Представлено результати квантовохімічних розрахунків процесів адсорбції і десорбції водню на кластерах, що моделюють вакансійні дефекти на Ge(100). Обговорено можливі механізми протікання цих реакцій за різних ступенів покриття таких поверхонь дигідридною і моногідридною хемосорбційними фазами. Проводено порівняння результатів моделювання з існуючими експериментальними даними для упорядкованих і модифікованих поверхонь Ge.

The results of quantum-chemical calculations of hydrogen adsorption and desorption processes on clusters, simulating vacancy defect on Ge(100), are presented in the work. The possible reaction mechanisms at different coverage of such surfaces by dihydride and monohydride chemisorption phases are discussed. The comparison of simulation results with experimental data for ordered and disordered Ge surfaces is carried out

Ключ. слова: поверхня Ge (100)-(2?1), димери Al-Al, адсорбція
Індекс рубрикатора НБУВ: К663-1

Рубрики:

Захист металів від корозії покриттями

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.2 + Г274.21

Рубрики:

Адсорбція

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено результати квантово-хімічного моделювання процесів взаємодії атомарного водню з моногідридними поверхнями Ge(100). Показано, що у випадку взаємодії моногідридної поверхні Ge(100) з атомарним воднем є можливим утворення летючих гідридів германію. Розраховано енергетичні характеристики можливих фізичних і хімічних процесів у системі кластер - водень.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.231 + Г583.2

Рубрики:

Оксид кремнію

Адсорбція

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено результати квантово-хімічного моделювання процесів взаємодії атомарного водню з поверхнею Ge(100), що містить вакансійний дефект. Досліджено процеси, що є можливими у разі взаємодії атомарного водню з дефектною поверхнею Ge(100) вакансійного типу. Розраховано енергетичні характеристики можливих фізичних і хімічних процесів у системі кластер - водень.

Представлено результати квантово-хімічного моделювання процесів взаємодії атомарного водню з моногідридними поверхнями Ge(100). Показано, що за взаємодії моногідридної поверхні Ge(100) з атомарним воднем є можливим утворення летючих гідридів германію. Розраховано енергетичні характеристики можливих фізичних і хімічних процесів в системі кластер - водень.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.2

Рубрики:

Адсорбція

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.23

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено моделювання нанокластерів графіту різної форми і розмірів. Досліджено залежність значення міжплощинної відстані в нанографітах від кількості атомів вуглецю в кластері, від форми кромки нанографітів і наявності точкових дефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.21

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г125.2-27 + Г583.2

Рубрики:

Фосфор

Адсорбція

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Надано результати квантово-хімічного моделювання можливих структур, утворених атомами бору, які вбудовані в кристалічну гратку поверхні алмаза (100) за CVD росту. Обчислено геометричні, електронні та енергетичні характеристики станів поверхня алмаза - бор.

За допомогою квантово-хімічного моделювання досліджено залежність спінових станів, геометричних, електронних та енергетичні характеристик P-V центру від його місцезнаходження на поверхні алмазу C(111). Встановлено, що поверхня алмазу C(111) впливає на геометричні параметри, зарядові характеристики та розподіл спінової густини P-V центрів.