна релаксація фотогенерованих "гарячих" носіїв заряду, зон-зонна і "дефектна" люмінесценція) та деякі первинні фотохімічні процеси (накопичення наночастинками напівпровідника надлишкового негативного заряду, міжфазне перенесення електрона тощо).

Обсуждены особенности свойств фотокаталитических систем на основе наноструктурных полупроводников, которым присущи квантовые размерные эффекты. Проанализированы значимые для фотокатализа следствия квантового ограничения экситона в их объеме, в частности увеличения энергии фотогенерируемых зарядов при уменьшении размера частиц, процессов фотоиндуцированной поляризации, а также одновременного проявления этих эффектов. Рассмотрены возможные пути дальнейшего повышения эффективности функционирования фотокаталитических систем на основе наноструктурных полупроводников.

Обобщены имеющиеся сведения о фотохимических и фотокаталитических подходах к формированию полупроводниковых наночастиц, а также бинарных полупроводниковых наноструктур и нанокомпозитов полупроводников с металлами и полимерами. Рассмотрены характер влияния облучения на протекание синтеза и свойства образующихся наноструктур, а также возможности фотохимического управления структурными и спектральными параметрами наноструктурированных полупроводниковых систем.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.2 + З843.6

Рубрики:

Діелектрики

Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г563.3 + Г523.2

Рубрики:

Тверді неметалічні розчини

Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г123.315-27 + Г523.11 + З843.332

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: РА347090 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Уперше встановлено існування кореляції між розміром нанокристалів ZnO та їх стабільністю до катодної фотокорозії. Виявлено симбатний вплив квантових ефектів просторового обмеження екситона та фотоіндукованої катодної поляризації на перебіг відновних процесів за участі фотогенерованих електронів зони провідності нанокристалів ZnO. Проведено аналіз еволюції спектральних характеристик композитних наночастинок ZnO/Ag у процесі їх формування. З'ясовано можливість спектральної сенсибілізації нанокристалів ZnO барвником метиленовим блакитним, що дозволяє проводити реакцію відновлення Ag (I) за дії видимого світла. Виявлено фотокаталітичну активність нанокомпозиту ZnO/Ag у реакції відновлення Cu (II) у спиртових розчинах, а також фотокаталітичну активність нанокомпозиту ZnO/Cu у реакції відновлення нітробензолу до аніліну у спиртових розчинах. Уперше фотохімічно одержано метал-напівпровідникові нанокомпозити ZnO/Ag/Cu, ZnO/Ag/Cd, ZnO/Ag/Zn. Досліджено кінетику їх утворення, вивчено спектральні властивості. Установлено, що швидкість фотокаталітичного відновлення катіонів Cd(II) на поверхні наночастинок CdS зростає за умов зменшення розміру нанокристалів напівпровідника. Показано, що це явище обумовлено квантовими розмірними ефектами, зокрема, зростанням потенціалу зони провідності у разі зменшення розміру частинок напівпровідника. Одержано метал-напіпвровідникові нанокомпозити CdS/Ni, CdS/Co, CdS/Fe, установлено їх фотокаталітичну активність у реакції виділення молекулярного водню з водних розчинів сульфіту натрію.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Встановлено, що у кристалах CdTe:As та СdТе:Р в області насичення кадмієм основними точковими дефектами є дефекти заміщення в підгратці телуру, які зумовлюють значне зниження концентрації електронів та електропровідності у порівнянні з нелегованим матеріалом. З'ясовано, що за високих концентраціях домішки утворюються донорні дефекти, які посилюють компенсаційні процеси. Встановлено умови, за яких термообробкою за високої температури під тиском пари кадмію кристали CdTe:Sb можна перевести у високоомний стан з метою застосування в нелінійній оптиці. Виявлено, що за умов високотемпературної рівноваги дефектів ванадій і бісмут у CdTe заміщують кадмій у вузлах кристалічної гатки, що проявляється у зростанні концентрації електронів у порівнянні з нелегованим матеріалом.

Вперше зареєстровано ефект залишкового нагромадження молекулярного водню за сорбції з атмосфери, за кімнатної температури, у структурах на основі вільних шарів поруватого кремнію (ПК) і Pd, та відповідну тривалу зміну електрофізичних характеристик. Запропоновано нову модель адсорбції воднеподібних частинок у ПК, яка враховує покриття стінок пор силановими групами й описує кінетику адсорбції у початкові моменти. Проведено порівняння вмісту водню у ПК для різної кількості осадженого Pd у вільних шарах і різної технології виготовлення порошків. Оцінено швидкість виділення водню за рахунок реакції порошків ПК з водою, зв'язаною у твердому тілі.

Розглянуто теоретичні основи хімії напівпровідників. Увагу приділено питанням зонної теорії, статистиці електронів і дірок в напівпровідниках, рівню Фермі, власній і домішковій провідності, а також електричним і оптичним властивостям напівпровідників. Розглянуто процеси дифузії та особливості фізико-хімічного аналізу напівпровідників.

На основі комплексного кристалохімічного аналізу (закону діючих мас, термодинамічних потенціалів, кристалоквазіхімічних формул) й експериментальних результатів досліджено дефектну структуру бездомішкових сполук CdTe, SnTe, PbTe: уточнено вид домінуючих точкових дефектів, зарядові стани та залежності їх концентрацій від відхилення від стехіометричного складу у межах областей гомогенності. Запропоновано моделі квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів, одержано аналітичні вирази для визначення залежностей концентрацій вільних носіїв заряду та переважаючих власних точкових дефектів від технологічних факторів за реалізації двотемпературного відпалу для кристалів і вирощуванні тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Використовуючи апроксимацію експериментальних значень меж областей гомогенності, уточнено константи рівноваги відповідних квазіхімічних реакцій. Модифіковано метод термодинамічних потенціалів для визначення концентрацій й уточнення енергетичних параметрів утворення точкових дефектів у досліджуваних матеріалах і побудови їх області гомогенності. Зроблено аналіз кристалоквазіхімічних формул, які визначають власні точкові дефекти й їх комплекси у нестехіометричних кристалах.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В368.2

Рубрики:

Хімія напівпровідників

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж69802 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано можливість створення за допомогою інтеркаляційних технологій складних супрамолекулярних комплексів - неорганічний напівпровідник/органічний рецептор. Об'єктами для досліджень слугували шаруваті напівпровідники галій селенід та індій селенід, які використано як тіло "господаря". Як "гостьовий" компонент використано молекули органічного рецептора - родамін C. Наведено результати досліджень одержаних зразків із використанням методу імпедансної спектроскопії, відповідно до яких побудовано еквівалентні електричні схеми. Побудовано та розраховано математичну модель, що відображає процеси струмопротікання в цих зразках.