![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=З843.32$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 68
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Різак В. М. Функціональні халькогенідні напівпровідники / В. М. Різак, І. М. Різак, Д. Г. Семак. - Ужгород : Закарпаття, 2001. - 152 c. - Бібліогр.: 197 назв. - укp.Висвітлено питання синтезу та вирощування халькогенідних напівпровідникових матеріалів систем Sn(Pb) - P - S(Se), As - S, As - Se, Ge - As - S, Ge - As - Se, As - S - Se. Наведено результати експериментальних досліджень основних параметрів і характеристик, що визначають перспективи створення активних середовищ з використанням досліджуваних сполук, описано методи їх оптимізації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + з843.324-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА604470 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Дем'ян М. Л. Нові типи тензорезисторів із напівпровідникових ниткуватих кристалів / М. Л. Дем'ян, Й. Й. Лучко, С. С. Варшава // Фіз.-хім. механіка матеріалів. - 2000. - 36, № 6. - С. 97-100. - Бібліогр.: 12 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Сусликов Л. М. Твердотельные оптические фильтры на гиротропных кристаллах / Л. М. Сусликов, В. Ю. Сливка, М. П. Лисица. - К. : Інтерпрес ЛТД, 1998. - 293 c. - Библиогр.: 383 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В343.31 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА588107 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Соснин А. В. Исследование ВЧ-плазменной технологии получения и методики сенсибилизации слоев халькогенида кадмия на пьезокерамике ЦТС-19 : Моногр. / А. В. Соснин; Ин-т физики НАН Украины, Ин-т приклад. оптики НАН Украины. - Черновцы : Рута, 2004. - 79 c. - Библиогр.: с. 77-78 - рус.Освещены проблемы физико-химической и технологической совместимости полупроводниковых пленок в многослойных структурах с сегнетоэлектриками, а также особенности механизма кристаллизации пленок, конденсированных из высокотемпературной плазмы. Описаны свойства слоев CdSe, активированных в процессе их изготовления методом ВЧ-распыления. Проанализировано влияние кислорода на процесс сенсибилизации слоев CdS. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324-06,021 + З843.412-06,021
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА656112 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Вакив Н. М. Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных $Egamma-квантов / Н. М. Вакив, Р. Я. Головчак, А. П. Ковальский, О. И. Шпотюк // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 1. - С. 60-61. - Библиогр.: 11 назв. - pyc. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Балицкий А. А. Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А. А. Балицкий // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 2. - С. 59-61. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Рассмотрен вопрос замены халькогенидов кадмия в структурах солнечных элементов. Исследован процесс эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe. Показано, что этот процесс сопровождается реакционным взаимодействием компонент, последующей диффузией атомов галлия подложки к поверхности и формирующимися связями Ga-Se относительно объемной Ga-Te- и эпитаксионной Cd-Se-составляющих фотоэлектронного спектра. The processes of CdSe epitaxy on GaTe layered substrate have been analyzed using by X-ray photoelectron spectroscopy (XPES). It was shown that epitaxy is accompanied by reactionary interaction of components followed by a diffusion of gallium atoms to the surface as well as forming Ga-Se bonds in respect to Ga-Te and Cd-Se components of XPES. Ключ. слова: солнечные элементы, ван-дер-вальсовская эпитаксия, халькогениды галлия и кадмия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Вакив Н. М. Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики / Н. М. Вакив, В. А. Балицкая, О. И. Шпотюк, Б. Буткевич // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 4. - С. 61-64. - Библиогр.: 14 назв. - рус.Рассмотрены математические модели кинетики деградации в твердых телах, обладающих нано- и микроразмерным топологическим разупорядочением, в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, а также в объемных керамических и толстопленочных композитах на основе смешанных манганитов переходных металлов. The mathematical models of degradation in solids with nano- and microscale topological disordering - chalcogenide vitreous semiconductors as well as bulk and thick-film ceramic composites based on mixed transition-metal manganites are considered. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В37в641.0
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Блецкан Д. И. Кристаллические и стеклообразные халькогениды Si, Ge, Sn и сплавы на их основе : В 2 т. Т. 1 / Д. И. Блецкан. - Ужгород : ВАТ "Вид-во "Закарпаття", 2004. - 290 c. - Библиогр.: с. 246-287 - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В37,021 + З843.324,021
Рубрики:
Шифр НБУВ: В348110 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Левицький С. Вплив домішок на спектри поглинання світла у халькогенідних сполуках $Eroman bold {As sub 2 S sub 3 } і $Eroman bold {As sub 2 Se sub 3 } / С. Левицький, І. Лисий, Н. Полянчук, А. Понеділок // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2005. - Вип. 38, ч. 1. - С. 89-95. - Бібліогр.: 5 назв. - укp. Ключ. слова: халькогенідні напівпровідникові сполуки As2S3 і As2Sе3, синтез, поглинання світла Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Ковтун Г. П. Коэффициенты распределения примесей в кадмии, цинке и теллуре при кристализационной очистке / Г. П. Ковтун, А. П. Щербань, О. А. Даценко; НАН Украины. Нац. науч. центр "Харьк. физ.-техн. ин-т". - Х., 2006. - 32 c. - (Препр.; ХФТИ 2006-1). - Библиогр.: с. 30-32 - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312 + З843.32-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Р106068 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Венгер Е. Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение : моногр. / Е. Ф. Венгер, А. В. Мельничук, А. В. Стронский; Ин-т физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины. - К. : Академпериодика, 2007. - 284 c. - Библиогр.: с. 242-280 - рус.Рассмотрены оптические свойства, спектры комбинированного рассеяния, фотоструктурные преобразования и селективное травление в слоях As - S - Se. На основе односциллярной модели и модели Пена проанализированы композиционные зависимости оптических свойств в области прозрачности края поглощения и их эволюции под действием внешних причин. Описаны особенности механизма необратимых фотоструктурных преобразований. Раскрыты основы использования регистрирующих сред на основе слоев As - S - Se в голографии и технологиях получения голограммных оптических элементов с использованием данных регистрирующих сред. Показано, что значения дифракционной эффективности и отражающих рельефно-фазовых решеток, полученных на основе слоев As - S - Se, близки к теоретической границе. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,021 + В379.24,021 + З843.32,021
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВС44298 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Гасанов Г. А. Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах $E{ roman (PbS)} sub {1~-~x } { roman {Sm sub 2 S sub 3 } sub x / Г. А. Гасанов, М. И. Мургузов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 6. - С. 50-54. - Библиогр.: 9 назв. - рус. Ключ. слова: подвижность носителей заряда, электропроводность, коэффициент Холла, твердые растворы, температурная зависимость, концентрационная зависимость, фазовый переход, кристаллиты, границы зерен. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Рувинский Б. М. Влияние внутренних напряжений на дефектообразование в пленках теллурида свинца при парофазной эпитаксии / Б. М. Рувинский, Д. М. Фреик, М. А. Рувинский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып. 36. - С. 65-75. - Библиогр.: 25 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Сопінський M. В. Зміни структури тонкошарової системи PbIV2D - Cu при фотостимульованій взаємодії плівок галогеніду та металу / M. В. Сопінський, Г. П. Ольховик, В. П. Соболевський // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып. 36. - С. 83-94. - Бібліогр.: 31 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Сабо Є. П. Технологія халькогенних термоелементів. Фізичні основи. Гл. 1. Структура і властивості матеріалів. 1.7. Об'ємні дефекти / Є. П. Сабо // Термоелектрика. - 2002. - № 1. - С. 61-68. - Бібліогр.: 5 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Сабо Є. П. Технологія халькогенних термоелементів. Фізичні основи. Розділ 2. Технологія термоелектричних матеріалів. 2.1. Синтез / Є. П. Сабо // Термоелектрика. - 2003. - № 4. - С. 57-66. - Бібліогр.: 21 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Rogozin I. V. Radical-beam geterising epitaction in technology of $E bold {A sup roman II~-~B sup roman VI} semiconductors / I. V. Rogozin // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2005. - Вып. 14. - С. 62-66. - Библиогр.: 4 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Morozovska A. N. Modeling of information recording and selective etching processes in inorganic resists = Моделювання процесів запису інформації та селективного травлення в неорганічних резистах / A. N. Morozovska, S. A. Kostyukevych // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. - 2005. - 7, № 3. - С. 3-16. - Библиогр.: 13 назв. - англ. Ключ. слова: information pits, optical disks, inorganic resist, selective etching Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16550 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Сабо Є. П. Технологія халькогенних термоелементів. Фізичні основи. Гл. 2. Технологія термоелектричних матеріалів. 2.3. Пресування / Є. П. Сабо // Термоелектрика. - 2005. - № 1. - С. 50-62. - Бібліогр.: 24 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Стронский А. В. Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в голографии, оптоэлектронике и информационных технологиях : (Обзор) / А. В. Стронский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2004. - Вып. 39. - С. 73-96. - Библиогр.: 180 назв. - рус.Рассмотрены физические процессы и свойства, которые служат основой многочисленных практических применений халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП): фотостимулированные изменения в слоях ХСП, которые имеют сложную природу, включают в себя различные эффекты, такие, как фотопотемнение (красный сдвиг края поглощения), фотоиндуцированная анизотропия, фотостимулированное изменение растворимости, фотокристаллизация, фототекучесть и др. Комплексную природу имеет также фотостимулированное взаимодействие в системах ХСП - металл (фотодиффузия металлов) - одновременное протекание целого ряда физических и химических процессов (контактные и поверхностные, диффузионные, фотостимулированные изменения в ХСП, взаимодействие компонент на границах раздела ХСП - металл и продукты фотостимулированного взаимодействия - ХСП). Рассмотрены разнообразные практические применения ХСП в микро- и наноэлектронике, оптической памяти (запись, хранение и передача информации), голографии, дифракционной оптике и др. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|