Уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у селеніді свинцю на підставі теоретичних розрахунків з використанням статистики для невироджених напівпровідників і апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями. Для теоретичних розрахунків враховано аномальний хід температурної залежності ширини забороненої зони селеніду свинцю.

За кімнатної температури досліджено спектри поглинання, рентгено- та фотолюмінесценції, кінетику загасання випромінювання, а також спектри збудження фотопровідності великорозмірних кристалів вольфрамату свинцю, отриманих за різних технологітчних умов. Люмінесцентні характеристики зразків, вирощених за оптимальних технологічних умов, суттєво не відрізняються від відомих з літератури. Виявлено, що величина фотопровідності (фотолюмінесценції) під час збудження в прикрайовій області поглинання залежить від поляризації та напряму поширення світла в кристалі. В разі збудження лінійно поляризованим світлом у Z-напрямі спостережено азимутальну залежність фотопровідності (фотолюмінесценції) з періодом повторення максимуму інтенсивності 90°. Проведені дослідження дозволили запропонувати модель випромінювального центра залено-жовтого свічіння.

Ключ. слова: сверхпроводник, туннелирование, параметр порядка, квазичастица, неупругое рассеивание, неупругое туннелирование
Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + К225.026 + К232.402.6

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Тонкі шари (плівки) хрому та його сплавів

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, селенід свинцю, легування, квазіхімічні рівняння
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.402.6

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основі аналізу фізичних процесів і використання квазіхімічного та термодинамічного підходів розглянуто процеси дефектоутворення у тонких плівках халькогенідів свинцю під час вирощування із парової фази, термічних відпалів у вакуумі й атмосфері кисню та радіаційного впливу.

From both analysis of physical processes and used of quasichemical and thermal-dynamical approaches the processes of defect formation on lead chalkogenides thin films, growth from vapour phases, and thermal annealing on vacuum and oxygen athmosphere,and at the doping and irradiation influence are researches

На підставі аналізу залежностей склад - властивості у системі PbTe - Tl запропоновано можливі кристалоквазіхімічні механізми утворення дефектів: заповнення талієм вакансій телуру (антиструктурні дефекти); вкорінення талію; утворення комплексу вакансія телуру - міжвузловий атом талію.

On the basis of analysis of Дcomposition-properties" dependence in the system PbTe-Tl are offered the possible crystal-quasichemical mechanisms of defects formation: filling by thallium of tellurium vacancies (anti-structural defects); inculcation thethallium; formation of Дvacancy of tellurium-interlattice atom of thallium" complex

Запропоновано модель дефектної підсистеми у плівках PbS, яка передбачає існування різних зарядових станів вакансій і міжвузлових атомів у катіонній підгратці. Одержано аналітичні вирази для залежності концентрації носіїв струму та дефектів від технологічних факторів у методі гарячої стінки. Визначено умови реалізації p - n-інверсії провідності.

Ключ. слова: плівки, селенід свинцю, легування, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.402.6 + В379.222

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено розподіл за товщиною напрямлених неоднорідностей у тонких плівках халькогенідів свинцю за участю кисню в разі їх відпалу на повітрі. Запропоновано дифузійно-рекомбінаційний механізм процесу, який містить дифузію іонів кисню та їх рекомбінацію з вакансіями халькогену. Визначено просторово-часовий розподіл концентрації носіїв заряду.

Досліджено залежність рухливості носіїв заряду від товщини плівки (0,1 - 2,0 мкм) в епітаксійних плівках PbSe на сколах слюди за температури 77 - 300 K. Розраховано внесок у рухливість, зумовлений розсіянням на поверхні. Визначено залишкову рухливість і домінуючі механізми розсіяння носіїв заряду для плівок різної товщини.

Запропоновано механізм легуючого впливу вісмуту у плівках PbSe у процесі вирощування із парової фази за умови значного насичення свинцем. Показано, що складну залежність холлівської концентрації носіїв заряду від парціального тиску свинцю у зоні осадження можна пояснити амфотерними властивостями вісмуту з диспропорціюванням його зарядового стану в аніонній підгратці.

Запропоновано квазіхімічні рівняння утворення точкових дефектів у легованих вісмутом плівках селеніду свинцю, вирощених із парової фази за різних температур осадження за умови насичення пари селеном. Експериментальні результати пояснено, виходячи з амфотерних властивостей легуючої домішки.

Ключ. слова: плівки, селенід свинцю, легування, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.402.6

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив поверхні і міжкристалічних меж на електричні параметри як свіжовирощених плівок РbTе, так і витриманих на повітрі і відпалених у вакуумі. Результати пояснено у межах моделі Петріца і бар'єрної моделі.

Досліджено хімічний і фазовий склади, кристалічну структуру, електричні параметри плівок телуриду свинцю, відпалених на повітрі і вакуумі. Встановлено, що складний характер зміни цих властивостей пов'язаний з процесами взаємодії із атмосферним киснем на повітрі та десорбцією телуру і кисню у вакуумі.

Исследованы вольт-амперные характеристики и проанализированы особенности становления и эволюции сверхпроводящего состояния микромостиков на основе тонких пленок свинца под действием туннельной инжекции спин-поляризованного тока с разной степенью спиновой поляризации. Обнаружена высокая чувствительность критического тока микромостика к величине спин-поляризованного тока инжекции. Впервые в системе F/S обнаружена стимуляция критического тока сверхпроводникового микромостика под действием слабой туннельной инжекции спин-поляризованного тока с высокой степенью спиновой поляризации.

Досліджено механізми розсіювання носіїв струму в полікристалічних плівках PbTe, осаджених на скляні підкладки. Показано, що домінуючу роль відіграє розсіювання на міжзеренних межах.

За умов надвисокого вакууму досліджено електропровідність тонких плівок свинцю (2 - 100 нм), нанесених на чисту та попередньо покриту підшаром германію (0,6 - 3 нм) поверхню скла. Показано, що сурфактантні підшари германію призводять до зменшення товщини плівки, що відповідає порогові протікання струму через свинцеву плівку. Розмірні залежності питомого опору плівок пояснено у межах сучасних модельних уявлень про класичний і внутрішній розмірні ефекти.

Наведено результати дослідження топологічних типів наноструктур телуриду свинцю, осаджених із газодинамічного потоку пари на поліровані скляні підкладки. За допомогою методів статистичної теорії багатократного розсіяння хвиль числово розраховано спектри послаблення та поглинання, а також кутового розподілу інтенсивності світла, розсіяного наногранульованими плівками. Виявлено спектрально-селективний характер послаблення випромінювання видимого діапазону.

  Скачати повний текст