У широкому діапазоні температур від гелієвих до кімнатних виконано детальні вимірювання спектрів провідності плівкових структур типу метал - ізолятор - метал з оксидом хрому як діелектричного прошарку. Показано, що аномальна поведінка парної частини диференціальної провідності як функції прикладеної до контакту напруги обумовлюється непружною взаємодією тунелюючих електронів з магнітними збудженнями в оксиді хрому. Одержані дані непрямо підтверджують аналогічну гіпотезу, висунуту раніше для пояснення лінійного ходу парної частини провідності тунельних структур на базі високотемпературних надпровідникових купратів.

Наведено просте та наочне пояснення одержаному Шепом і Бауером універсальному розподілу прозоростей ізолювального шару з великою густиною випадкових розсіювальних центрів. Розраховано форму диференціальної провідності контакту нормального інжектора з надпровідником, розділених неоднорідним діелектричним прошарком. Обговорено наявні експериментальні дані щодо квантового транспорту крізь діелектричні шари з високою прозорістю.

Созданы стабильные сверхпроводниковые структуры типа металл - изолятор - металл на основе нитрида ниобия. Сравнение измеренных вольт-амперных характеристик с расчетными кривыми, которые учитывают возможные флуктуации в прозрачности диэлектрической прослойки, показывает, что сформированный в результате окисления NbN потенциальный барьер является довольно однородным. Обсуждена возможность создания джозефсоновских контактов на основе нитрида ниобия для сверхпроводниковой микро- и наноэлектроники.

Исследован теоретически квантовомеханический транспорт в контактах нормального и сверхпроводящего металлов, разделенных двумя потенциальными барьерами с мезоскопически тонкой прослойкой нормального металла между ними. На примере данной модельной системы изучено влияние эффектов сбоя фазы на спектры проводимости гетероструктур со сверхпроводящими обкладками. Обсуждена возможность использования полученных результатов для решения проблемы декогеренции в сверхпроводниковых кубитах.

Исследован туннельный токоперенос в слоистых структурах на основе манганита лантана. Восстановлена спектральная функция электрон-бозонного взаимодействия в широком диапазоне энергий. Обнаружены высокоэнергетические возбуждения, локализованные в барьерной и прибарьерной областях. Неупругое рассеяние носителей заряда на этих состояниях может приводить к подавлению магнитосопротивления туннельных переходов с ростом приложенных напряжений.

Предложена континуальная модель поведения точечных дефектов в упругодеформированном твердом теле. Сформулирована и численно решена система уравнений для дефектного одномерного кристалла в условиях высоких одноосных сжатий. Впервые показано, что при этом в системе реализуется неоднородное распределение напряжений и дефектов, что может инициировать фазовые превращения в материале.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж69583/Сер.А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247

Рубрики:

Спектроскопія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.35

Рубрики:

Фосфор, сурма, миш'як, вісмут, ванадій, тантал та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены результаты сравнительного анализа температурного поведения разных типов (SIS, SNS, SNIS) переходов Джозефсона. Предложена теоретическая модель, позволяющая описывать с учетом эффекта близости зависимость критического тока Джозефсона упомянутых гетероструктур от температуры. Оценена стабильность параметров структур по отношению к изменениям температуры.

Рассчитаны вольт-амперные характеристики туннельных гетероструктур металл - изолятор - металл, для которых закон дисперсии в диэлектрическом слое описывается двухзонным приближением Франца - Кейна. Показано, что в таких переходах ток является монотонно возрастающей функцией напряжения лишь в том случае, когда уровень Ферми находится в верхней половине запрещенной зоны. В противном случае вольт-амперные кривые могут содержать участки отрицательного дифференциального сопротивления.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты туннельных измерений спектров квазичастичных возбуждений бозе-типа в наноразмерной области на поверхности легированных манганитов, которая непосредственно примыкает к интерфейсу металл - оксид. Сравнение полученных результатов с известными литературными данными для соответствующих объемных образцов указывает на то, что свойства сложных оксидов марганца вблизи интерфейса не отличаются существенным образом от таковых в объеме материала. Обнаружено, что при воздействии импульса высокого напряжения происходит сглаживание спектров и рост интенсивности низкочастотных возбуждений как результат структурного разупорядочения образца в окрестности интерфейса.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.3

Рубрики:

Квантова теорія

Фізика діелектриків

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж23022 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + В378.734

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Феромагнетизм. Феромагнітні метали

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Обсуждены два универсальных эффекта в туннельных характеристиках слоистых структур металл - изолятор - металл, в которых диэлектрический барьер сформирован наноразмерной разупорядоченной плёнкой оксида: универсальное распределение прозрачностей такого слоя, независящее от конкретных микроскопических характеристик, и изменение дифференциальной проводимости таких гетероструктур с напряжением по степенному закону с показателем степени, близким к 1,33. Приведены экспериментальные результаты для сверхпроводящих трёх- и четырёхслойных структур с неоднородными туннельными барьерами, подтверждающие существование универсального распределения их прозрачностей, и его простая теоретическая интерпретация, основанная на гипотезе о равнораспределении произведения высоты барьера на путь, который электрон проходит внутри него. Показано, что с ростом толщины дефектного слоя изолятора доминирующим механизмом проводимости становится неупругое туннелирование с испусканием бозонных возбуждений, в результате чего зависимость дифференциальной проводимости от напряжения приобретает степенной характер с показателем степени, который характеризует число локализованных внутри барьера состояний, вовлечённых в процесс переноса заряда сквозь него. Показано, что для материалов с фононной плотностью состояний, которая слабо зависит от энергии, показатель степени 1,33 соответствует прыжковой туннельной проводимости с участием двух дефектных состояний. Детально обсуждаются соответствующие экспериментальные данные для разупорядоченных диэлектрических слоев на поверхности манганитов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.27

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены два возможных механизма частичной или полной потери информации, которая содержится в квантово-механической фазе электрона при его движении в стохастической твердотельной структуре. Первый заключается в фазовой рандомизации электронных характеристик (например, вследствие упругих рассеяний электронов на дефектах в тонких металлических слоях), а второй обусловлен неупругими взаимодействиями носителей тока с внешними степенями свободы. На примере двухбарьерной гетероструктуры показано, что в первом случае квантовый подход к проблеме сводится к полуклассическому методу, когда вместо квантовых амплитуд вероятностей фигурируют сами вероятности отдельных событий, а второй соответствует переходу к классической теории зарядового транспорта. Рассчитано влияние декогеренции на дифференциальную проводимость и дробовой шум в двухбарьерных туннельных системах со сверхпроводящим электродом и проанализировано их изменение, обусловленное переходом от квантового к некогерентному классическому режиму электронного транспорта.