Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531

Рубрики:

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312

Рубрики:

Вакансії і домішки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено структурну схему інформаційно-керуючої системи в трьох ієрархічних рівнях, що дозволяє розробляти спеціальне програмне забезпечення щодо вдосконалення вимірювальних процесів геометричних розмірів об'єктів, покращання метрологічних характеристик, обробки результатів вимірювання та представлення їх у графічному вигляді для оператора-метролога.

Для підвищення точності та швидкодії вимірювання складних просторових поверхонь за умов дії дестабілізуючих факторів розроблено нову структурну схему управління вимірювальною головкою координатно-вимірювальної машини. Показано, як здійснюється рух вимірювального наконечника в тривимірному просторі. Показано, що в основі процедури синтезу закону керування лежить нелінійне перетворення змінного стану. Одержано опис системи у вигляді взаємозалежних моделей подовжніх та відносних рухів.

Досліджено вплив приєднання біомолекул на спектри фотолюмінесценції квантових точок (КТ) CdSe/ZnS, зокрема, на смуги, пов'язані з дефектами у КТ або на їх поверхні. Показано, що спектр випромінювання дефектів складається з двох смуг, одну з яких можна приписати рекомбінації електронів із рівня КТ на рівень вакансії Cd, а іншу - рекомбінації носіїв через донорно-акцепторні пари. Встановлено, що приєднання до КТ біомолекул призводить не лише до зсуву смуги, зумовленої рекомбінацією екситонів у КТ, в короткохвильову область спектра, але й до збільшення внеску випромінювання дефектів у спектр люмінесценції. Показано, що внесок різних дефектів зростає по-різному. Зміни в спектрі випромінювання дефектів пояснено збільшенням концентрації відповідних центрів випромінювальної рекомбінації.

Розроблено трикоординатні інформаційно-вимірювальні системи (ІВС) геометричних розмірів величин з підвищеною точністю та швидкодією вимірювання об'єктів зі складною просторовою поверхнею. Запропоновано нові методи для високоточного вимірювання на трикоординатних ІВС геометричних величин на лінійних двигунах з газовим змащенням та на аеростатичних опорах, які базуються на інтелектуальних технологіях інформативної надлишковості й адаптивності. Розроблено математичну модель об'єкту зі складною просторовою поверхнею, методики, алгоритми та програмне забезпечення процесу вимірювання об'єктів зі складною просторовою поверхнею. Запропоновано структури трикоординатних ІВС геометричних величин з поворотним столом. Розроблено систему інтелектуального керування вимірювальною головкою координатно-вимірювальних машин. Основні результати наукового дослідження впроваджено на промислових підприємствах України в процесі проектування зразків нових автоматизованих приладів з підвищеними метрологічними характеристиками під час виконання науково-дослідних робіт на Державному підприємстві "Завод 410 цивільної авіації" (м. Київ).

Показано, що декорування дислокацій точковими дефектами в кристалах CdS приводить до розмиття краю фундаментального поглинання внаслідок формування хвостів густини станів у придислокаційних областях. Встановлено, що цей ефект проявляється в зміні форми спектра крайової люмінесценції і процесах деградації лазерів з електронним збудженням. Виявлено ефект безактиваційного збирання донорів на дислокації під дією імпульсного ультразвуку. Доводиться, що фотостимульоване утворення дрібних донорів в об'ємі кристалів CdS обумовлено розпадом кластерів атомів кадмію. Ідентифіковано смуги люмінесценції, пов'язані з макродефектами, в епітаксійних шарах ZnTe/GaAs і ZnSe/GaAs. Встановлено, що приповерхнева область цих шарів містить підвищену концентрацію лінійних і точкових дефектів.

Досліджено вплив низькотемпературних відпалів в інтервалі 350 - 480 K на повітрі на люмінесцентні характеристики квантових точок CdSe, вміщених у матрицю з желатину або полівінілового спирту. Показано, що спектри фотолюмінесценції (ФЛ) обох типів плівок є подібними і складаються з двох смуг, пов'язаних із рекомбінацією носіїв через рівні поверхневих дефектів. Виявлено, що термічний відпал протягом 10 хв в інтервалі 350 - 480 K призводить до зростання інтенсивності люмінесценції та зсуву максимумів смуг ФЛ у низькоенергетичний бік спектра. За довготривалого (більше 1 год) відпалу спостерігається зменшення інтенсивності ФЛ. Всі ефекти релаксують з часом у разі витримування зразків за кімнатної температури на повітрі та відновлюються після повторного відпалу. Запропоновано, що причиною низькоенергетичного зсуву максимумів смуг ФЛ є збільшення густини поверхневих дефектів, які діють як центри випромінювальної рекомбінації і утворюються внаслідок розриву зв'язків поверхневих атомів кадмію з функціональними групами молекул желатину. В той же час причиною зростання інтенсивності ФЛ може бути збільшення висоти потенціального бар'єра для звільнення носіїв із рівнів квантових точок і переходу їх на центри безвипромінювальної рекомбінації. Іншою причиною зростання інтенсивності ФЛ може бути зменшення концентрації центрів безвипромінювальної рекомбінації. Причину зменшення інтенсивності ФЛ у разі довготривалого відпалу поки що не з'ясовано.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л428.7-106 + В379.24 + В379.271.4

Рубрики:

Напівпровідникова і магнітна кераміка (магнетокераміка). Оксидна кераміка (кераміка чистих окислів)

Оптичні властивості напівпровідників

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.27

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: ВС65232 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати досліджень трансформації структурних, оптичних, електричних та люмінесцентних властивостей напівпровідникових та діелектричних матеріалів внаслідок термічної, ультразвукової та радіаційної обробки. Описано методи виготовлення матеріалів, процеси термічної дифузії домішок та власних дефектів, їх дифузії під дією світла, дрейфу дефектів в електричному полі, взаємодії об'ємних дефектів. Розглянуто питання утворення різного типу радіаційних дефектів, процеси фазово-структурних перетворень в різних сполуках та їх твердих розчинах. Розкрито вплив цих процесів на стабільність роботи приладів на основі таких матеріалів та визначено чинники, що відповідають за процеси деградації приладів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271,022

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: РА449398 Пошук видання у каталогах НБУВ