Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения и разработанные температурные сенсоры, которым характерные высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.

We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakageand generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production.

Рассмотрены основные тенденции мирового развития сверхъярких светоизлучающих диодов, в соответствии с которыми светоотдача источников света в 2012 г. на основе белых светодиодов в 100 раз превысит светоотдачу ламп накаливания. Значительное внимание уделено методам получения гетероструктур для светодиодов. Проанализированы параметры белых светодиодов, светодиодных модулей и источников света, изготовляемых ведущими светотехническими фирмами.

The basic world tendencies of development highlight LEDs were considered. In accordance with world tendencies efficiency of sources of light in 2012 on the basis of white light-emitting diodes in 100 times will exceed efficiency of incandescent lamps.Considerable attention was spared to the methods of obtaining heterostructures for light-emitting diodes. The parameters of white light-emitting diodes, light-emitting modules and sources of light, made by leading lighting engineering firms, were analysed thoroughly.

Исследован процесс формирования Т-образного затвора в малошумящих полевых транзисторах миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Предложена технологическая схема формирования Т-образного затвора, основанная на использовании электронно-лучевого экспонирования трехслойной резистивной структуры, состоящей из двух слоев электронного резиста, разделенных тонким слоем металла. Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8 - 1,0 мкм.

Process of formation of the T-shaped gate for low noise field effect transistors of a millimetric and sub-millimetric ranges of wave lengths. The technology of formation of the T-shaped gate is based on use of electron beam exhibiting of the three-layer resistive structure consisting of two layers electronic resists, divided by a thin metal layer. Experimental samples of transistors with T-shaped gates in height 1,1 microns, length of the bottom part 0,15 microns and the top part 0,8-1,0 microns arereceived.

Ключ. слова: светоизлучающий диод, омический контакт, р-область GaN, пленка Ni/Au
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрена конструкция испарителя, предназначенного для напыления материалов в вакуумно-напылительных установках, который успешно эксплуатируется в технологическом процессе изготовления арсенид-галлиевых транзисторов, диодов и монолитных схем.

The evaporator design for vacuum deposition of materials in vacuum-deposition installations has considered.