Розроблено методики одержання з рідкої фази гомо- та гетероепітаксійних структур на основі GaSb для термофотовольтаїчних (ТФВ) перетворювачів, а також досліджено можливості підвищення ефективності даних перетворювачів за рахунок створення масиву квантових крапок у матриці GaSb. Для формування субмікронних емітерних областей ТФВ-перетворювачів на основі GaSb запропоновано та розроблено метод імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву з реалізацією теплообміну між теплопоглиначем і підкладкою через шар водню. Одержано структури GaAb/InAs з різкими гетеромежами. Розроблено методику одержання з рідкої фази квантоворозмірних структур InSb в матриці GaSb.

Розглянуто новий клас лінійних початково-крайових задач математичної фізики з поверхневою та внутрішньою дисипацією енергії, а також абстрактні початково-крайові задачі, які узагальнюють задачі математичної фізики з використанням абстрактної формули Гріна для трійки гільбертових просторів і оператора сліду. Доведено теореми про існування сильних розв'язків початково-крайових задач. Одержано результати, які стосуються структури та характеру спектра, повноти та базисності систем власних функцій відповідних спектральних задач. Досліджено спектральні задачі сполучення з поверхневою дисипацією енергії.

Максимальне надходження сонячної енергії на поверхню приймачів при їх розміщенні паралельними рядами забезпечується мінімізацією затінення одного ряду іншим. Існуючі методики розрахунку надходження сонячної радіації до приймачів в умовах затінення рядами не дають універсальної відповіді на питання щодо оптимального взаєморозташування рядів сонцесприймальних поверхонь і потребують залучення даних щодо умов сонячної інсоляції для конкретної місцевості. Оскільки методики, що базуються на розрахунку абсолютних показників з надходження енергії до поля приймачів, потребують, окрім енергетичних, додаткових критеріїв оптимізації, то варто орієнтуватися на показники з надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні, яка затінюється. Мета роботи - розрахунок надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні частково затіненого ряду та визначення оптимальних параметрів розміщення приймачів паралельними рядами для кліматичних умов півдня України. Представлено методику розрахунку надходження сонячної енергії на частково затінені ряди, що враховує пряму, дифузну, відбиту сонячну радіацію від підстилаючої поверхні та нахиленої поверхні приймачів. Для кліматичних умов м. Херсона отримано вирази, що дозволяють в зручний спосіб без проведення громіздких розрахунків визначити річну питому енергію, яка надходить на одиницю площі затіненого ряду при заданому куті нахилу поверхні та відстані між рядами. Показано, що в якості оптимального кута положення, який визначає відстань між рядами приймачів, доцільно прийняти кут висоти Сонця у сонячний полудень 21 грудня. Визначено оптимальний кут нахилу поверхні приймачів, що забезпечує максимальне річне надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні затіненого ряду. Розраховано параметри розміщення приймачів паралельними рядами для інших міст івдня України та визначено середні значення оптимальних кутів положення та нахилу сонцесприймальної поверхні.