Уперше методом імпульсного електролітичного осаджування з одного електроліту на підкладках арсеніду галію одержано ультратонкі багатошарові Co/Cu- та CoNi/Cu-плівки з кількістю періодів 5 і 3, оптично прозорі у видимій області спектра, що виявляють властивості справді мультишарової структури - ефект гігантського ізотропного магнітоопору.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33-01

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Рассмотрены анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.

The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: полупроводниковый сенсор, вяжущая среда, цементный камень, компаунды.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дана краткая характеристика и сравнение метода Чохральского (ЖГЧ) с другими методами, а также его место в развитии технологии получения полиизолирующего арсенида галлия (ПИ-GaAs). Представлена информация о современных разработках ростового оборудования для производства ПИ-GaAs большого диаметра методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики вытягивающих установок нового и предшествующего поколений. Описаны тенденции разработок ростового оборудования, а также состояние отечественного машиностроения и промышленного производства арсенида галлия.

The brief characteristic and comparison of LEC method with other methods, and also its place in development of technology of reception SI-GaAs is given. The scientific and technical information on modern development the equipment for production SI-GaAs of the big diameter by LEC method is submitted. Comparative characteristics of extending installations of new and previous generations are resulted. Tendencies of development the equipment, and also a status of domestic mechanical engineering and industrial production of arsenide gallium are described.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: механизм токопереноса, p+GaAsЦnGaAsЦp+GaAs-структура, модуляция, дефекты, ограничитель
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою аналітичних виразів для часу релаксації енергії за різних механізмах розсіювання для кубічного нітриду галію розраховані поле-швидкісна й поле-температурна характеристики, а також функція заселеності долин у сильному електричному полі. На основі розрахунку високочастотної провідності проведена оцінка граничних частотних можливостей нітриду галію.

С помощью аналитических выражений для расчета времени релаксационных процессов при различных механизмах рассеяния для кубического нитрида галлия рассчитаны поле-скоростная и поле-температурная характеристики, а также функция заселенности долин в сильном электрическом поле. На основе расчета высокочастотной проводимости проведена оценка предельных частотных возможностей нитрида галлия.

Using the analytical expressions for relaxation times of different scattering mechanisms field-velocity and field-temperature characteristics were calculated as well as the valleysТ occupation function for gallium nitride in the strong electric field. The estimation of the limit frequency abilities of gallium nitride was carried out on the basis of the high-frequency conductivity calculations.

Ключ. слова: гетероструктура, pЦn-InSe, пленка InS
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33 + З854

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: подложка GaSb, предэпитаксиальная обработка, химическое травление, жидкофазная эпитаксия.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Thermodynamic analysis in content of intrinsic defects for GaN was carried out. The causes depending the tendency of GaN to monopolar conductivity type were observed. The model for defect formation is suggested.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + З843.332

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-06

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив відпалу в радикалах азоту на спектри фотолюмінісценції (ФЛ) бездомішкових і легованих магнієм і цинком плівок нітриду галію. З'ясовано, що внаслідок низькотемпературного відпалу в інтервалі температур 573 - 1073 K у радикалах азоту з'являються нові смуги в області 3,45 і 3,28 еВ. Обговорено природу центрів, відповідальних за формування смуг ФЛ, що спостерігається. Показано, що відпал за таких умов зрушує стехіометрію плівок убік надлишку азоту.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-01

Рубрики:

Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ