Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (3)

Пошуковий запит: (<.>A=Болтовец Н$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 16
Представлено документи з 1 до 16

Категорія:

Борисенко А. Г.
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А. Г. Борисенко, Б. П. Полозов, О. А. Федорович, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Ю. Н. Свешников // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 6. - С. 42-46. - Библиогр.: 10 назв. - рус.

Ключ. слова: эпитаксиальные слои, нитрид галлия, плазмохимическое травление, плазмохимический реактор.
Індекс рубрикатора НБУВ: З965-06

Рубрики:
Автоматика

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Болтовец Н. С.
Исследования кремниевых высоковольтных СВЧ IBp - i - nD-диодов при повышенной температуре = Дослідження кремнієвих високовольтних НВЧ IBp - i - nD-діодів при підвищеній температурі / Н. С. Болтовец, Т. И. Голынная, В. А. Кривуца, Л. М. Суворова, К. А. Лычман // Техника и приборы СВЧ. - 2008. - № 1. - С. 52-54. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.24-01

Рубрики:
Опірні діоди (напівпровідникові стабілітрони)

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Болтовец Н. С.
Кремниевые быстродействующие бескорпусные IBpD-iIBnD-диоды с балочными выводами / Н. С. Болтовец, В. В. Басанец, Т. И. Голынная, В. А. Кривуца, Л. М. Суворова, К. А. Лычман // Техника и приборы СВЧ. - 2008. - № 2. - С. 34-36. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Ключ. слова: pЦiЦn-диод, технология мембранная, выводы балочные, линия передачи микрополосковая, линия передачи волноводно-щелевая.
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.24-01

Рубрики:
Опірні діоди (напівпровідникові стабілітрони)

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Болтовец Н. С.
Малогабаритные частотно-стабилизированные генераторы миллиметрового диапазона на лавинно-пролетных диодах / Н. С. Болтовец, Л. В. Касаткин, К. А. Маев, С. С. Прикладовский // Техника и приборы СВЧ. - 2008. - № 2. - С. 14-16. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Розглянуто питання оптимізації конструкцій частотно стабілізованих малогабаритних генераторів 8-міліметрового діапазону хвиль на лавинно-прольотних діодах, що задовольняють вимогам стійкості НВЧ-параметрів до жорстких кліматичних і механічних впливів. Обговорено технічні рішення, що прискорюють процес настроювання генераторів і випробування на стійкість під час зовнішніх кліматичних впливах у процесі серійного промислового виробництва. Наведено характеристики й параметри розроблених генераторів.

Рассмотрены вопросы оптимизации конструкций частотно-стабилизированных малогабаритных генераторов 8-миллиметрового диапазона волн на лавинно-пролетных диодах, удовлетворяющих требованиям устойчивости СВЧ-параметров к жестким климатическим и механическим воздействиям. Обсуждены технические решения, ускоряющие процесс настройки генераторов, испытание генераторов на устойчивость при внешних климатических воздействиях в процессе серийного промышленного производства. Приведены характеристики и параметры разработанных генераторов.

The optimization of frequency stabilized miniature MM-wave IMPATT oscillators is considered. Stability of oscillator RF characteristics under hard climatic and mechanical influences is shown. Technical decisions enable to accelerate the oscillator tuning process, and improving frequency stability under hard climatic influences are concerned. Test results of those oscillators in the process of mass production are given.

Ключ. слова: лавинно-пролетный диод; генератор на ЛПД; диапазон миллиметровых волн; генератор
Індекс рубрикатора НБУВ: З848-041.74

Рубрики:

Радіопередавальні пристрої (радіопередавачі)

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Басанец В. В.
Мощные кремниевые импульсные лавиннопролетные диоды 8-мм диапазона / В. В. Басанец, Н. С. Болтовец, А. В. Зоренко, А. В. Гуцул, Н. В. Колесник, С. И. Геращенко // Техника и приборы СВЧ. - 2009. - № 1. - С. 27-30. - Библиогр.: 5 назв. - рус.

Ключ. слова: диод кремниевый лавинно-пролетный, тепловое сопротивление диода, тепловая модель диода, импульсный режим работы
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 с116

Рубрики:
Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Болтовец Н. С.
Развитие полупроводниковой электроники сверхвысоких частот в НИИ "Орион" = Розвиток напівпровідникової електроніки надвисоких частот в НДІ "Оріон" / Н. С. Болтовец, Л. В. Касаткин, С. Б. Мальцев, В. П. Рукин // Техника и приборы СВЧ. - 2008. - № 1. - С. 7-9. - Библиогр.: 4 назв. - рус.

Освещен научно-технический и производственно-технологический потенциал НИИ "Орион" в области создания полупроводниковых приборов, компонентов, модулей и устройств СВЧ, которые изготавливаются на разработанных кремниевой и арсенид-галлиевой технологических линиях. Совокупность этих изделий составляет элементную базу для перспективной аппаратуры и систем в диапазоне частот до 200 ГГц.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Панасюк А. Д.
Структура и свойства тонких керамических покрытий в системе $E bold roman {AlN~-~TiCrB sub 2} / А. Д. Панасюк, И. А. Подчерняева, Н. С. Болтовец, О. В. Руденко, В. Н. Иванов, М. А. Тепленко // Порошковая металлургия. - 2006. - № 5-6. - С. 39-47. - Библиогр.: 8 назв. - рус.

Ключ. слова: магнетронное покрытие, нитрид алюминия, высокотемпературное окисление, механические свойства
Індекс рубрикатора НБУВ: К663.522-18

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Агеев О. А.
Карбид кремния: технология, свойства, применение : монография / О. А. Агеев, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. С. Киселев, Р. В. Конакова, А. А. Лебедев, В. В. Миленин, О. Б. Охрименко, В. В. Поляков, А. М. Светличный; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва, НИИ "Орион", РАН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Юж. федер. ун-т, Технол. ин-т. - Х., 2010. - 532 c. - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники). - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.3

Рубрики:
Карбід кремнію (карборунд)

Шифр НБУВ: ВА745156 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Болтовец Н. С.
Формирование мезаструктур 4НSiC IpD-i-InD-диодов методом ионно-плазменного травления / Н. С. Болтовец, А. Г. Борисенко, В. Н. Иванов, А. О. Федорович, В. А. Кривуца, Б. П. Полозов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2009. - № 5. - С. 45-48. - Библиогр.: 8 назв. - рус.

Ключ. слова: p - i-n-диод, карбид кремния 4НSiC, травление ионно-плазменное, травление кремния, мезаструктура, чип диода
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01

Рубрики:
Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Беляев А. Е.
Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике : [колект. моногр.] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Е. Ф. Венгер, Е. Г. Волков, В. П. Кладько; ред.: А. Е. Беляев; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - Х. : ИСМА, 2011. - 382 c. - рус.

Исследованы физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике: методы рентгеновской дифракционной диагностики полупроводниковых материалов и структур, используемых в производстве СБИС и ряда дискретных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых структур с квантовыми точками, квантовыми ямами, сверхрешетками и др. Рассмотрены методы математического моделирования механизмов токопереноса в контактах металл-полупроводник с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Рассмотрено физико-статистическое моделирование отказов в задачах диагностики полупроводниковых приборов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.13,021 + З852-082.05 с3

Рубрики:

Рентгеноструктурний аналіз

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: ВА759637 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Болтовец Н. С.
50 лет развития СВЧ-электроники в НИИ "Орион" (к 50-летию создания НИИ "Орион"). / Н. С. Болтовец, С. Б. Мальцев, В. Г. Руденко, В. П. Рукин // Техника и приборы СВЧ. - 2011. - № 2. - С. 3-6. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З85 г (4УКР)

Рубрики:
Електроніка

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

12.

Болтовец Н. С.
Фазовращатель 0-$Epi на 4HSiC p-i-n-диодах / Н. С. Болтовец, В. А. Кривуца, К. А. Лычман, К. Зекентес, В. А. Ореховский // Техника и приборы СВЧ. - 2011. - № 2. - С. 15-17. - Библиогр.: 7 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З842-53

Рубрики:
Радіотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Басанец В. В.
Электрические параметры SiC p-i-n-диодов в температурном диапазоне 77 - 773 К / В. В. Басанец, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, В. А. Кривуца, Я. Я. Кудрик, К. А. Лычман // Техника и приборы СВЧ. - 2011. - № 2. - С. 26-28. - Библиогр.: 13 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2

Рубрики:
Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Беляев А. Е.
Особенности температурной зависимости напряжения пробоя СВЧ диодов Шоттки $Ebold roman {Au-Tі-n-n sup +}-6H-SiC / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, В. А. Кривуца, Я. Я. Кудрик, А. А. Лебедев, А. П. Абрамов, С. П. Лебедев, В. В. Миленин // Техника и приборы СВЧ. - 2011. - № 2. - С. 44-46. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

15.

Саченко А. В.
Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций / А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, В. Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2013. - Вып. 48. - С. 5-29. - Библиогр.: 64 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5

Рубрики:
Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники : [монография] / А. Е. Беляев, В. Н. Бессолов, Н. С. Болтовец, Ю. В. Жиляев, В. П. Кладько; ред.: А. Е. Беляев, Р. В. Конакова; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева, Гос. предприятие НИИ "Орион", Рос. акад. наук, Физ.-технич. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - Киев : Наук. думка, 2016. - 257, [1] c. - (Проект "Наук. кн."). - Библиогр.: с. 226-254 - рус.

Систематизированы и обобщены результаты анализа особенностей технологии объемных нитридгаллиевых слоев на сапфировых и карбидкремниевых подложках, а также физико-технологических, модельных и теоретических исследований омических контактов к нитриду галлия. Впервые подробно рассмотрены температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области нитрида галлия.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852-3

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: ВА804750 Пошук видання у каталогах НБУВ