Нанокристалічні плівки Ge та SiGe вирощені на поверхні Si(001) методом молекулярно-променевої епітаксії. Оптичні константи тонких плівок визначено методом багатокутової монохроматичної еліпсометрії. Оптичні властивості систем описано в моделі ефективного середовища Бруггемана. Показано, що зміна ефективних оптичних констант при нанесенні Si на поверхню нанокластерів Ge зумовлена поруватістю нанокристалічних плівок.

Роботу присвячено комплексному дослідженню особливостей релаксації фотозбудження у бар’єрних структурах з нанорозмірними об’єктами InGaAs та Ge/Si і визначенню механізмів фотопровідності у таких гетероструктурах. Визначено роль квантово-розмірних станів нанооб’єктів та енергетичного розупорядкування під час рекомбінацій нерівноважних носіїв заряду в бар’єрних структурах на основі гетеропереходу InGaAs/GaAs та Ge/Si. Показано, що явище довготривалої фотопровідності з неекспоненційною релаксацією фотозбудження, виявлене у структурах з нанооб’єктами, пояснюються просторовим розділенням зарядів збуджених електронно-діркових пар локальними електричними полями та впливом глибоких пасток в оточенні наноструктур. Визначено роль наноструктур у релаксації фотозбудження та розтлумачено явище збільшення часу загасання фотоЕРС та фотоструму під час легування квантових точок InAs домішками донорного типу. Вперше показано, що присутність квантових точок InGaAs в області просторового заряду р-і-п діодів призводить до розширення спектральногодіапазону в 14 область (до 1.2еВ), а їх легування кремнієм збільшує час життя нерівноважних носіїв заряду на порядок.