![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Балицкий А$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
| | | | |
1. |
Балицкий А. А. Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А. А. Балицкий // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 2. - С. 59-61. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Рассмотрен вопрос замены халькогенидов кадмия в структурах солнечных элементов. Исследован процесс эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe. Показано, что этот процесс сопровождается реакционным взаимодействием компонент, последующей диффузией атомов галлия подложки к поверхности и формирующимися связями Ga-Se относительно объемной Ga-Te- и эпитаксионной Cd-Se-составляющих фотоэлектронного спектра. The processes of CdSe epitaxy on GaTe layered substrate have been analyzed using by X-ray photoelectron spectroscopy (XPES). It was shown that epitaxy is accompanied by reactionary interaction of components followed by a diffusion of gallium atoms to the surface as well as forming Ga-Se bonds in respect to Ga-Te and Cd-Se components of XPES. Ключ. слова: солнечные элементы, ван-дер-вальсовская эпитаксия, халькогениды галлия и кадмия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Лысенюк В. П. Роль транскраниальной магнитной стимуляции в медицинской реабилитации постинсультных больных / В. П. Лысенюк, А. П. Балицкий, Н. И. Самосюк // Укр. неврол. журн. - 2012. - № 1. - С. 25-33. - Библиогр.: 45 назв. - рус.Цель работы - усовершенствовать систему оценки реабилитационного потенциала и восстановления двигательных функций у постинсультных больных. В исследование включено 50 больных (средний возраст 60 лет) с впервые возникшим полушарным ишемическим инсультом и умеренным неврологическим дефицитом в острый и ранний восстановительный период. Основным критерием включения в исследование было наличие моторных вызванных потенциалов при магнитной стимуляции моторной коры пораженного полушария. В программу обследования входила также нейровизуализация ишемического очага (аксиальная компьютерная или магнитно-резонансная томография). Транскраниальную магнитную стимуляцию (ТМС) применяли с диагностической целью, а также как компонент разработанной реабилитационной программы. Контролем служили показатели, полученные при обследовании 15 лиц такого же возраста без неврологической патологии. С учетом данных литературы и результатов собственных исследований проанализированы возможности ТМС как для объективной оценки нарушений моторики, так и для нервно-мышечной тренировки в период реабилитации. Описана методика сочетанного использования ТМС и электромиостимуляции. Выводы: ТМС является информативным методом реабилитационной диагностики для определения реабилитационного потенциала и отбора постинсультных больных для активных физических воздействий. Включение в реабилитационную программу ТМС в сочетании с электромиостимуляцией способствует повышению результативности медицинской реабилитации больных с полушарным ишемическим инсультом, что позволяет рекомендовать разработанную методику для практического применения. Індекс рубрикатора НБУВ: Р627.703.1-5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25729 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Балицкий А. А. Триботехнические свойства азотистых марганцевых сталей в условиях трения качения при добавлении в зону контакта порошков $E bold {( roman GaSe ) sub x {roman In} sub 1-x} / А. А. Балицкий, В. А. Колесников, О. Б. Вус // Металлофизика и новейшие технологии. - 2010. - 32, № 5. - С. 685-695. - Библиогр.: 11 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: К222.062.8 + К413.15
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|