Рассмотрены физические принципы работы полупроводниковых дисковых лазеров на модах шепчущей галереи. Предложен новый метод измерения однопроходного оптического усиления. Рассмотрена теория цилиндрических волноводов. Экспериментально исследованы спектральные характеристики лазеров на модах шепчущей галереи в интервале температур 4 - 300 K. Показано, что такие лазеры весьма перспективны как потенциальные источники лазерного излучения, работающие при комнатной температуре.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрено влияние спин-орбитального взаимодействия на туннелирование между двумерными электронными слоями. Получено общее выражение для туннельного тока с учетом эффектов Рашбы и Дрессельхауза, а также упругого рассеяния носителей заряда на примесях. Показано, что конкретный вид зависимости туннельной проводимости от электрического напряжения между слоями чрезвычайно чувствителен к соотношению параметров Рашбы и Дрессельхауза. Это позволяет определять параметры спин-орбитального взаимодействия и квантовое время рассеяния непосредственно при измерении туннельной проводимости без внешнего магнитного поля.

Теоретически исследовано взаимодействие уединенного импульса упругой деформации (акустического солитона) с локализованными дырками в низкоразмерных структурах на основе кремния. Показано, что прохождение солитона через область локализации дырки переводит ее из одного квантово-механического состояния в другое, которое характеризуется другой проекцией углового момента. Эффект обусловлен расщеплением вырожденного в отсутствие возмущения основного состояния дырки под действием упругой деформации. Детальный микроскопический расчет эффекта акустического переключения квантово-механических состояний проведен для дырок, локализованных в квантовой точке или на мелкой примеси акцепторного типа в квантовой яме. Продемонстрировано, что амплитуда акустического солитона, необходимая для полного переворота проекции углового момента дырки, соответствует амплитуде характерных импульсов деформации, создаваемых в экспериментах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21 + В379.273

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати числового моделювання спектрів донорно-акцепторної рекомбінації у компенсованих напівпровідниках з урахуванням електростатичних флуктуацій, які пов'язані з наявністю іонізованих домішок. Наявність кулонівських кореляцій у системі частково іонізованих домішкових центрів призводить до виникнення особливостей у спектрах рекомбінації, що залежать від енергетичної релаксації носіїв заряду. Розглянуто граничні випадки відсутності релаксації, часткової релаксації основних та неосновних носіїв заряду, а також повної релаксації системи електронів і дірок, які локалізовані на домішках. Інтерпретацію отриманих методом числового моделювання результатів проведено з використанням розробленої раніше аналітичної моделі, в якій окремо розглядаються внески в рекомбінацію рівноважних і фотозбуджених носіїв заряду. Показано, що за певних експериментальних умов лінії випромінювання, які відповідні цим внескам, можуть спектрально розділятися.

У роз'єднаній гетероструктурі II типу p-GaInAsSb/p-InAs досліджено особливості планарного та вертикального квантового магнітотранспорта. Виявлено структуру гібридизованого енергетичного спектра двовимірного напівметалевого каналу на одиничній роз'єднаній гетерограниці II типу. Продемонстровано можливість візуалізації енергетичної діаграми рівнів Ландау гібридизованої електронно-діркової системи з урахуванням їх спінового розщеплення та взаємних перетинів.