Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (1)Книжкові видання та компакт-диски (6)
Пошуковий запит: (<.>U=К235.230.2$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 18
Представлено документи з 1 до 18

      
Категорія:    
1.

Надточій В.  
Про фізичний механізм виникнення дислокацій у приповерхневих шарах Ge під дією лазерного опромінювання мілісекундної тривалості / В. Надточій, М. Городенко, Д. Москаль // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2005. - Вип. 38, ч. 1. - С. 183-190. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.

Досліджено дію лазерного випромінювання з довжиною хвилі lambda = 0,694 мкм, енергією в імпульсі W ~ 1,6 Дж і тривалістю tau = 1 мс на поверхню (112) монокристалічного германію. Шляхом розв'язання диференціального рівняння теплопровідності отримано залежності густини оптичної потужності, яку поглинає поверхня Ge, від часу опромінення, а також розподіл температури на поверхні вздовж радіуса лазерної плями. Проаналізовано фізичний механізм виникнення дислокацій на ділянці з температурою ~450 К, де фотонагрівання не є головним фактором дефектоутворення. Зроблено висновок, що дислокації в лінійно-періодичних структурах виникають завдяки гетерогенному зародженню і розширенню призматичних петель, орієнтованих у періодично-індукованому полі концентрації вакансій.

The influence of 1 ms laser pulse with energy 1.6 J and wavelength 0,694 мm on the surface (112) of Ge single crystal was investigated. Time dependence of optical power density absorbed by the Ge surface as well as temperature distribution on the surface along the laser spot radius was found by solving the heat-conduction equation. Physical mechanism of dislocation generation in the spot area with temperature ~450 K, where heating was not the main factor of defect generation, was analyzed. It was concluded that dislocations ranged in linear periodical structures were arising owing to heterogeneous springing and growing of prismatic loops oriented in periodic deformation-induced vacancy concentration field.


Ключ. слова: дислокація, призматична петля, вакансія, теплоємність
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.25 + В379.227

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Фреїк Д. М. 
Дефектна підсистема і термоелектричні властивості сплавів на основі телуриду германію при подвійному легуванні телуридами міді і вісмуту / Д. М. Фреїк, Р. Я. Михайльонка, В. М. Кланічка // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 1. - С. 80-85. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.


Ключ. слова: телурид германію, атомні дефекти, термоелектричні властивості
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.2 + К235.230.633

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Молодкин В. Б. 
Диагностика дефектной структуры сильно поглощающих монокристаллов методом полной интегральной отражательной способности / В. Б. Молодкин, А. И. Низкова, С. И. Олиховский, В. Ф. Мазанко, Е. И. Богданов, С. Е. Богданов, А. И. Гранкина, С. В. Дмитриев, Т. Е. Корочкова, М. Т. Когут, Ю. Н. Прасолов, И. И. Рудницкая // Металлофизика и новейшие технологии. - 2002. - 24, № 8. - С. 1089-1101. - Библиогр.: 10 назв. - рус.

Обгрунтовано й апробовано на зразку монокристала германія можливість застосування комбінованого методу повної інтегральної відбивної здатності для діагностики сильно поглинаючих монокристалічних зразків, що містять порушений поверхневий шар та одночасно декілька визначальних типів мікродефектів.


Ключ. слова: дифрактометрия дефектов, брэгговская и диффузная интегральные отражательные способности монокристаллов, динамическое рассеяние, рентгеновские лучи
Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Надточій В. О. 
Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs) : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук / В. О. Надточій; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2006. - 36 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА345143 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Політанський Р. Л. 
Структурні та оптичні властивості багатокомпонентних тонких плівок, модифікованих активними обробками : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Р. Л. Політанський; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2001. - 16 c. - укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + В374,022 + К232.602.6 + К235.230.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА315319 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Находкін М. Г. 
Адсорбція атомів Bi на поверхні Ge(111)-c(2 x 8) / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2010. - Вип. 4. - С. 236-239. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.25

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Находкін М. Г. 
Формування інтерфейсу Sb/Ge(113) / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2010. - Вип. 4. - С. 232-235. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.25

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
8.

Буджак Я. С. 
Ефект Зеєбека в тонких плівках германію IBpD-типу провідності / Я. С. Буджак, О. В. Зуб // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 3. - С. 598-601. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.

Обгрунтовано вплив просторового квантування енергетичного спектра електронного газу на його концентрацію в тонких пластинкових кристалах.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Nadtochy V. 
Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam / V. Nadtochy, M. Golodenko, D. Moskal // Functional Materials. - 2004. - 11, № 1. - С. 40-43. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.

Виконано порівняльний аналіз зображень дислокацій у монокристалічному Ge, одержаних за допомогою методів оптичної та сканувальної електронної мікроскопії. Результати обох методів добре узгоджуються між собою. За відсутності домішкової атмосфери ямка травлення або пляма зображення на дислокації мають діаметр ~1 мкм. Шляхом утворення електричного поля на поверхні можна досягти поляризації області просторового заряду навколо дислокації, а під час сканування цієї області електронним пучком - появи контрасту. Останнє дає можливість виділити дислокації за низькотемпературної деформації серед нейтральних домішкових включень у кристалі.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Ermakov A. P. 
Structure relaxation in thin filamentary germanium crystals / A. P. Ermakov, A. I. Drozhzhin // Functional Materials. - 2004. - 11, № 4. - С. 751-754. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.

Зазначено, що у ниткоподібних кристалах германію, попередньо пластично деформованих крутінням одного знака, під впливом термічного та пружного, породженого тільки постійним одновісним навантаженням розтягу, полів виявлено повернення форми та структури, пов'язане з реверсивним рухом гвинтових дислокацій до своїх джерел. Виявлено зміну механізмів, що контролюють рухомість дислокацій і пластичну деформацію у мікрокристалі.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.2 + В379.22

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Alfaro P. 
A microscopic model for the dielectric function of Ge quantum wires / P. Alfaro, R. Vazquez, I. Lobota, A. E. Ramos, M. Cruz-Irisson // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 680-684. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.2 + В379.22в641.0

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
12.

Miranda A. 
Quantum confinement effects in Ge nanocrystals / A. Miranda, A. E. Ramos, L. Nino de Rivera, M. Cruz-Irisson // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 674-679. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.2 + В379.13 + В371.236

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
13.

Valakh M. Ya. 
Strain relaxation in thin $E bold {{roman Si} sub 1-x-y {roman Ge} sub x {roman C} sub y} layers on Si substrates / M. Ya. Valakh, D. V. Gamov, V. M. Dzhagan, O. S. Lytvyn, V. P. Melnik, B. M. Romanjuk, V. G. Popov, V. O. Yukhymchuk // Functional Materials. - 2006. - 13, № 1. - С. 79-84. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
14.

Vlokh R. 
Magnetogyration in Absorbing Cubic $Eroman bold {Bi sub 12 GeO sub 20 } Crystals / R. Vlokh, D. Adamenko, A. Say, I. Klymiv, O. G. Vlokh // Ukr. J. Phys. Optics. - 2004. - 5, № 2. - С. 57-60. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К232.902 + К235.230.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж42080 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
15.

Луньов С. В. 
Вплив інверсії типу ($E bold {roman L sub 1~-~DELTA sub 1}) абсолютного мінімуму на енергію іонізації основного стану мілких донорів в монокристалах n-Ge / С. В. Луньов // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2014. - № 5/5. - С. 18-21. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.21

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
16.

Venger Ye. 
Physics and technology of heterosystems with films of germanium and germanium with gallium = Фізика і технологія гетеросистем на основі плівок германію і германію з галієм / Ye. Venger, O. Kolyadina, V. Holevchuk, L. Matveeva, I. Matiyuk, V. Mitin // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 5. - С. 05029-1-05029-4. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022 + К235.230.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
17.

Власенко О. В. 
Електрофізичні і магніторезистивні властивості плівкових сплавів на основі Fe і Ge : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. В. Власенко; Сумський державний університет. - Суми, 2021. - 22 c. - укp.

Проаналізовано вплив температури та товщини шарів (концентрації атомів окремих компонент) на структурно-фазовий стан плівкових матеріалів, сформованих методом пошарової конденсації. Вивчено температурну та розмірну залежності питомого опору та термічний коефіцієнт опору (ТКО) плівкових систем на основі Fe та Ge, а також додатково для кращого розуміння фізики процесів, плівок на основі Сu або Сr і Ge. Досліджено ГМО й АМО та ефект Холла в плівках германідів заліза з точки зору їх практичного застосування як чутливих елементів сенсорної електроніки й інформаційних приладів.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.26

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА449450 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
18.

Goriachko A. M. 
Scanning probe lithography on Ge(111)-c(2х8) surface = Сканувальна зондова літографія на поверхні Ge(111)-c(2х8) / A. M. Goriachko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 4. - С. 379-384. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 


 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського