Висвітлено питання синтезу та вирощування халькогенідних напівпровідникових матеріалів систем Sn(Pb) - P - S(Se), As - S, As - Se, Ge - As - S, Ge - As - Se, As - S - Se. Наведено результати експериментальних досліджень основних параметрів і характеристик, що визначають перспективи створення активних середовищ з використанням досліджуваних сполук, описано методи їх оптимізації.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32

Рубрики:

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В343.31 + В379.24

Рубрики:

Халькогеніди

Виборче (селективне) поглинання

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: ВА588107 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Освещены проблемы физико-химической и технологической совместимости полупроводниковых пленок в многослойных структурах с сегнетоэлектриками, а также особенности механизма кристаллизации пленок, конденсированных из высокотемпературной плазмы. Описаны свойства слоев CdSe, активированных в процессе их изготовления методом ВЧ-распыления. Проанализировано влияние кислорода на процесс сенсибилизации слоев CdS.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрен вопрос замены халькогенидов кадмия в структурах солнечных элементов. Исследован процесс эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe. Показано, что этот процесс сопровождается реакционным взаимодействием компонент, последующей диффузией атомов галлия подложки к поверхности и формирующимися связями Ga-Se относительно объемной Ga-Te- и эпитаксионной Cd-Se-составляющих фотоэлектронного спектра.

The processes of CdSe epitaxy on GaTe layered substrate have been analyzed using by X-ray photoelectron spectroscopy (XPES). It was shown that epitaxy is accompanied by reactionary interaction of components followed by a diffusion of gallium atoms to the surface as well as forming Ga-Se bonds in respect to Ga-Te and Cd-Se components of XPES.

Рассмотрены математические модели кинетики деградации в твердых телах, обладающих нано- и микроразмерным топологическим разупорядочением, в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, а также в объемных керамических и толстопленочных композитах на основе смешанных манганитов переходных металлов.

The mathematical models of degradation in solids with nano- and microscale topological disordering - chalcogenide vitreous semiconductors as well as bulk and thick-film ceramic composites based on mixed transition-metal manganites are considered.

Індекс рубрикатора НБУВ: В37,021 + З843.324,021

Рубрики:

Фізика твердого тіла. Кристалографія

Халькогеніди

Шифр НБУВ: В348110 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: халькогенідні напівпровідникові сполуки As2S3 і As2Sе3, синтез, поглинання світла
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324-01

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312 + З843.32-06

Рубрики:

Вакансії і домішки

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Р106068 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены оптические свойства, спектры комбинированного рассеяния, фотоструктурные преобразования и селективное травление в слоях As - S - Se. На основе односциллярной модели и модели Пена проанализированы композиционные зависимости оптических свойств в области прозрачности края поглощения и их эволюции под действием внешних причин. Описаны особенности механизма необратимых фотоструктурных преобразований. Раскрыты основы использования регистрирующих сред на основе слоев As - S - Se в голографии и технологиях получения голограммных оптических элементов с использованием данных регистрирующих сред. Показано, что значения дифракционной эффективности и отражающих рельефно-фазовых решеток, полученных на основе слоев As - S - Se, близки к теоретической границе.

Ключ. слова: подвижность носителей заряда, электропроводность, коэффициент Холла, твердые растворы, температурная зависимость, концентрационная зависимость, фазовый переход, кристаллиты, границы зерен.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32

Рубрики:

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32

Рубрики:

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32

Рубрики:

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В379.2

Рубрики:

Халькогеніди

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: information pits, optical disks, inorganic resist, selective etching
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж16550 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены физические процессы и свойства, которые служат основой многочисленных практических применений халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП): фотостимулированные изменения в слоях ХСП, которые имеют сложную природу, включают в себя различные эффекты, такие, как фотопотемнение (красный сдвиг края поглощения), фотоиндуцированная анизотропия, фотостимулированное изменение растворимости, фотокристаллизация, фототекучесть и др. Комплексную природу имеет также фотостимулированное взаимодействие в системах ХСП - металл (фотодиффузия металлов) - одновременное протекание целого ряда физических и химических процессов (контактные и поверхностные, диффузионные, фотостимулированные изменения в ХСП, взаимодействие компонент на границах раздела ХСП - металл и продукты фотостимулированного взаимодействия - ХСП). Рассмотрены разнообразные практические применения ХСП в микро- и наноэлектронике, оптической памяти (запись, хранение и передача информации), голографии, дифракционной оптике и др.