Уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у селеніді свинцю на підставі теоретичних розрахунків з використанням статистики для невироджених напівпровідників і апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями. Для теоретичних розрахунків враховано аномальний хід температурної залежності ширини забороненої зони селеніду свинцю.

За кімнатної температури досліджено спектри поглинання, рентгено- та фотолюмінесценції, кінетику загасання випромінювання, а також спектри збудження фотопровідності великорозмірних кристалів вольфрамату свинцю, отриманих за різних технологітчних умов. Люмінесцентні характеристики зразків, вирощених за оптимальних технологічних умов, суттєво не відрізняються від відомих з літератури. Виявлено, що величина фотопровідності (фотолюмінесценції) під час збудження в прикрайовій області поглинання залежить від поляризації та напряму поширення світла в кристалі. В разі збудження лінійно поляризованим світлом у Z-напрямі спостережено азимутальну залежність фотопровідності (фотолюмінесценції) з періодом повторення максимуму інтенсивності 90°. Проведені дослідження дозволили запропонувати модель випромінювального центра залено-жовтого свічіння.

Ключ. слова: сверхпроводник, туннелирование, параметр порядка, квазичастица, неупругое рассеивание, неупругое туннелирование
Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + К225.026 + К232.402.6

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Тонкі шари (плівки) хрому та його сплавів

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, селенід свинцю, легування, квазіхімічні рівняння
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.402.6

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основі аналізу фізичних процесів і використання квазіхімічного та термодинамічного підходів розглянуто процеси дефектоутворення у тонких плівках халькогенідів свинцю під час вирощування із парової фази, термічних відпалів у вакуумі й атмосфері кисню та радіаційного впливу.

From both analysis of physical processes and used of quasichemical and thermal-dynamical approaches the processes of defect formation on lead chalkogenides thin films, growth from vapour phases, and thermal annealing on vacuum and oxygen athmosphere,and at the doping and irradiation influence are researches

На підставі аналізу залежностей склад - властивості у системі PbTe - Tl запропоновано можливі кристалоквазіхімічні механізми утворення дефектів: заповнення талієм вакансій телуру (антиструктурні дефекти); вкорінення талію; утворення комплексу вакансія телуру - міжвузловий атом талію.

On the basis of analysis of Дcomposition-properties" dependence in the system PbTe-Tl are offered the possible crystal-quasichemical mechanisms of defects formation: filling by thallium of tellurium vacancies (anti-structural defects); inculcation thethallium; formation of Дvacancy of tellurium-interlattice atom of thallium" complex

Ключ. слова: термоелектричн? матер?али, термо-ЕРС, PbTe
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + К232.408

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Вплив легувальних елементів і домішок на структуру і властивості свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано модель дефектної підсистеми у плівках PbS, яка передбачає існування різних зарядових станів вакансій і міжвузлових атомів у катіонній підгратці. Одержано аналітичні вирази для залежності концентрації носіїв струму та дефектів від технологічних факторів у методі гарячої стінки. Визначено умови реалізації p - n-інверсії провідності.

Ключ. слова: телурид свинцю, термо-е.р.с., електропровідність, теплопровідність, термоелектрична потужність, добротність, механізми розсіювання
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.406.3

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.408 + В372.33

Рубрики:

Вплив легувальних елементів і домішок на структуру і властивості свинцю та його сплавів

Тверді розчини

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, селенід свинцю, легування, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.402.6 + В379.222

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у селеніді свинцю на базі апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями у припущенні існування двозарядних міжвузлових атомів та однозарядних вакансій у металевій підгратці. На підставі аналізу загальної умови електронейтральності знайдено залежності концентрації дефектів і носіїв струму від температури та парціального тиску селену під час реалізації двотемпературного відпалу.

Досліджено розподіл за товщиною напрямлених неоднорідностей у тонких плівках халькогенідів свинцю за участю кисню в разі їх відпалу на повітрі. Запропоновано дифузійно-рекомбінаційний механізм процесу, який містить дифузію іонів кисню та їх рекомбінацію з вакансіями халькогену. Визначено просторово-часовий розподіл концентрації носіїв заряду.

Ключ. слова: плівки, гетероструктури, дислокації, розсіювання, рухливість
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.406.33

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: сплав, внутреннее трение, упругий модуль, сверхпластичность, фазовое превращение
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.406.223-16

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено залежність рухливості носіїв заряду від товщини плівки (0,1 - 2,0 мкм) в епітаксійних плівках PbSe на сколах слюди за температури 77 - 300 K. Розраховано внесок у рухливість, зумовлений розсіянням на поверхні. Визначено залишкову рухливість і домінуючі механізми розсіяння носіїв заряду для плівок різної товщини.

Запропоновано механізм легуючого впливу вісмуту у плівках PbSe у процесі вирощування із парової фази за умови значного насичення свинцем. Показано, що складну залежність холлівської концентрації носіїв заряду від парціального тиску свинцю у зоні осадження можна пояснити амфотерними властивостями вісмуту з диспропорціюванням його зарядового стану в аніонній підгратці.

Запропоновано квазіхімічні рівняння утворення точкових дефектів у легованих вісмутом плівках селеніду свинцю, вирощених із парової фази за різних температур осадження за умови насичення пари селеном. Експериментальні результати пояснено, виходячи з амфотерних властивостей легуючої домішки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + В372.33 + К232.404.2 + К235.220.42

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Тверді розчини

Природа свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, селенід свинцю, легування, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.402.6

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ